公开(公告)号：KR1020000020611A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980039281

申请日：1998-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심광보 ,  박재현 ,  이재봉 ,  서정근

IPC: H01L21/321

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor device is provided to minimize the generation of particles due to residue of polishing liquid, and to simplify the process by eliminating post treatment process. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor device comprises a step of forming an insulation film(34), a step of simultaneously forming a contact hole(36), a pattern(38), an align mark(40) and an overlay mark(42), a step of forming a metal film(44), a step of forming a sacrifice film(52) on the metal film, and a step of performing CMP(chemical mechanical polishing) process to the metal.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以最小化由抛光液残留物引起的颗粒的产生，并且通过消除后处理工艺来简化工艺。 构成：半导体器件的制造方法包括形成绝缘膜（34）的步骤，同时形成接触孔（36），图案（38），对准标记（40）和覆盖标记（42）的步骤 ），形成金属膜（44）的步骤，在金属膜上形成牺牲膜（52）的工序以及对金属进行CMP（化学机械研磨）工序的工序。

公开(公告)号：KR1019980077083A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970014052

申请日：1997-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정근

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제조설비에 공급되는 각각의 공정요소를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서, 상기 공정요소를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트까지로 공급함을 특징으로 한다.
따라서, 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비의 관리의 효율성이 향상되고, 또한 제조공정에서의 불량이 제거되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100463910B1

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1019970014052

申请日：1997-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정근

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제조설비에 공급되는 각각의 공정요소를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서, 상기 공정요소를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트까지로 공급함을 특징으로 한다.
따라서, 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비의 관리의 효율성이 향상되고, 또한 제조공정에서의 불량이 제거되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100481080B1

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1019980035402

申请日：1998-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정근

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 챔버 본체와 챔버라이너의 정확하고 통일된 조립을 위한 챔버 본체와 챔버라이너의 정렬방법에 대한 것이다.
본 발명에 따른 챔버라이너 정렬방법은, 챔버본체와 챔버라이너의 소정의 지점에 각각 양각, 음각으로 이루어진 결합부를 형성하거나 상기 챔버본체와 상기 챔버라이너의 테두리의 소정의 지점에 정렬기준점을 형성하여 상기 챔버라이너를 상기챔버 본체에 정렬시킨다.
따라서, 챔버본체와 라이너를 조립함에 있어 라이너의 유동 및 스크래치를 방지하여 통일되고 일관된 정렬이 가능하므로 불량 웨이퍼 발생과 챔버의 수명단축을 피할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010046792A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990050696

申请日：1999-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성모 ,  정연해 ,  서정근

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a self-aligned contact hole of a semiconductor device is provided with a higher etch selectivity. CONSTITUTION: In the method, after a gate electrode(43) having a polysilicon layer(38), a tungsten silicide(40) and a silicon nitride layer(42) are formed on a semiconductor substrate(30), a spacer(44) is formed from undoped silicate glass(USG) on a sidewall of the gate electrode(43). An interlayer dielectric layer(45) is then formed over the substrate(30) and etched by using an etching gas in which an etch selectivity of the interlayer dielectric layer(45) to the spacer(44) is 15:1 or more. The interlayer dielectric layer(45) is formed from borophospho silicate glass(BPSG) or phospho silicate glass(PSG). The etching gas is preferably composed of C5F8, CH2F2, O2 and Ar, which are mixed with a flow rate of 2:1:2:50.

Abstract translation: 目的：形成半导体器件的自对准接触孔的方法具有更高的蚀刻选择性。 构成：在该方法中，在具有多晶硅层（38）的栅电极（43）之后，在半导体基板（30）上形成硅化钨（40）和氮化硅层（42），间隔物（44） 在栅电极（43）的侧壁上由未掺杂的硅酸盐玻璃（USG）形成。 然后在衬底（30）上形成层间介质层（45），并通过使用其中层间绝缘层（45）对间隔物（44）的蚀刻选择性为15:1或更大的蚀刻气体进行蚀刻。 层间介质层（45）由硼磷硅酸盐玻璃（BPSG）或磷酸硅玻璃（PSG）形成。 蚀刻气体优选由C5F8，CH2F2，O2和Ar组成，其以2:1:2:50的流量混合。

公开(公告)号：KR1020010017558A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990033139

申请日：1999-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심광보 ,  고동환 ,  서정근 ,  이영우

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a contact between devices is provided to eliminate an isolating problem caused by misalignment of a contact plug, by forming a contact pad while forming a bit line. CONSTITUTION: The first insulating layer(212) is deposited on a semiconductor substrate having the first contact pad(210). The first insulating layer is etched to expose the first contact pad, and the first contact hole is formed. The first conductive layer(216) is formed on the first insulating layer to fill the first contact hole. The second conductive layer(218) is deposited on the first conductive layer. The second and first conductive layers are etched to expose the first insulating layer through a photo process, and a bit line(220) and the second contact pad(222) are formed. The second insulating layer(224) is deposited on the entire substrate. The second insulating layer is etched to expose an upper surface of the second contact pad, and the second contact hole is formed. The third conductive layer(228) is deposited on the second insulating layer to fill the second contact hole.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造器件之间的接触的方法，以通过在形成位线的同时形成接触焊盘来消除由接触插塞的未对准引起的隔离问题。 构成：第一绝缘层（212）沉积在具有第一接触焊盘（210）的半导体衬底上。 蚀刻第一绝缘层以露出第一接触焊盘，并且形成第一接触孔。 第一导电层（216）形成在第一绝缘层上以填充第一接触孔。 第二导电层（218）沉积在第一导电层上。 蚀刻第二和第一导电层以通过光刻工艺暴露第一绝缘层，并且形成位线（220）和第二接触焊盘（222）。 第二绝缘层（224）沉积在整个基板上。 蚀刻第二绝缘层以暴露第二接触焊盘的上表面，并且形成第二接触孔。 第三导电层（228）沉积在第二绝缘层上以填充第二接触孔。

