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公开(公告)号：WO2015065071A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/010310
申请日：2014-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S45/43 , F21S45/47 , F21Y2115/10 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 그 측면의 결정면과 다른 결정면을 갖는 상단부를 갖는 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 상기 나노 코어 사이에 위치하도록 상기 나노 코어의 상단부에 형성된 전류차단 중간층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口以暴露所述基底层的部分区域; 形成在由第一导电型半导体构成的基底层的每个暴露区域上并具有与其侧表面的结晶表面不同的结晶表面的上端部的纳米芯; 在纳米芯的表面上连续形成的有源层和第二导电类型半导体层; 以及形成在纳米芯的上端部上的电流阻挡中间层，以位于有源层和纳米芯之间。
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公开(公告)号：WO2014119910A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000811
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층을 제공하는 단계와, 상기 베이스층 상에 식각정지층이 포함된 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크에 상기 베이스층 영역이 노출된 복수의 개구를 형성하는 단계와, 상기 복수의 개구가 충진되도록 상기 베이스층의 노출된 영역에 제1 도전형 반도체를 성장시킴으로써 복수의 나노 코어를 형성하는 단계와, 상기 복수의 나노 코어의 측면이 노출되도록 상기 식각정지층을 이용하여 상기 마스크를 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 복수의 나노 코어의 표면에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계;를 포함하는 나노구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种制造纳米结构半导体发光器件的方法，包括以下步骤：提供由第一导电半导体形成的基极层; 在所述基底层上形成包括蚀刻停止层的掩模; 形成暴露在所述掩模上的所述基底层的区域的多个开口; 通过在基底层的暴露区域上生长第一导电半导体以填充多个开口来形成多个纳米芯; 通过使用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露多个纳米芯的侧面; 以及在所述多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体。
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公开(公告)号：KR1020170053208A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020150155306
申请日：2015-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/50 , F21K9/233 , F21V23/003 , F21W2131/103 , F21Y2105/10 , F21Y2113/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05B33/0857
Abstract: 본발명의실시예에따른발광장치는, 440 nm 내지 460 nm의파장영역에서피크파장을가지는광을방출하는적어도하나의 LED칩, 및 LED칩으로부터방출된광에의해여기되어 490 nm 내지 580 nm 또는 580 nm 내지 630 nm의파장영역에서피크파장을가지는광을방출하는한가지이상의형광체를포함하고, 백색광을방출하는적어도하나의제1 광원, 및 460 nm 내지 490 nm의파장영역에서피크파장을가지는시안색광을방출하는적어도하나의제2 광원을포함하고, 백색광의광속과시안색광의광속의비율은동일인가전류에서 19:1 내지 370:1의범위내이다.
Abstract translation: 的发光器件根据本发明的一个实施例中，通过从所述至少一个LED芯片发出的光，和一个LED芯片发射具有的波长范围内的440nm的峰值波长的光至460nm 490纳米至580纳米的激发 或者至少一个发射白光的第一光源和至少一个发射具有在460nm至630nm的波长范围内的峰值波长的光的第二光源， 包括至少一个第二光源，以发射青光的白色光青色光的光束的比例的光束是在相同的施加电流19：1至370：在1的范围内。
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公开(公告)号：KR101710159B1
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020100090117
申请日：2010-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/816
Abstract: 본발명의실시예에따른 III족질화물나노로드발광소자는기판, 상기기판위에형성되고, 상기기판의일부분을노출하고서로다른직경을가지는복수의개구를포함하는절연막및 상기복수의개구각각에형성되는서로다른직경을가지는제1 도전형 III족질화물나노로드를포함하고, 상기제1 도전형 III족질화물나노로드각각의표면에활성층, 제2 도전형반도체층이순차적으로형성되어있다.
Abstract translation: 公开了III族氮化物纳米棒发光器件及其制造方法。 III族氮化物纳米棒发光器件包括：衬底，形成在衬底上的绝缘膜，并且包括暴露部分基底并具有不同直径的多个开口，以及分别具有不同直径的第一导电III族氮化物纳米棒 所述多个开口，其中所述第一导电III族氮化物纳米棒中的每一个具有有源层和在其表面上顺序地形成的第二导电半导体层。
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公开(公告)号：KR1020160053329A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140151379
申请日：2014-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에서로이격되어배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는, 베이스층으로부터상부로연장되는로드층및 로드층상에배치되는캡핑층을포함하고, 복수의나노발광구조물들중 적어도일부에서로드층들및 캡핑층들의높이는서로다르다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 以及设置在所述基底层上以彼此间隔开的多个发光纳米结构，每个所述发光纳米结构包括第一导电型半导体芯，有源层和第二导电类型半导体层。 第一导电型半导体芯包括从基层延伸到上部的棒层和设置在棒层上的覆盖层。 在发光纳米结构的至少一部分中，棒层的高度和覆盖层的高度是不同的。 发光纳米结构之间的宽度的变化减小，因此半导体发光器件具有改善的发光波长分布和发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130051240A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: PURPOSE: A nanorod light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption by decreasing a leakage current using an electrode of a grid pattern. CONSTITUTION: A nanorod cluster(30) covers light emitting nanorods(26) with conductors. A filling layer(33) is laminated on the nanorod clusters. An electrode(40) is formed on the filling layer and includes a grid pattern. A connection part connects the conductors to a first electrode.
