公开(公告)号：WO2015065071A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/KR2014/010310

申请日：2014-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서연우 ,  김정섭 ,  최영진 ,  사니코프데니스 ,  성한규 ,  천대명 ,  허재혁

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/24 ,  F21K9/232 ,  F21S41/147 ,  F21S45/43 ,  F21S45/47 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/145 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 그 측면의 결정면과 다른 결정면을 갖는 상단부를 갖는 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 상기 나노 코어 사이에 위치하도록 상기 나노 코어의 상단부에 형성된 전류차단 중간층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.

Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口以暴露所述基底层的部分区域; 形成在由第一导电型半导体构成的基底层的每个暴露区域上并具有与其侧表面的结晶表面不同的结晶表面的上端部的纳米芯; 在纳米芯的表面上连续形成的有源层和第二导电类型半导体层; 以及形成在纳米芯的上端部上的电流阻挡中间层，以位于有源层和纳米芯之间。

公开(公告)号：KR101544772B1

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020130164521

申请日：2013-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서연우 ,  김정섭 ,  최영진 ,  사니코프데니스 ,  성한규 ,  천대명 ,  허재혁

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 본발명의일 실시형태는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 그측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는나노코어와, 상기나노코어의표면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층과, 상기활성층과상기나노코어사이에위치하도록상기나노코어의상단부에형성된전류차단중간층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.

公开(公告)号：KR1020150050284A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130164521

申请日：2013-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서연우 ,  김정섭 ,  최영진 ,  사니코프데니스 ,  성한규 ,  천대명 ,  허재혁

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24 ,  H01L33/145

Abstract: 본발명의일 실시형태는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 그측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는나노코어와, 상기나노코어의표면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층과, 상기활성층과상기나노코어사이에위치하도록상기나노코어의상단부에형성된전류차단중간층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型半导体制成的基极层，形成在基底层上的绝缘层，并且具有暴露于基底层的一部分的开口，纳米孔 其形成在基底层的露出区域中，由第一导电型半导体制成，具有与侧面不同的结晶面的上端部，有源层和第二导电型半导体层， 在纳米孔的表面上依次形成电流阻挡中间层，其形成在纳米孔的上端部分中，位于活性层和纳米孔之间。