公开(公告)号：KR1020000021053A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980039974

申请日：1998-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재봉 ,  서정근 ,  이현철 ,  정민제

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method of forming a metal wiring of a semiconductor device is provided to prevent a by-product from being generated when a contact hole is formed, and to prevent the corrosion of an aluminum film when the aluminum film is exposed in the atmosphere. CONSTITUTION: A barrier layer(102), an aluminum layer(104), and a capping layer(106) are in order formed in a first inter layer insulated film(100). The barrier layer is made of one selected from a Ti film or a Ti/TiN, and the capping layer is made of TiN film. A tungsten layer(108) is formed on the capping layer as a meal film. The tungsten film has a thin thickness relative to that of the aluminum film. A photoresist film pattern(110) is formed on the tungsten film. The tungsten film is etched by using the pattern as a mask.

Abstract translation: 目的：提供一种形成半导体器件的金属布线的方法，以防止在形成接触孔时副产物产生，并且防止当铝膜暴露于大气中时铝膜的腐蚀。 构成：在第一层间绝缘膜（100）中依次形成阻挡层（102），铝层（104）和覆盖层（106）。 阻挡层由选自Ti膜或Ti / TiN中的一种制成，并且覆盖层由TiN膜制成。 在覆盖层上形成作为餐膜的钨层（108）。 钨膜相对于铝膜的厚度薄。 光致抗蚀剂膜图案（110）形成在钨膜上。 通过使用图案作为掩模来蚀刻钨膜。

公开(公告)号：KR1020000001936A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022423

申请日：1998-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 석종욱 ,  서정근 ,  김한성 ,  김성환

IPC: H01L21/3205

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal film is provided to minimize a difference of the steps of insulating films forming contact holes for preventing an inferiority from being generated while forming the metal film and for improving a reliability of a semiconductor element. CONSTITUTION: A method for forming a metal film of a semiconductor element comprises: forming an insulating film(32) on a semiconductor substrate(30); eliminating the insulating film for forming a contact hole; forming a first metal film(34) on the insulating film of the semiconductor substrate including the contact hole; etching back the first metal film; etching back the insulating film for exposing the upper unit of the first metal film on the surface of the insulating film; and forming a second metal film on the insulating film of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属膜的方法，以最小化形成接触孔的绝缘膜的步骤的差异，以防止在形成金属膜的同时产生劣化并提高半导体元件的可靠性。 构成：用于形成半导体元件的金属膜的方法包括：在半导体衬底（30）上形成绝缘膜（32）; 消除用于形成接触孔的绝缘膜; 在包括所述接触孔的所述半导体衬底的绝缘膜上形成第一金属膜（34）; 蚀刻第一金属膜; 蚀刻绝缘膜，以使第一金属膜的上部单元暴露在绝缘膜的表面上; 以及在所述半导体衬底的绝缘膜上形成第二金属膜。

公开(公告)号：KR1019990012645A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019970036121

申请日：1997-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정근

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은, 반도체장치의 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은 플루오로포름 및 테트라플루오로카본 등을 포함하는 식각가스를 이용하여 소정의 영역의 비피에스지막을 제거하는 반도체장치의 식각방법에 있어서, 상기 플루오로포롬 및 테트라플루오로카본의 혼합비율이 백분율을 기준으로 40 : 60 이하로 혼합되는 식각가스를 이용하여 공정을 수행함을 특징으로 한다.
본 발명은 플루오로포름 및 산소 등을 포함하는 식각가스를 이용하여 소정의 영역의 비피에스지막을 제거하는 반도체장치의 식각방법에 있어서, 상기 플루오로포름 및 산소의 혼합비율이 백분율을 기준으로 85 : 15 이하로 혼합되는 식각가스를 이용하여 공정을 수행함을 특징으로 한다.
따라서, 식각공정의 수행시 폴리머의 발생을 억제시키고, 또한 적절하게 제거시킴으로써 상기 폴리머로 인한 불량의 발생이 최소화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010078555A

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：KR1020000005902

申请日：2000-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정근

IPC: H01L21/30

Abstract: PURPOSE: A structure of downscaled surface wave plasma equipment is provided to maximize the use of a space, by rearranging constitutional factors protruded in a lateral direction and in a rear direction. CONSTITUTION: A pump(220) is transferred to be installed in a vacuum chamber. A VAT valve(210) is transferred to the center by the transferred and installed pump. A micro power generator is transferred to be installed in a position higher than the vacuum chamber. The micro power generator and the vacuum chamber are connected with a waveguide.

Abstract translation: 目的：提供一种缩小表面波等离子体设备的结构，通过重新排列在横向和后方突出的结构因素来最大限度地利用空间。 构成：将泵（220）转移到真空室中。 增值税阀门（210）由转移和安装的泵转移到中心。 微型发电机被转移到高于真空室的位置。 微型发电机和真空室与波导连接。