公开(公告)号：KR100643488B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020000066352

申请日：2000-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  김재구 ,  김종식 ,  안계홍

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정 수행에 필요한 가스량과 봄베로부터 유도되는 가스량을 자동 제어에 의해 정확히 체크되게 하므로서 이들의 비교에 의해 공급 가스량이 부족할 때에는 인터 락을 발생시켜 가스의 공급 불량에 따른 공정 불량 및 다량의 제품 불량의 사고를 미연에 방지할 수 있도록 하는 동시에 봄베에서의 가스 잔류량이 부족시 이를 경고하므로서 봄베의 정확한 교체 시기를 제공하므로서 조기 교체에 따른 경제적 손실을 예방할 수 있도록 하는 반도체 제조 공정에서의 가스 공급 장치와 그에 의한 가스 공급 방법에 관한 것으로서, 이를 위해 본 발명은 각 메인 설비(40)에 가스를 공급하는 각각의 가스 공급 수단인 봄베(10)와, 상기 봄베(10)로부터 공급되는 가스를 상기 각 메인 설비(40)에 일정량이 공급되도록 하는 레귤레이터 밸브(20)와, 상기 레귤레이터 밸브(20)로부터 공급되는 가스를 상기 각 메인 설비(10)에서 요구하는 압력으로 감압하는 가스 유량 제어 장치(30)로 이루어지는 가스 공급 구조에서, 상기 봄베(10)의 잔류 가스량을 체크하는 감지수단(50)과; 상기 가스 유량 제어 장치(30)에서 상기 각 메인 설비(40)로 공급되는 각 스텝에서 필요로 하는 가스량(GR)과 상기 봄베(10)의 잔류 가스량(GS)을 체크하여 인터 락 발생 여부를 판단하는 제어부를 구비하는 구성이 특징이다.
반도체 제조 공정, 봄베, 가스 유량 제어 장치, 잔량 검출, 인터 락

公开(公告)号：KR100626386B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020040075148

申请日：2004-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치에 관한 것으로, 장치는 반응챔버의 내부를 감싸는 히터가 설치된 처리실을 가진다. 처리실의 아래에는 대기실이 배치되며 웨이퍼는 보트에 탑재되어 반응챔버의 하단에 형성된 입구를 통해 반응챔버 내로 유입된다. 반응챔버의 하단에는 반응챔버의 입구 또는 히터로부터 발생되는 열대기를 열배기관으로 배출하는 하부스카벤져가 설치되고, 반응챔버의 상부에는 처리실과 히터 사이의 열대기를 열배기관으로 안내하는 상부스카벤져가 설치된다. 열배기관에는 차압계가 설치되며, 차압계로부터 열배기관을 흐르는 유량이 측정되고, 제어기는 차압이 설정차압을 유지할 수 있도록 열배기관에 장착된 유량조절밸브의 개방률 또는 배기팬의 회전속도를 제어한다.
스카벤져, 열대기, 증착장치

Abstract translation: 用于制造半导体器件的设备技术领域本发明涉及一种用于制造半导体器件的设备，该设备具有设置有用于围绕反应室内部的加热器的处理室。 待处理室设置在处理室下方，并且晶片通过形成在安装在船上的反应室下端处的入口引入反应室。 所述反应室的底部设置有下疤痕benjyeo用于排出从入口或在十倍发动机安装在反应室的加热器所产生的热带，以十倍发动机被安装在反应室的与上部疤痕benjyeo用于引导处理室和加热器之间的热带顶部， 是的。 十倍机构，和被安装在差动压力计，通过从压差计10倍的发动机的流动被测量，所述控制器控制所述开口率或安装到十倍发动机压差以维持设定的压力差，流量控制阀的排气风扇的旋转速度。

公开(公告)号：KR1020030021902A

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020010055464

申请日：2001-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  고상국 ,  이동현 ,  정상현

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A vertical furnace having multi-structure is provided to improve uniformity of the surface of a wafer and effectively eliminate particles by including a plurality of process tubes so that a separate process space can be supplied to the wafer. CONSTITUTION: A reaction space is prepared by an upper outer tube(112). An upper inner tube(114) is installed in the upper outer tube. An upper flange(118) has an upper gas introducing hole(120) and an upper gas exhausting hole(122). An upper boat(116) is assembled over the upper flange to be installed in the upper inner tube. An upper part(110) includes the upper outer tube, the upper inner tube, the upper flange and the upper boat. A lower outer tube(152) is assembled in the upper flange. A lower inner tube(154) is installed in the lower outer tube. A lower flange(158) has a lower gas introducing hole(160) and a lower gas exhausting hole(162). A lower boat(156) is assembled over the lower flange. A lower part(150) includes the lower outer tube, the lower inner tube, the lower flange and the lower boat.

