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公开(公告)号：KR1020000061508A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：KR1019990010577
申请日：1999-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: PURPOSE: A method for forming a trench isolation structure is to prevent a trench etching mask from remaining on an active area after the trench isolation is completed and to remove an anti-reflection film simultaneously with a trench cleaning process. CONSTITUTION: A method for forming a trench isolation structure comprises the steps of: a forming a trench(108) by using a trench etching mask including a silicon nitride film(104) and an anti-reflection film formed on a semiconductor substrate(100), and forming a pad oxide film(102) between the semiconductor substrate and the silicon nitride film; washing the trench and at the same time removing the anti-reflection film; forming a thermal oxide film in an inside wall of the trench; depositing a trench isolation film on the semiconductor substrate to completely fill up the trench; etching evenly the trench isolation film to expose the silicon nitride film; and sequentially removing the silicon nitride film and the pad oxide film to form a trench isolation structure.
Abstract translation: 目的：形成沟槽隔离结构的方法是在沟槽隔离完成之后防止沟槽蚀刻掩模残留在有源区上，并且与沟槽清洗工艺同时去除防反射膜。 构成：用于形成沟槽隔离结构的方法包括以下步骤：通过使用包括形成在半导体衬底（100）上的氮化硅膜（104）和抗反射膜的沟槽蚀刻掩模形成沟槽（108） 在半导体衬底和氮化硅膜之间形成衬垫氧化膜（102）; 洗涤沟槽并同时去除防反射膜; 在沟槽的内壁中形成热氧化膜; 在半导体衬底上沉积沟槽隔离膜以完全填满沟槽; 均匀地蚀刻沟槽隔离膜以暴露氮化硅膜; 并依次去除氮化硅膜和衬垫氧化物膜以形成沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：KR2020000011969U
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR2019980024771
申请日：1998-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 목적: 하우징 자체의 단열효과로 히터 열의 방출을 억제할 수 있어 적은 에너지 소비로 세정 공정에 적합한 소망의 온도로 케미컬을 가열할 수 있도록 한 간접 가열식 세정장비의 승온관을 제공한다.
구성: 석영재의 하우징(321) 내부에 히터(323)를 보유하여 유입구(322)를 통해 유도된 케미컬을 소망의 온도로 가열하여 케미컬 바스(24)로 공급하는 승온관(32)의 하우징(321) 외벽 또는 내벽에 단열 및 반사를 위한 반사물질을 함유하는 코팅막(330)을 형성하여서 된 것이다.
효과: 하우징에 도포된 코팅막의 보온 반사작용에 의해 히터에서 발생된 열이 승온관의 외부로 방출되는 것을 최대한 억제할 수 있으므로 에너지 효율을 높일 수 있고 프로세스에 적당한 케미컬의 온도 프로파일을 용이하게 달성할 수 있도록 한다.-
公开(公告)号：KR1020170055787A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150159006
申请日：2015-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B29C45/34 , B29C45/0046 , B29C45/02 , B29C45/14655 , B29C45/14819 , B29C2791/006 , B29L2031/34 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의반도체패키지제조용몰딩장치는몰딩대상물이안착될수 있는하부금형(bottom mold)과, 상기몰딩대상물이안착된상기하부금형상에위치하는상부금형(top mold)과, 상기하부금형및 상부금형의일측에위치하고복수개의공기벤트홀들을갖는측부금형(side mold)을포함하되, 상기하부금형과상기상부금형과의사이에는몰딩재가흘러주입될수 있는캐비티(cavity)가형성되어있다.
