公开(公告)号：KR1020060022170A

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：KR1020040070973

申请日：2004-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서경명 ,  최우경 ,  김대우 ,  이용위

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/22 ,  H01L21/6719

Abstract: 반도체 제조용 확산 장치가 제공된다. 본 발명의 반도체 제조용 확산 장치는, 공정 챔버, 공정 챔버를 진공시키기 위한 진공 펌프, 진공 펌프에 의해 진공 배기된 공정 챔버 내에 압력 조절용 가스를 공급하기 위한 피에조(Piezo) 밸브 및 피에조 밸브를 통해 공급되는 압력 조절용 가스가 공정 챔버에 점진적으로 증가 공급되도록 제어하기 위한 제어 밸브를 포함한다.
확산 장치, 압력 조절, 질소 가스, 피에조 밸브, 제어 밸브, 스로틀(throttle) 밸브

公开(公告)号：KR1020050034211A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030070057

申请日：2003-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체 소자 제조용 반응로는 외관을 형성하는 본체와 본체의 내측에 설치되어 반응공간을 형성하되 반응가스의 유동을 가이드하며 사방이 개방되도록 개구부를 갖는 이너튜브와 이너튜브의 외측에 설치되어 그 외측에 히팅코일이 외감된 아우터튜브와 본체의 하측에 설치되어 반응가스를 공급하는 가스공급구 및 반응잔여가스를 배출하는 배기구를 포함한다.

公开(公告)号：KR100294319B1

公开(公告)日：2001-11-26

申请号：KR1019980035933

申请日：1998-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동욱 ,  최우경

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 주변의 전방향에서 공정가스를 분사하는 고리형 분사관을 구비하여 상기 웨이퍼 상에 형성되는 막질의 균일성을 향상시키는 반도체장치 제조용 화학기상증착설비에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체장치 제조용 화학기상증착설비는 다수개의 웨이퍼가 안착된 웨이퍼보트가 내부에 위치하고 상측이 개방된 원통관으로 형성된 내측튜브와, 상기 내측튜브를 외기와 격리시키도록 상기 내측튜브의 외부에 설치되고 상측이 밀폐된 원통관으로 형성된 외측튜브와, 상기 웨이퍼 주변의 전방향에서 공정가스를 공급하도록 상기 웨이퍼보트의 하측부분을 둘러싸고 내주면을 따라 다수개의 분사구가 형성된 고리형 분사관과 상기 고리형 분사관에 연결된 가스공급원을 구비하는 가스분사수단 및 상기 외측튜브에 설치되어 상기 공정가스를 배기하는 가스배기수단을 포함하여 이루어진다.
따라서, 웨이퍼 상에 형성되는 막질의 균일성을 향상시킬 수 있고, 각각의 웨이퍼상에 형성되는 막질의 두께를 균일하게 하여 웨이퍼의 수율을 향상시키게 하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR100675272B1

公开(公告)日：2007-01-26

申请号：KR1020010021806

申请日：2001-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 반도체 확산 공정의 가스 안전 사고 방지 장치에 관한 것으로, 좀더 상세하게는, 반응 챔버 내의 온도를 감지하는 온도 센서부와, 반응 챔버 내부의 온도를 상승시키는 히터부와, 온도 센서부 및 히터부를 제어하여 반응 챔버 내의 온도가 공정에 적정한 온도를 유지하도록 하며 확산 공정 수행 중 온도 센서부로부터 감지된 반응 챔버 내부의 온도가 투입된 반응 가스의 미분해 온도 미만으로 내려가면 경고 신호를 발생시키는 온도 제어부 및 반응 챔버로 공급되는 반응 가스를 제어하는 가스 제어부 및 온도 제어부와 연동되어 반도체 확산 공정을 전체적인 흐름을 제어하며 온도 제어부로부터 경고 신호가 발생되면 가스 투입 차단 신호를 상기 가스 제어부에 전송하여 수행 중인 반도체 확산 공정을 인터록시키는 공정 제어부로 구성되는 반도체 확산 공정의 가스 안전 사고 방지 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 확산 공정 중 반응 챔버 내부의 온도가 반응 가스의 분해 온도 미만으로 떨어질 경우 이를 감지하여 챔버로 공급되는 반응 가스의 공급을 중단하고 공정을 인터록시켜 확산 공정 중에 발생할 수 있는 안전 사고를 예방할 수 있다.
확산 공정, 온도 센서부, 온도 제어부

