公开(公告)号：KR1020160047409A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020150146731

申请日：2015-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 해처,라이언엠. ,  보웬,로버트씨. ,  로더,마크에스. ,  오브라도빅,보르나제이. ,  홍준구

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7847

Abstract: 이축스트레인을가한나노시트를제조하는방법이제공된다. 본발명의실시예들에따른제조방법은: 하나이상의주기들(periods)을갖는에피택시얼결정성초기초격자(epitaxial crystalline initial superlattice)를성장시키되, 상기주기들의각각은적어도활성물질층, 제1 희생물질층, 및제2 희생물질층의세 층을포함하고, 상기제1 및제2 희생물질층들은서로다른물성을갖는것; 상기적어도하나이상의주기들의각각내에서, 상기활성물질층들의각각을상기제1 및제2 희생물질층들사이에위치시키되, 상기제1 및제2 희생물질층들의격자상수는상기활성물질층의격자상수와다르고, 또한상기활성물질층에이축스트레스(biaxial stress)를가하는것; 추가공정을진행하기위하여,상기제1 희생물질층들을선택적으로식각함으로써상기활성물질층들의제1 면을노출시키되, 상기제2 희생물질층들에의하여상기활성물질층들내의이축스트레인은유지되는것; 및추가공정을진행하기위하여, 상기제2 희생물질층들을선택적으로식각함으로써상기활성물질층들의제2 면을노출시키는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了制造双轴应变纳米片的方法。 根据本发明的实施例的制造方法包括：生长具有一个或多个周期的外延晶体初始超晶格，每个周期包括至少三层活性材料层，第一牺牲材料层和第二牺牲材料 第一和第二牺牲材料层具有不同的材料性质; 在一个或多个周期的每一个中，将每个活性材料层放置在第一和第二牺牲材料层之间，其中第一和第二牺牲材料层的晶格常数不同于活性材料层的晶格常数并施加双轴 对活性物质层的应力; 选择性地蚀刻第一牺牲材料层以用于附加工艺，以暴露活性材料层的第一表面并通过第二牺牲材料层保持活性材料层中的双轴应力; 以及选择性地蚀刻所述第二牺牲材料层用于附加工艺，以暴露所述活性材料层的第二表面。