公开(公告)号：KR102237713B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020140159782A

申请日：2014-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백강현 ,  송관재 ,  전종성

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법에서, 기판 상에 소자 분리막 패턴을 형성하여, 소자 분리막 패턴으로부터 상부로 돌출된 액티브 핀을 형성한다. 액티브 핀 및 소자 분리막 패턴 상에 더미 게이트 막 구조물 및 마스크 막을 순차적으로 형성한다. 마스크 막을 패터닝하여 각각이 제1 방향으로 연장되는 복수 개의 마스크들을 형성한다. 각 마스크들의 양 측벽에 스페이서들을 형성한다. 스페이서들 사이에 더미 게이트 마스크를 형성한다. 더미 게이트 마스크를 식각 마스크로 사용하여 더미 게이트 막 구조물을 패터닝함으로써, 각각이 제1 방향으로 연장되는 복수 개의 더미 게이트 구조물들을 형성한다. 더미 게이트 구조물들을 게이트 구조물들로 각각 치환한다. 마스크 막을 패터닝하여 마스크들을 형성할 때, 제1 방향으로 각각 연장되는 마스크들의 최초 레이아웃을 설계한다. 최초 레이아웃의 일정 영역에 마커를 사용하여 제1 방향에 실질적으로 수직한 제2 방향으로 오프셋 바이어스를 부여함으로써, 각각이 제1 방향을 따라 제2 방향으로의 폭이 변동하도록 마스크들의 최종 레이아웃을 설계한다. 마스크들의 최종 레이아웃에 따라 마스크 막을 패터닝함으로써, 각 마스크들의 제2 방향으로의 폭이 제1 방향을 따라 변동하도록 형성한다.

公开(公告)号：KR1020150097305A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020140018652

申请日：2014-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송관재

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7834

Abstract: 게이트 라스트 공정을 이용하여 필드 효과 트랜지스터를 제조하는 방법은 엘리베이티드 소스와 엘리베이티드 드레인의 사이에 형성되고, 메탈 게이트를 둘러싸고 있는 높은-k 유전체를 포함하는 상기 필드 효과 트랜지스터를 제공하는 단계와, 상기 엘리베이티드 소스의 상부 표면까지 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 CMP 공정에 따라, 상기 메탈 게이트의 높이는 상기 엘리베이티드 소스의 높이보다 작아진다.

Abstract translation: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，该场效应晶体管能够降低在使用高k电介质和金属栅极的栅极最后工艺中产生的超高寄生电容分量。 使用栅极最后工艺制造场效应晶体管的方法包括以下步骤：提供场效应晶体管，其包括形成在升高的源极和升高的漏极之间的高k电介质，以围绕金属栅极; 以及通过升高的源的顶表面进行化学机械平坦化（CMP）工艺，其中由于CMP工艺，金属栅极的高度比升高的源的高度短。

公开(公告)号：KR102237713B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020140159782

申请日：2014-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백강현 ,  송관재 ,  전종성

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체장치의제조방법에서, 기판상에소자분리막패턴을형성하여, 소자분리막패턴으로부터상부로돌출된액티브핀을형성한다. 액티브핀 및소자분리막패턴상에더미게이트막 구조물및 마스크막을순차적으로형성한다. 마스크막을패터닝하여각각이제1 방향으로연장되는복수개의마스크들을형성한다. 각마스크들의양 측벽에스페이서들을형성한다. 스페이서들사이에더미게이트마스크를형성한다. 더미게이트마스크를식각마스크로사용하여더미게이트막 구조물을패터닝함으로써, 각각이제1 방향으로연장되는복수개의더미게이트구조물들을형성한다. 더미게이트구조물들을게이트구조물들로각각치환한다. 마스크막을패터닝하여마스크들을형성할때, 제1 방향으로각각연장되는마스크들의최초레이아웃을설계한다. 최초레이아웃의일정영역에마커를사용하여제1 방향에실질적으로수직한제2 방향으로오프셋바이어스를부여함으로써, 각각이제1 방향을따라제2 방향으로의폭이변동하도록마스크들의최종레이아웃을설계한다. 마스크들의최종레이아웃에따라마스크막을패터닝함으로써, 각마스크들의제2 방향으로의폭이제1 방향을따라변동하도록형성한다.