Abstract translation: 根据本发明的用于制造半导体封装的成型设备包括：底模，其上可以放置待模塑的物体;上模，其位于成型体所在的下金形上; 在下模和上模之间形成空腔，以便可以将模制材料注入下模和上模之间的空间中。
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公开(公告)号：KR100227845B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960041754
申请日：1996-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 백인학
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 습식 식각장치의 냉각 계통에 온도 감지장치를 부착하여 습식 식각장치의 케미컬 배스가 일정 온도에 도달했을 때에만 냉각수를 공급하여 냉각수의 과도한 유출을 방지하여 폐수량 및 폐수 처리량을 감소시키는 반도체 습식 식각장치의 냉각수 절수 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 습식 식각장치의 온도를 측정하는 온도 감지장치를 습식 식각장치의 소정위치에 설치하여 온도 감지장치의 측정값에 대응하여 시수의 양을 조절하여 냉각수의 용량을 줄인 반도체 습식 식각장치의 냉각수 절수 시스템을 제공함에 있다.
본 발명의 효과는 케미컬 배스의 온도에 따라 시수의 공급을 차단 및 개방하여 폐수량을 감소시키고, 폐수처리비의 감소 및 폐수량에 의한 환경 오염을 극소화하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100319186B1
公开(公告)日：2001-12-29
申请号：KR1019990010577
申请日：1999-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본발명은트렌치격리(trench isolation)의제조방법에관한것으로, 트렌치식각마스크를사용하여트렌치가형성된후, 트렌치세정공정이수행된다. 트렌치세정공정시, 반사방지막이제거되고패드산화막이언더컷 된다. 이로써, 활성영역상에트렌치식각마스크가남는문제점을해결할수 있고, 추가의반사방지막제거공정이수행되지않으므로전체공정을단순화시킬수 있다. 또한, 트렌치의상부에지부분이라운드(round)지게형성됨으로써, 이부분에스트레스(stress)가집중되는것을방지할수 있고, 따라서이 부분에서자주발생되는누설전류를최소화할 수있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010017387A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990032874
申请日：1999-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 백인학
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning a wafer is provided to increase a cleaning effect of the wafer and to improve cleaning uniformity in the wafer, by spraying chemicals through a shower nozzle pipe located in an upper part on both sides of the cleaning apparatus so that a flow rate of the chemicals is accelerated and vortex of the chemicals is increased. CONSTITUTION: A wafer(114) is placed in an inner cleaning bath(102). An outer cleaning bath(104) is located outside the inner cleaning bath. A shower nozzle pipe(112) is disposed in an upper part on both sides of the inner cleaning bath. Chemicals are sprayed to the wafer in the inner cleaning bath through the shower nozzle pipe by external pressure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁晶片的装置，以通过喷洒化学品通过位于清洁装置两侧的上部的淋浴喷嘴管来提高晶片的清洁效果并提高晶片的清洁均匀性，使得 化学品的流速加快，化学品的涡流增加。 构成：将晶片（114）放置在内部清洗槽（102）中。 外部清洁浴室（104）位于内部清洁浴室的外部。 淋浴喷管（112）设置在内清洗槽两侧的上部。 化学品通过外部压力通过喷淋管喷射到内部清洗槽中的晶片上。
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公开(公告)号：KR1020000050739A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000815
申请日：1999-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for thermally processing cleaning liquid is provided to improve thermal efficiency by forming a thermal blocking element on an outside surface of a housing of the apparatus for thermally processing cleaning liquid, so that heat of a heater can be emitted through the housing to the exterior. CONSTITUTION: An apparatus for thermally processing cleaning liquid comprises a housing(30), heaters(50) and a thermal blocking element. The housing having a plurality of circulating spaces(32, 34, 36) inside includes a cleaning liquid inflow hole and a cleaning liquid outflow hole, so that a cleaning liquid circulating path can be formed in each circulating space. The heater heats the cleaning liquid in the circulating path to a suitable temperature, practically separated from the circulating spaces corresponding to the circulating spaces. The thermal blocking element prevents heat of the heater from emitting through the housing, established on an outside surface of the housing.