Abstract translation: 目的：提供具有多结构的立式炉，以提高晶片表面的均匀性，并通过包括多个工艺管来有效地消除颗粒，从而可以向晶片提供单独的工艺空间。 构成：通过上部外管（112）制备反应空间。 上部内管（114）安装在上部外管中。 上凸缘（118）具有上气体导入孔（120）和上排气孔（122）。 上船（116）组装在上法兰上以安装在上内管中。 上部（110）包括上外管，上内管，上凸缘和上舟。 下外管（152）组装在上凸缘中。 下部内管（154）安装在下部外管中。 下部凸缘（158）具有下部气体引入孔（160）和下部排气孔（162）。 下船（156）组装在下法兰上。 下部（150）包括下外管，下内管，下法兰和下船。

公开(公告)号：KR100568446B1

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020030066398

申请日：2003-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  김재구

IPC: H01L21/02

Abstract: 역압방지유닛을 갖는 반도체 제조설비는 소정의 처리 공간을 갖는 챔버와 챔버의 일측에 연결된 진공라인을 매개로 설치되어 챔버의 내부를 진공상태로 유지시키는 제1진공펌프와 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 진공라인 상에 설치되어 초고진공 상태로 전환시키는 제2진공펌프와 제2진공펌프의 하부에 설치되어 제1진공펌프의 가동이 중단되었을 때 발생하는 역압을 상쇄시키는 역압방지유닛을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020030001596A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：KR1020010036373

申请日：2001-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  이남진 ,  김종식 ,  고상국

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An exhaust line connecting tool of an apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to efficiently and easily replace an exhaust line by easily reducing or expanding a wrinkle part of the exhaust line and by rotating the wrinkle part of the exhaust line. CONSTITUTION: A plurality of guide rails(54,56,58,60) are disposed as an oval type, separated from each other by a predetermined interval. An inner hole receiving the wrinkle part of the exhaust line is formed in a wrinkle horizontal pressure unit(52) of an oval type which a predetermined part of one end of the guide rail penetrates. A wrinkle horizontal pressure transferring unit transfers the wrinkle horizontal pressure unit along the guide rail to reduce or expand the wrinkle part of the exhaust line. A wrinkle rotating unit pressures the end of the wrinkle part of the exhaust line to rotate the wrinkle part of the exhaust line by a predetermined angle, installed in a predetermined part of the other end of the guide rail.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的装置的排气管线连接工具，通过容易地减少或膨胀排气管线的褶皱部分并且通过旋转排气管线的褶皱部分来有效且容易地更换排气管线。 构成：多个导轨（54,56,58,60）被设置为椭圆形，彼此隔开预定的间隔。 接收排气管线的褶皱部分的内孔形成在导轨的一端的预定部分穿过的椭圆形的皱纹水平压力单元（52）中。 皱纹水平压力传送单元沿着导轨传送皱纹水平压力单元，以减少或扩大排气管线的褶皱部分。 皱纹旋转单元对排气管线的褶皱部分的端部进行加压，将排气管的褶皱部分旋转预定角度，安装在导轨另一端的预定部分。

公开(公告)号：KR1020020072373A

公开(公告)日：2002-09-14

申请号：KR1020010012250

申请日：2001-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  최우경 ,  안계홍 ,  고상국

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus having an ultrasonic generator is provided to prevent a power adsorption by generating an ultrasonic wave. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a process tube(200), a chamber(220), a pipe(230), a pump(240) for making the pipe(230) a vacuum state, a gas injection pipe(210) for supplying a reactive gas to the chamber(220) of the process tube(200) and a main valve(260) for controlling the pressure of the inner space of the pipe(230). The semiconductor manufacturing apparatus further includes an ultrasonic generator(280) connected with the pipe(230) for generating an ultrasonic wave into the pipe(230) and a controller(290) connected with the ultrasonic generator(280) for automatically controlling the frequency of the ultrasonic wave.