公开(公告)号：KR1020020072373A

公开(公告)日：2002-09-14

申请号：KR1020010012250

申请日：2001-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서대만 ,  최우경 ,  안계홍 ,  고상국

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus having an ultrasonic generator is provided to prevent a power adsorption by generating an ultrasonic wave. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a process tube(200), a chamber(220), a pipe(230), a pump(240) for making the pipe(230) a vacuum state, a gas injection pipe(210) for supplying a reactive gas to the chamber(220) of the process tube(200) and a main valve(260) for controlling the pressure of the inner space of the pipe(230). The semiconductor manufacturing apparatus further includes an ultrasonic generator(280) connected with the pipe(230) for generating an ultrasonic wave into the pipe(230) and a controller(290) connected with the ultrasonic generator(280) for automatically controlling the frequency of the ultrasonic wave.

Abstract translation: 目的：提供一种具有超声波发生器的半导体制造装置，以通过产生超声波来防止功率吸收。 构成：半导体制造装置包括处理管（200），腔室（220），管道（230），用于使管道（230）形成真空状态的泵（240），气体注入管道（210），用于 向处理管（200）的腔室（220）供应反应气体，以及用于控制管道（230）的内​​部空间的压力的主阀门（260）。 半导体制造装置还包括与管（230）连接的超声波发生器（280），用于在管（230）中产生超声波，以及与超声波发生器（280）连接的控制器（290），用于自动控制 超声波。

公开(公告)号：KR1020020039948A

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020000069828

申请日：2000-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경 ,  이남진

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A semiconductor fabricating equipment is provided to prevent damages of a gas supply tube, a boat, and a wafer by forming sufficiently an installing space of a gas supply tube. CONSTITUTION: A semiconductor fabricating equipment(40) includes formed with an outer tube(12) having a shape of dome and an inner tube(42) having a shape of tube. The outer tube(12) and the inner tube(42) are supported by a plate(44). A heating portion(20) is formed at an outside of the outer tube(12) in order to provide heat to each inside of the outer tube(12) and the inner tube(42). A boat(22) is installed selectively at a center portion of the inner tube(42). A plurality of groove(46a,46b) is formed at a predetermined position of an inner wall of the inner tube(42). An upper end portion of a gas supply tube(48) is covered by a holder member. A support groove(52) is formed on the plate(44).

Abstract translation: 目的：提供半导体制造设备以通过充分形成气体供应管的安装空间来防止气体供应管，船和晶片的损坏。 构成：半导体制造设备（40）包括形成有具有圆顶形状的外管（12）和具有管形形状的内管（42）。 外管（12）和内管（42）由板（44）支撑。 在外管（12）的外侧形成加热部（20），以向外管（12）和内管（42）的每个内部提供热量。 选择性地将船（22）安装在内管（42）的中心部分。 多个槽（46a，46b）形成在内管（42）的内壁的预定位置处。 气体供给管（48）的上端部被保持构件覆盖。 支撑槽（52）形成在板（44）上。

公开(公告)号：KR1020060058394A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097421

