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公开(公告)号：KR101813179B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: 복층의게이트절연층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는그래핀채널층과게이트전극사이에유기물절연층과무기물절연층으로이루어진복층의게이트절연층을구비한다. 유기물절연층은그래핀채널층에불순물이흡착하는것을억제하여그래핀채널층의고유특성을유지한다.
Abstract translation: 公开了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。 所公开的石墨烯电子器件具有由石墨烯沟道层和栅电极之间的有机绝缘层和无机绝缘层构成的多层栅极绝缘层。 有机绝缘层抑制杂质向石墨烯沟道层的吸附，由此保持石墨烯沟道层的固有特性。
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公开(公告)号：KR101701979B1
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020100086182
申请日：2010-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00
Abstract: 발진기및 그동작방법이개시되어있다. 개시된발진기는자유층(free layer), 고정층(pinned layer) 및기준층(reference layer)을포함할수 있다. 상기기준층은상기고정층의자화방향과비평행한자화방향을가질수 있다. 예컨대, 상기기준층은상기고정층의자화방향과수직한자화방향을가질수 있다. 상기고정층및 기준층은수평자기이방성(in-plane magnetic anisotropy)을가질수 있다.
Abstract translation: 提供了振荡器及其操作方法，振荡器可以包括自由层，自由层的第一表面上的钉扎层和自由层的第二表面上的参考层。 自由层可以具有可变的磁化方向。 被钉扎层可以具有钉扎的磁化方向。 参考层可以具有与被钉扎层的磁化方向不平行的磁化方向。
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公开(公告)号：KR101586271B1
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020090025547
申请日：2009-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 자기메모리소자및 그정보쓰기및 읽기방법에관하여개시된다. 개시된자기메모리소자는반강자성층상에형성된고정층, 정보저장층및 자유층을포함하며, 정보저장층은 SAF 구조로형성될수 있다.
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公开(公告)号：KR101336992B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020070109157
申请日：2007-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808
Abstract: 자구벽 이동을 이용한 반도체 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 반도체 장치는 다수의 자구를 갖는 자성트랙, 상기 자성트랙에 연결되어 자구벽 이동을 위한 전류를 인가하는 전류 인가수단, 및 상기 자성트랙과 접촉된 열전도성 절연층을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101323719B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020070103167
申请日：2007-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B5/64 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11C11/14 , G11C19/0841 , H01F41/32 , Y10S977/933 , Y10T29/49002
Abstract: 본 발명은 자성층, 자성층의 형성방법, 자성층을 포함하는 정보저장장치 및 정보저장장치의 제조방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 정보저장장치는 다수의 자구를 갖는 자성트랙, 상기 자성트랙에 연결된 전류 인가수단, 및 읽기/쓰기수단을 포함하되, 상기 자성트랙은 경자성(hard magnetic) 트랙을 포함하고, 상기 경자성트랙은 그의 폭방향과 평행한 자화 용이축(magnetization easy axis)을 갖는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120137053A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: PURPOSE: A graphene electronic device having a multi-layered gate insulating layer is provided to improve electrical characteristics of a grapheme by forming a gate insulating layer of a double layer between a graphene channel layer and a gate electrode. CONSTITUTION: A conductive substrate serves as a gate electrode. A gate insulating layer(120) is arranged on the substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate insulating layer. A source electrode(141) and a drain electrode(142) are arranged on both ends of the graphene channel layer. The gate insulating layer comprises and inorganic material insulating layer and an organic compound insulating layer on the inorganic material insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件，以通过在石墨烯通道层和栅电极之间形成双层栅极绝缘层来改善图形的电特性。 构成：导电衬底用作栅电极。 栅极绝缘层（120）布置在衬底上。 在栅极绝缘层上形成石墨烯沟道层（130）。 源极电极（141）和漏电极（142）布置在石墨烯通道层的两端。 栅绝缘层包括无机材料绝缘层和无机材料绝缘层上的有机化合物绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020120114586A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110032192
