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公开(公告)号：KR101813179B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: 복층의게이트절연층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는그래핀채널층과게이트전극사이에유기물절연층과무기물절연층으로이루어진복층의게이트절연층을구비한다. 유기물절연층은그래핀채널층에불순물이흡착하는것을억제하여그래핀채널층의고유특성을유지한다.
Abstract translation: 公开了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。 所公开的石墨烯电子器件具有由石墨烯沟道层和栅电极之间的有机绝缘层和无机绝缘层构成的多层栅极绝缘层。 有机绝缘层抑制杂质向石墨烯沟道层的吸附，由此保持石墨烯沟道层的固有特性。
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公开(公告)号：KR1020120137053A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: PURPOSE: A graphene electronic device having a multi-layered gate insulating layer is provided to improve electrical characteristics of a grapheme by forming a gate insulating layer of a double layer between a graphene channel layer and a gate electrode. CONSTITUTION: A conductive substrate serves as a gate electrode. A gate insulating layer(120) is arranged on the substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate insulating layer. A source electrode(141) and a drain electrode(142) are arranged on both ends of the graphene channel layer. The gate insulating layer comprises and inorganic material insulating layer and an organic compound insulating layer on the inorganic material insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件，以通过在石墨烯通道层和栅电极之间形成双层栅极绝缘层来改善图形的电特性。 构成：导电衬底用作栅电极。 栅极绝缘层（120）布置在衬底上。 在栅极绝缘层上形成石墨烯沟道层（130）。 源极电极（141）和漏电极（142）布置在石墨烯通道层的两端。 栅绝缘层包括无机材料绝缘层和无机材料绝缘层上的有机化合物绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020170037444A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150137086
申请日：2015-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/16 , H01L29/66 , H01L21/3205 , H01L29/06
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L23/485 , H01L23/5283
Abstract: 연결구조체및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된연결구조체는, 비금속성물질층과, 금속층과, 비금속성물질층및 금속층을연결하도록비금속성물질층과금속층사이에형성되는그래핀층을포함한다. 비금속성물질층및 금속층중 어느하나와그래핀층사이에는계면결합을형성하며금속물질을포함하는제1접합층이삽입된다.
Abstract translation: 公开了一种连接结构和使用该连接结构的电子设备。 所公开的连接结构包括非金属材料层，金属层以及形成在非金属材料层和金属层之间以连接非金属材料层和金属层的石墨烯层。 包括金属材料的第一结合层插入在石墨烯层和非金属材料层之间以及石墨烯层和非金属材料层之间。
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公开(公告)号：KR1020150056372A
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：KR1020130139321
申请日：2013-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66977 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/66015
Abstract: 분리된정션컨택을갖는그래핀소자및 그제조방법이개시된다. 개시된실시예에따른그래핀소자는그래핀을채널로서사용하는전계효과트랜지스터로서, 소스전극및 드레인전극이그래핀채널과직접접촉하지않고, 반도체를도핑하여형성된정션컨택이그래핀채널과소스전극사이및 그래핀채널과드레인전극사이에각각분리되어배치되어있다. 따라서, 게이트전극에전압이인가되지않은오프시에는그래핀채널과정션컨택사이의장벽으로인해캐리어가이동할수 없다. 그결과, 개시된실시예에따른그래핀소자는낮은오프시전류를가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种石墨烯装置，其包括分离的接合点及其制造方法。 根据本发明的实施例公开的石墨烯装置是使用石墨烯作为通道的场效应晶体管。 源电极和漏电极不与石墨烯通道直接接触。 通过掺杂半导体形成的结接点分别布置在石墨烯通道和源电极之间以及石墨烯通道和漏电极之间。 因此，在没有向栅电极施加电压的断开状态下，载体不被石墨烯通道和结接点之间的阻挡层移动。 结果，根据本发明的实施例的所公开的石墨烯装置具有处于低关闭状态的电流。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101920724B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020120143825
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/1087 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/458 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78618
Abstract: 전자소자가개시된다. 개시된전자소자는, 반도체층과, 반도체층의소정영역에직접적으로컨택되는그래핀과, 그래핀상에형성되는금속층을포함하며, 반도체층은전체적으로도핑농도가일정하거나, 소정영역이 10cm이하의도핑농도를가지도록마련된다.
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公开(公告)号：KR101910976B1
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：KR1020120077368
申请日：2012-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/1095 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 본개시는그래핀채널층을포함하는고성능전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면기판과, 상기기판상에마련되며슬릿을구비하고있는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층에전압을인가하기위해마련되며서로이격되어형성되는소스전극과드레인전극과, 상기그래핀채널층에전계를형성하기위해마련되는게이트전극및 상기그래핀채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101813186B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160162297
申请日：2016-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/7015 , G03F7/70883
Abstract: 포토마스크용펠리클과이를포함하는레티클및 리소그래피용노광장치에관해개시되어있다. 개시된포토마스크용펠리클은펠리클멤브레인을포함할수 있고, 상기펠리클멤브레인은나노결정질그래핀(nanocrystalline graphene)을포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀은결함을가질수 있다. 상기나노결정질그래핀은나노스케일의복수의결정립을포함할수 있고, 상기복수의결정립은방향족고리구조를갖는이차원탄소구조체를포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀의결함은 sp3 탄소원자, 산소원자, 질소원자및 탄소공공중 적어도하나를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于光掩模的防护薄膜组件，包括该防护薄膜组件的光罩以及用于光刻的曝光设备。 所公开的用于光掩模的薄膜可以包括薄膜，并且薄膜可以包括纳米晶体石墨烯。 纳米晶体石墨烯可能有缺陷。 纳米晶体石墨烯可以包括多个纳米尺度的晶粒，并且所述多个晶粒可以包括具有芳香环结构的尺寸碳结构。 纳米晶体石墨烯的缺陷可以包括sp 3碳原子，氧原子，氮原子和碳空位中的至少一个。
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公开(公告)号：KR1020140102990A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130016595
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938 , H01L21/28282 , H01L29/517 , H01L29/66833
Abstract: Disclosed are a graphene memory using a graphene layer as a charge-trap layer and a method of operating the same. The graphene memory includes a source and a drain spaced apart from each other on a conductive semiconductor substrate; a graphene layer which comes into contact with the conductive semiconductor substrate and is spaced apart from the source and the drain on the substrate between the source and the drain; and a gate electrode formed on the graphene layer. A Schottky barrier is formed between the conductive semiconductor substrate and the graphene layer such that the graphene layer stores charges.
Abstract translation: 公开了使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器及其操作方法。 石墨烯存储器包括在导电半导体衬底上彼此间隔开的源极和漏极; 石墨烯层，其与导电半导体衬底接触并且与源极和漏极之间的衬底上的源极和漏极间隔开; 以及形成在石墨烯层上的栅电极。 在导电半导体衬底和石墨烯层之间形成肖特基势垒，使得石墨烯层存储电荷。
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