Abstract translation: 目的：提供一种用于热处理清洗液体的设备，以通过在用于热处理清洗液体的设备的壳体的外表面上形成热阻挡元件来提高热效率，使加热器的热能够通过壳体发射到 外观。 构成：用于热处理清洁液体的装置包括壳体（30），加热器（50）和热阻塞元件。 具有内部的多个循环空间（32,34,36）的壳体包括清洗液流入孔和清洗液流出孔，能够在各循环空间中形成清洗液循环通路。 加热器将循环路径中的清洗液加热到与循环空间相对应的循环空间实际分离的合适温度。 热阻元件防止加热器的热量通过外壳的壳体发射，该壳体设置在壳体的外表面上。
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公开(公告)号：KR100626345B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1019990000815
申请日：1999-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액 열처리장치 및 이를 이용한 세정장치에 관한 것으로, 세정액 열처리장치의 하우징의 외면에 열차단부재를 형성함으로써, 하우징을 통해 외부로 히터열이 방출되는 것이 차단되어 열효율이 향상된다.
또한, 하우징의 내벽에 난반사부가 형성됨으로써, 히터열이 난반사부에 의해 난반사되어 열효율이 향상된다.
또한, 열효율의 향상으로 인해 종래보다 빠른 시간내에 세정액을 세정 공정에 필요한 적정 온도로 가열함으로써, 세정액을 적정 온도로 가열하는데 소비되는 전력 및 시간을 최소화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980022573A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019960041754
申请日：1996-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 백인학
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 습식 식각장치의 냉각 계통에 온도 감지장치를 부착하여 습식 식각장치의 케미컬 배스가 일정 온도에 도달했을 때에만 냉각수를 공급하여 냉각수의 과도한 유출을 방지하여 폐수량 및 폐수 처리량을 감소시키는 반도체 습식 식각장치의 냉각수 절수 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 습식 식각장치의 온도를 측정하는 온도 감지장치를 습식 식각장치의 소정위치에 설치하여 온도 감지장치의 측정값에 대응하여 시수의 양을 조절하여 냉각수의 용량을 줄인 반도체 습식 식각장치의 냉각수 절수 시스템 및 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 효과는 케미컬 베스의 온도에 따라 시수의 공급을 차단 및 개방하여 폐수량을 감소시키고, 폐수처리비의 감소 및 폐수량에 의한 환경 오염을 극소화하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020060105082A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050027460
申请日：2005-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 습식 세정장치에 관한 것으로서, 이를 위해 본 발명은 각 상단부가 서로 반대 방향으로 회전하도록 소정의 거리를 이격시켜 마주보게 한 웨이퍼 척(30)을 구비하여 배치방식으로 복수의 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 웨이퍼 이송수단과, 일정량의 세정액이 채워지도록 하면서 내부에는 상기 웨이퍼 이송수단으로부터 전달되는 복수의 웨이퍼들이 안치되는 웨이퍼 가이드(50)가 구비되는 배쓰(40)를 구비하는 웨이퍼 세정장치에 있어서, 상기 웨이퍼 이송수단의 상기 웨이퍼 척(30)은 하단부측의 상부와 하부의 슬롯을 일체로 연결되게 하면서 웨이퍼를 지지하는 부위가 보다 연장되도록 하거나 상기 배쓰(40)의 내부에 구비되는 상기 웨이퍼 가이드(50)에서 웨이퍼를 지지하는 가이드(52)가 6포인트에 형성되도록 하거나 또는 상기 웨이퍼 척(30)은 하단� ��측의 상부와 하부의 슬롯을 일체로 연결되게 하면서 웨이퍼를 지지하는 부위가 보다 연장되도록 하면서 상기 배쓰(40)의 내부에 구비되는 상기 웨이퍼 가이드(50)에서 웨이퍼를 지지하는 가이드(52)가 6포인트에 형성되도록 하는 구성으로 개선함으로써 플랫존 정렬 과정을 생략하여 이물질에 의한 오염 방지와 안정된 세정 및 설비의 간소화 등의 경제적 이점을 제공하는 특징이 있다.
습식 세정, 웨이퍼 척, 슬롯, 웨이퍼 가이드
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