公开(公告)号：KR1020160065332A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：KR1020140168738

申请日：2014-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현창 ,  함부현 ,  배용국 ,  구자민 ,  백종화 ,  신희주 ,  정란경

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/0274

Abstract: 본발명은키 패턴들의형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법에관한것으로, 본발명은셀 영역상에게이트패턴들을형성함과동시에스크라이브레인영역상에게이트패턴들보다더 큰폭 및더 큰피치를갖는키 패턴들을형성할수 있다. 이로써, 키패턴들내부에보이드의발생을줄일수 있으며, 키패턴들의기울어짐현상을방지할수 있다. 나아가, 게이트패턴들양측에콘택플러그들을형성시, 키패턴들을잘못판독하는(misreading) 문제를개선할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成键图案的方法和使用该图案的半导体器件的制造方法。 本发明可以形成在单元区域上的栅极图案，同时形成具有比划线路区域上的栅极图案更宽的宽度和更高的间距的键图案，从而减少了键图案内的空隙的产生，并且防止了 关键模式。 此外，在形成栅极图案的两侧的接触插塞时，可以解决读取键图案的问题。