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경 ,  이동현

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명의 확산 공정 또는 증착 공정을 수행하는 장치는 챔버 내 저압 분위기에서 공정을 수행한다. 공정완료 후 챔버로부터 보트를 언로딩하기 이전에 챔버 내부의 압력을 상압으로 증가하기 위해 챔버 내부로 질소가스가 공급된다. 압력센서에 의해 챔버 내 압력이 계속적으로 측정되고, 챔버 내부가 상압이 되면, 보트의 언로딩이 시작된다. 따라서 챔버와 연결되는 배기관에 챔버 내부 압력이 상압보다 높은 경우 질소가스를 배기하기 위해 벤트라인이 제공될 필요가 없다.
증착, 벤트라인, 상압, 확산

公开(公告)号：KR1020040040626A

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：KR1020020068804

申请日：2002-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A vacuum supply system is provided to secure continuous vacuum supply regardless of the malfunction of a vacuum pump by using a sub-vacuum pump, additionally. CONSTITUTION: A vacuum supply system is provided with a vacuum pump for supplying vacuum to semiconductor manufacturing equipment, and a connection pipe for connecting the semiconductor manufacturing equipment with the vacuum pump in order to supply the vacuum generated from the vacuum pump to the semiconductor manufacturing equipment. The vacuum supply system further includes a sub-vacuum pump connected with the vacuum pump in parallel. Preferably, the semiconductor manufacturing equipment is a CVD(Chemical Vapor Deposition) equipment.

Abstract translation: 目的：提供真空供应系统，通过使用副真空泵，无论真空泵的故障如何，均可确保连续的真空供应。 构成：真空供给系统设置有用于向半导体制造设备供应真空的真空泵，以及用于将半导体制造设备与真空泵连接以将真空泵产生的真空提供给半导体制造设备的连接管 。 真空供给系统还包括并联连接真空泵的副真空泵。 优选地，半导体制造设备是CVD（化学气相沉积）设备。

公开(公告)号：KR1020030039146A

公开(公告)日：2003-05-17

申请号：KR1020010070091

申请日：2001-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer transfer apparatus and method for semiconductor manufacturing equipment are provided to increase the number of wafers transferred at one time by installing tweezers assemblies at both sides of a moving block. CONSTITUTION: A wafer transfer apparatus is provided with a cassette loader(13) having a plurality of cassette mounting portions for mounting wafer cassettes(11), a boat(15) capable of storing a plurality of wafers, and a moving block(23) installed between the cassette loader(13) and the boat(15). At this time, the moving block(23) is installed to be capable of carrying out a horizontal, vertical, and revolving motion. The moving block(23) further comprises the first and second tweezers assembly(25,27). The first and second tweezers assembly further include a plurality of tweezers strips(25a,27a), respectively. At this time, the wafers are adsorbed at the tweezers strips by vacuum force.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体制造设备的晶片传送装置和方法，以通过在移动块的两侧安装镊子组件来增加一次传送的晶片的数量。 构成：晶片传送装置设置有盒式装载机（13），其具有用于安装晶片盒（11）的多个盒安装部分，能够存储多个晶片的舟（15）和移动块（23）， 安装在盒式装载机（13）和船（15）之间。 此时，移动块（23）安装成能够执行水平，垂直和旋转运动。 移动块（23）还包括第一和第二镊子组件（25,27）。 第一和第二镊子组件还包括多个镊子条（25a，27a）。 此时，通过真空力将晶片吸附在镊子条上。

公开(公告)号：KR1020050040179A

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030075266

申请日：2003-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최우경 ,  박종대

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 소자 제조용 종형로는 돔형 외관을 형성하며 일측이 개방된 반응공간을 갖는 본체와 본체의 반응공간에 로딩ㆍ언로딩되며 다수의 웨이퍼를 적재하는 보트와 보트의 하측에 설치되어 보트가 본체의 반응공간에 로딩됨에 따라 본체의 개방된 면을 실링하는 보트캡과 본체의 측면에 설치되어 보트가 본체에 로딩되면 작동하여 본체의 진공을 유지함과 아울러 반응잔여물을 제거하는 진공시스템 및 보트가 본체에서 언로딩 되면 작동하여 본체의 반응잔여물을 제거하는 배기시스템을 포함한다.