Abstract translation: 目的：提供纳米棒发光器件及其制造方法，以通过使用栅格图案的电极减少漏电流来降低功耗。 构成：纳米棒簇（30）覆盖具有导体的发光纳米棒（26）。 填充层（33）层叠在纳米棒簇上。 电极（40）形成在填充层上并且包括网格图案。 连接部将导体连接到第一电极。
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公开(公告)号：KR101258582B1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110089207
申请日：2011-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 나노로드발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된발광소자는, 복수의관통홀을구비하는마스크층과, 관통홀을통해수직성장된제1형으로도핑된반도체나노코어, 반도체나노코어의표면을둘러싸도록형성된활성층, 및활성층의표면을둘러싸도록형성된제2형으로도핑된제1반도체층을포함하는발광나노로드를포함한다. 패시베이션층이발광나노로드의코너부를덮으며상단부는노출시키도록형성되며, 제1전극으로서역할을하는반사금속층이노출된발광나노로드의제1반도체층을덮도록형성되어제1반도체층에전기적으로연결된다.
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公开(公告)号：KR1020130040518A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105342
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to control an emission wavelength of a light emitting device by differently setting a composition ratio of indium and the thickness of an active layer on a bottom side and a pyramid slope of a second conductive semiconductor layer. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(300) is formed on a substrate. A second conductive semiconductor layer(500) protrudes from the first conductive semiconductor layer. A part of the second conductive semiconductor layer is grown again in a region without a dielectric pattern on the first conductive semiconductor layer to expose a part of the first conductive semiconductor layer. An active layer(600) is formed on the second conductive semiconductor and includes a first crystal surface and a second crystal surface to generate light of different wavelengths. A third conductive semiconductor layer(700) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过不同地设定铟的组成比和底部的有源层的厚度和第二个的金字塔斜率来控制发光器件的发射波长 导电半导体层。 构成：在基板上形成第一导电半导体层（300）。 第二导电半导体层（500）从第一导电半导体层突出。 第二导电半导体层的一部分在第一导电半导体层上的没有电介质图案的区域中再次生长，以暴露第一导电半导体层的一部分。 在第二导电半导体上形成有源层（600），并且包括第一晶体表面和第二晶体表面以产生不同波长的光。 在有源层上形成第三导电半导体层（700）。
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公开(公告)号：KR1020120029339A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020110092511
申请日：2011-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L29/1606 , H01L33/16 , H01L33/34
Abstract: PURPOSE: A graphene emitting device and a manufacturing method thereof are provided to enhance luminous efficiency by enhancing reunion efficiency of an electron and a hole by using a graphene super lattice or a graphene quantum dot. CONSTITUTION: A p-type dopant is doped to p-type graphene(13). An n-type dopant is doped to n-type graphene(17). Activity graphene(15) is located between the p-type graphene and the n-type graphene. The activity graphene comprises a graphene super lattice. The graphene super lattice has a multiple quantum well potential. The graphene super lattice comprises one or more grapheme nano-ribbons which connect the n-type grapheme and the p-type grapheme. The p-type graphene, the n-type grapheme, and the activity graphene are horizontally arranged.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯发光器件及其制造方法，以通过使用石墨烯超晶格或石墨烯量子点提高电子和空穴的团聚效率来提高发光效率。 构成：p型掺杂剂掺杂到p型石墨烯中（13）。 n型掺杂剂被掺杂到n型石墨烯（17）中。 活性石墨烯（15）位于p型石墨烯和n型石墨烯之间。 活性石墨烯包括石墨烯超晶格。 石墨烯超晶格具有多量子阱势。 石墨烯超晶格包括连接n型字形和p型字形的一个或多个图形纳米带。 水平排列p型石墨烯，n型图形和活性石墨烯。
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公开(公告)号：KR1020120029278A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091274
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a substrate for nitride single crystal growth, and a nitride semiconductor light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve efficiency of a light emitting diode by making a high quality nitride mono-crystal grow up and alleviating a field effect problem. CONSTITUTION: A substrate(110) containing silicon components is prepared. A graphene layer(120) is formed on the substrate by using a thermal chemistry vapor deposition method. A silicon carbide layer(125) is formed by reacting the graphene layer with the silicon components of the substrate. A light emitting structure is formed on the silicon carbide layer. The light emitting structure comprises a first conductivity type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物单晶生长用基板的制造方法和氮化物半导体发光二极管及其制造方法，其特征在于，通过使高质量的氮化物单晶体长大并且缓和 场效应问题。 构成：制备含有硅组分的衬底（110）。 通过使用热化学气相沉积法在基板上形成石墨烯层（120）。 通过使石墨烯层与衬底的硅组分反应形成碳化硅层（125）。 在碳化硅层上形成发光结构。 发光结构包括第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层。
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