申请日：2011-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: PURPOSE: A graphene electric element and a manufacturing method are provided to prevent the damage of graphene when eliminating a photosensitive pattern by preventing the photosensitive pattern to be directly touched with a graphene layer. CONSTITUTION: A conductive substrate is used as a gate electrode. A gate oxide(112) is arranged on the substrate. A pair of first metals is separated on the gate oxide. A graphene channel layer(130) is extended between the pair of first metals. The graphene channel layer is composed of graphene of a single layer or a bi-layer. A source electrode(142) and a drain electrode are respectively arranged on both ends of the graphene channel layer. The source electrode and the drain electrode are composed of Au. The thickness of the source electrode and the drain electrode is 10nm to 1000nm.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯电元件和制造方法，以通过防止光刻图案与石墨烯层直接接触来消除感光图案，从而防止石墨烯的损伤。 构成：导电性基板用作栅电极。 栅极氧化物（112）布置在衬底上。 一对第一金属在栅极氧化物上分离。 石墨烯通道层（130）在一对第一金属之间延伸。 石墨烯通道层由单层或双层的石墨烯组成。 源极电极（142）和漏电极分别设置在石墨烯通道层的两端。 源极和漏极由Au构成。 源电极和漏电极的厚度为10nm〜1000nm。
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公开(公告)号：KR1020120023327A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020100086182
申请日：2010-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: An oscillator and an operation method thereof are provided to make high output power using the phenomenon of spin transport torque. CONSTITUTION: A pinned layer(P1) is formed on the first side of a free layer(F1). A base layer(R1) is formed on the second side of the free layer. The base layer can have a magnetization direction which is unparallel to the magnetization direction of the pinned layer. The first separation layer(S1) can be formed between the free layer and the pinned layer. The second parting layer(S2) can be formed between the free layer and the base layer. The magnetization direction of the free layer is changeable. The free layer can be formed of ferromagnetic materials. The ferromagnetic material comprises at least one among Co, Fe, and Ni.
Abstract translation: 目的：提供振荡器及其操作方法，以使用自旋输送转矩现象来产生高输出功率。 构成：在自由层（F1）的第一面上形成钉扎层（P1）。 基层（R1）形成在自由层的第二面上。 基层可以具有与被钉扎层的磁化方向不平行的磁化方向。 第一分离层（S1）可以形成在自由层和被钉扎层之间。 第二分离层（S2）可以形成在自由层和基层之间。 自由层的磁化方向是可变的。 自由层可以由铁磁材料形成。 铁磁材料包括Co，Fe和Ni中的至少一种。
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公开(公告)号：KR101051704B1
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020040029675
申请日：2004-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본 발명은 저항 구배를 지닌 다층막을 이용한 메모리 소자에 관한 것이다. 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 저항 구배를 지닌 데이타 저장층; 및 상기 데이타 저장층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 저항 구배를 지닌 다층막을 이용한 메모리 소자를 제공하여, 집적도가 높으며, 고속의 동작 특성을 지니고, 저전력에서 구동 가능한 새로운 형태의 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 提供了使用具有渐变电阻变化的多层的存储器件。 存储器件包括：下电极; 数据存储层位于下电极上并具有渐变电阻变化; 以及位于数据存储层上的上电极。
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公开(公告)号：KR1020110071702A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128333
申请日：2009-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/39 , H01L21/027 , H01L27/115 , H01L43/08
CPC classification number: G11B5/3903 , B32B9/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , H01F10/005 , H01F10/325 , H01F41/306 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/31678 , C01B32/182
Abstract: PURPOSE: A spin valve device using grapheme, a manufacturing method there, and a magnetic device including the spin valve device are provided to reduce electrical resistance with a very thin grapheme sheet or h-BN between a pinned layer and a free layer. CONSTITUTION: A spin valve device comprises a lower magnetic layer(LM1), an intermediate layer(60), and an upper magnetic layer(UM1). The lower magnetic layer successively comprises a seed layer(30), a pinning layer(40), and a pinned layer(50). The intermediate layer may be a graphene sheet or an h-BN(hexagonal Boron Nitride) sheet. The magnetization direction of the pinned layer is fixed to a given direction. The magnetization direction of a free layer(70) is freely changed by external magnetism or a spin polarization current.
Abstract translation: 目的：提供一种使用该方法的旋转阀装置及其制造方法以及包括该自旋阀装置的磁性装置，以便在被钉扎层和自由层之间用非常薄的刻字片或h-BN来降低电阻。 构成：自旋阀装置包括下磁层（LM1），中间层（60）和上磁层（UM1）。 下磁层依次包括种子层（30），钉扎层（40）和钉扎层（50）。 中间层可以是石墨烯片或h-BN（六方氮化硼）片。 钉扎层的磁化方向固定在给定的方向。 自由层（70）的磁化方向由外部磁力或自旋极化电流自由变化。
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