Abstract translation: 目的：提供一种具有超声波发生器的半导体制造装置，以通过产生超声波来防止功率吸收。 构成：半导体制造装置包括处理管（200），腔室（220），管道（230），用于使管道（230）形成真空状态的泵（240），气体注入管道（210），用于 向处理管（200）的腔室（220）供应反应气体，以及用于控制管道（230）的内​​部空间的压力的主阀门（260）。 半导体制造装置还包括与管（230）连接的超声波发生器（280），用于在管（230）中产生超声波，以及与超声波发生器（280）连接的控制器（290），用于自动控制 超声波。

公开(公告)号：KR1020020026669A

公开(公告)日：2002-04-12

申请号：KR1020000057894

申请日：2000-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  김종식 ,  안계홍

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A gas reaction chamber for preventing impurity particles from being attached to a semiconductor wafer is provided to prevent a defect of an integrated circuit caused by impurity particles, by reducing a possibility that impurity particles floating in a process are attached to a front surface of the semiconductor wafer. CONSTITUTION: The process is performed in a main body(111). A gas supply unit(116) supplies gas to the main body. A vacuum pump(118) maintains the inside of the main body at a low pressure. A wafer fix unit(112) fixes the back surface of the semiconductor wafer(114). The wafer fix unit fixes the semiconductor wafer to make the front surface of the semiconductor wafer face downward, positioned in the upper portion of the inside of the main body. The vacuum pump is connected to the lower portion of the outside of the main body.

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止杂质颗粒附着到半导体晶片上的气体反应室，以防止由杂质颗粒引起的集成电路的缺陷，通过减少漂浮在工艺中的杂质颗粒附着到前体表面的可能性 半导体晶片。 构成：该过程在主体（111）中执行。 气体供给单元（116）向主体供给气体。 真空泵（118）将主体内部维持在低压下。 晶片固定单元（112）固定半导体晶片（114）的背面。 晶片固定单元固定半导体晶片，使得半导体晶片的前表面朝向下方，位于主体内部的上部。 真空泵连接到主体外部的下部。

公开(公告)号：KR1020020023021A

公开(公告)日：2002-03-28

申请号：KR1020000055681

申请日：2000-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동욱 ,  서대만

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting vibration of a wafer transferring apparatus is provided to prevent a temporary malfunction caused by friction generated by a repeated transfer process or to prevent tweezers clamping a wafer from colliding against a wall, by detecting fine vibration. CONSTITUTION: The wafer transfer apparatus(50) horizontally and vertically rotates, driven by a drive apparatus. A vibration detecting apparatus(60) detects the vibration of the wafer transfer apparatus. A vibration signal control apparatus determines and controls a degree of a vibration signal. A central processing unit indicates whether the drive apparatus is driven according to the result determined by the vibration signal control apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测晶片转印装置的振动的装置，以防止由重复转印过程产生的摩擦引起的暂时故障或通过检测细小的振动来防止夹持晶片与壁碰撞的镊子。 构成：晶片传送装置（50）水平和垂直地旋转，由驱动装置驱动。 振动检测装置（60）检测晶片传送装置的振动。 振动信号控制装置确定并控制振动信号的程度。 中央处理单元根据由振动信号控制装置确定的结果来指示驱动装置是否被驱动。

公开(公告)号：KR1020060020200A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068985

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  F04B9/14 ,  F04B37/14 ,  H01L21/67005

Abstract: 역류 발생을 차단하는 반도체 제조 장치가 제공된다. 공정챔버와, 공정챔버를 진공 상태로 유지시키는 제 1 진공펌프와, 진공펌프의 RPM을 측정하는 센서부 및 공정챔버와 제 1 진공펌프 사이에 개재된 진공라인 상에 설치되고 센서부에서 측정한 제 1 진공펌프의 RPM 수치가 기준 상/하한 RPM 수치를 벋어나는 경우 진공라인을 차단하는 차단 밸브로 이루어져 있다.
공정챔버, 진공펌프, 차단 밸브, RPM

公开(公告)号：KR1020050030078A

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：KR1020030066398

申请日：2003-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  김재구

IPC: H01L21/02

Abstract: A semiconductor fabrication apparatus having an opposite pressure prevention unit is provided to prevent damages due to back pressure by restraining the generation of the back pressure due to interruption of a vacuum pump. A chamber includes a predetermined processing space. A first vacuum pump is connected to the chamber through a vacuum line in order to form a vacuum state of the chamber. A second vacuum pump is installed between the chamber and the first vacuum pump. A back pressure prevention unit(30) is installed at a lower part of the second vacuum pump in order to offset the back pressure. The back pressure prevention unit includes a diaphragm having a through-hole(34), a rotary plate(33) having the same size as the through-hole, and a fixing hole(37) formed at both sides of the through-hole.

Abstract translation: 提供具有相反的防止压力的半导体制造装置，以通过抑制真空泵中断引起的背压的产生来防止由背压引起的损坏。 腔室包括预定的处理空间。 第一真空泵通过真空管线连接到腔室，以形成腔室的真空状态。 第二真空泵安装在腔室和第一真空泵之间。 背压防止单元（30）安装在第二真空泵的下部，以抵消背压。 背压防止单元包括具有通孔（34），具有与通孔相同尺寸的旋转板（33）的隔膜和形成在通孔两侧的固定孔（37）。