公开(公告)号：KR1020170094965A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020160016349

申请日：2016-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송관재 ,  유재현 ,  이인학 ,  장성훈 ,  김영목 ,  박명규

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/266 ,  H01L21/308 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7833

Abstract: 높은동작전압을안정적으로제공할수 있는반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른반도체소자는, 채널영역이형성되는활성영역을가지는기판, 활성영역의상면을덮는게이트절연막, 활성영역의상면상에서게이트절연막을덮는게이트전극, 기판의상면과이격되도록게이트전극의하측에서활성영역의채널영역내에배치되는매립절연패턴, 기판의상면으로부터매립절연패턴보다낮은레벨까지연장되도록매립절연패턴의양측의기판에형성되는한쌍의소스/드레인영역을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种能够稳定提供高工作电压的半导体器件及其制造方法。 根据本发明的半导体器件包括：衬底，具有其中形成沟道区的有源区;覆盖有源区的上表面的栅绝缘膜;覆盖有源区的上表面上的栅绝缘膜的栅电极; 以及形成在掩埋绝缘图案的两侧上的一对源极/漏极区域，以便从衬底的顶表面延伸到低于掩埋绝缘图案的水平。

公开(公告)号：KR102200928B1

公开(公告)日：2021-01-11

申请号：KR1020140018652

申请日：2014-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송관재

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 게이트라스트공정을이용하여필드효과트랜지스터를제조하는방법은엘리베이티드소스와엘리베이티드드레인의사이에형성되고, 메탈게이트를둘러싸고있는높은-k 유전체를포함하는상기필드효과트랜지스터를제공하는단계와, 상기엘리베이티드소스의상부표면까지화학적기계적연마(CMP) 공정을수행하는단계를포함하고, 상기 CMP 공정에따라, 상기메탈게이트의높이는상기엘리베이티드소스의높이보다작아진다.

公开(公告)号：KR1020160058404A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：KR1020140159782

申请日：2014-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백강현 ,  송관재 ,  전종성

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L21/0274

Abstract: 반도체장치의제조방법에서, 기판상에소자분리막패턴을형성하여, 소자분리막패턴으로부터상부로돌출된액티브핀을형성한다. 액티브핀 및소자분리막패턴상에더미게이트막 구조물및 마스크막을순차적으로형성한다. 마스크막을패터닝하여각각이제1 방향으로연장되는복수개의마스크들을형성한다. 각마스크들의양 측벽에스페이서들을형성한다. 스페이서들사이에더미게이트마스크를형성한다. 더미게이트마스크를식각마스크로사용하여더미게이트막 구조물을패터닝함으로써, 각각이제1 방향으로연장되는복수개의더미게이트구조물들을형성한다. 더미게이트구조물들을게이트구조물들로각각치환한다. 마스크막을패터닝하여마스크들을형성할때, 제1 방향으로각각연장되는마스크들의최초레이아웃을설계한다. 최초레이아웃의일정영역에마커를사용하여제1 방향에실질적으로수직한제2 방향으로오프셋바이어스를부여함으로써, 각각이제1 방향을따라제2 방향으로의폭이변동하도록마스크들의최종레이아웃을설계한다. 마스크들의최종레이아웃에따라마스크막을패터닝함으로써, 각마스크들의제2 방향으로의폭이제1 방향을따라변동하도록형성한다.

Abstract translation: 根据半导体器件的制造方法，在基板上形成隔离层图案，以形成从隔离层图案向上突出的活性销。 在有源引脚和隔离层图案上依次形成伪栅极层结构和掩模层。 通过图案化掩模层，形成分别沿第一方向延伸的多个掩模。 在每个掩模的两个侧壁上形成间隔物。 在间隔件之间形成虚拟栅极掩模。 通过使用伪栅极掩模来构图伪栅极层结构作为蚀刻掩模，形成分别沿第一方向延伸的多个虚拟栅极结构。 虚拟栅极结构分别由栅极结构代替。 当通过对掩模层进行构图来形成掩模时，设计了沿着第一方向单独延伸的掩模的初始布局。 在初始布局的预定区域基本上垂直于第一方向的第二方向上使用标记来设计偏移偏置，以设计掩模的最终布局，每个具有沿第一方向变化的第二方向的宽度 。 根据掩模的最终布局对掩模层进行图案化以形成掩模，每个掩模具有沿着第一方向变化的第二方向的宽度。