中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

43 records (took 0.022 seconds)

    척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치
    1.
    发明公开
    척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 审中-实审
    卡盘台及其制造基板的装置

    公开(公告)号：KR1020170016547A

    公开(公告)日：2017-02-14

    申请号：KR1020150109517

    申请日：2015-08-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김두진 ,  김영식 ,  송근호 ,  하용대

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/345 ,  H01L21/68785

    Abstract: 본발명은척 테이블및 그를포함하는기판제조장치를개시한다. 그의테이블은, 진공홀을갖는베이스디스크와, 상기베이스디스크의상기진공홀 상에배치되는척 디스크를포함한다. 척디스크는복수개의제 1 섹터들과, 제 1 섹터들을연결하는제 1 연결부재를포함할수 있다.

    Abstract translation: 提供了一个卡盘台和一个包括该卡盘台的基板处理系统。 夹盘包括具有第一真空孔的基盘和设置在第一真空孔上的卡盘盘。 夹盘包括多个第一扇区和将第一扇区彼此连接的第一连接构件。

    리플로우 장치
    2.
    发明公开
    리플로우 장치 审中-实审
    回流装置

    公开(公告)号：KR1020170004503A

    公开(公告)日：2017-01-11

    申请号：KR1020150094936

    申请日：2015-07-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강태규 ,  성정훈 ,  송근호 ,  유주영

    IPC: H05K13/04 ,  H05K3/34

    CPC classification number: H01L24/742 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/087 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2924/3512

    Abstract: 상술한과제를해결하기위하여본 발명의기술적사상의일 실시예에의한리플로우장치는내부에형성된진공압을이용하여일면에위치한회로기판을지지하는캐리어; 및가열챔버및 냉각챔버를포함하는공정챔버를구비하고, 상기캐리어는일면에적어도 1개의흡착홀이형성되고, 내부에상기흡착홀과연통하는진공스페이스가형성되며, 상기진공스페이스외부와의통로를선택적으로개폐하여, 상기진공스페이스의진공압을유지또는파기할수 있는진공조절부를포함하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 回流装置包括通过使用其中产生的真空压力而支撑放置在其一侧的印刷电路板的载体，以及包括加热室和冷却室的处理室，其中载体包括形成在一个中的至少一个吸附孔 载体的一侧，连接到吸附孔的真空空间，以及真空控制单元，其能够通过选择性地打开和闭合将真空空间连接到外部的路径来维持或去除真空空间中的真空压力。

    이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
    3.
    发明授权
    이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 失效
    이미지센서소자웨이퍼소잉방법

    公开(公告)号：KR100451950B1

    公开(公告)日：2004-10-08

    申请号：KR1020020009879

    申请日：2002-02-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김대영 ,  송근호

    IPC: H01L21/78

    CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S438/976

    Abstract: A method for sawing a wafer having a large number of semiconductor devices, e.g., image sensor devices is provided. In one embodiment, a protective layer covers micro-lenses of the image sensor devices to protect the lenses from being damaged or polluted by, for example, silicon dust during wafer sawing. The silicon dust remaining in a gap between the devices is removed together with an adhesive tape on the backside surface of the wafer. Accordingly, the silicon dust cannot affect the micro-lenses during the wafer sawing process or subsequent die-attach, so that image defects caused by the silicon dust can be reduced and the yield of the image sensor devices is increased.

    Abstract translation: 提供了一种用于锯切具有大量半导体器件的晶片的方法，例如图像传感器器件。 在一个实施例中，保护层覆盖图像传感器装置的微透镜，以保护透镜在晶片锯切期间不被例如硅尘所损坏或污染。 残留在器件之间间隙中的硅尘与晶片背面上的胶带一起被除去。 因此，硅晶片在晶圆切割或随后的晶粒贴装时不会影响微透镜，因此可以减少由硅粉引起的图像缺陷，并且增加图像传感器装置的成品率。

    이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
    4.
    发明公开
    이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 失效
    用图像传感器装置扫描波形的方法

    公开(公告)号：KR1020030070361A

    公开(公告)日：2003-08-30

    申请号：KR1020020009879

    申请日：2002-02-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김대영 ,  송근호

    IPC: H01L21/78

    CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S438/976

    Abstract: PURPOSE: A method for sawing a wafer with an image sensor device is provided to prevent a black defect caused by silicon fragments generated in a wafer sawing process by preventing the silicon fragments from being attached to the surface of the wafer in a wafer sawing process or a die attach process. CONSTITUTION: The wafer including a plurality of image sensor devices including micro lenses is prepared. A passivation layer(25) covering the micro lenses is formed on the wafer(10). Tape(27) is attached to the rear surface of the wafer. A scribe line is cut to separate the wafer into unit image sensor devices. Tape(29) is attached to the front surface of the wafer. The tape on the rear surface of the wafer is eliminated. New tape is attached to the rear surface of the wafer. The tape attached to the front surface of the wafer is removed. The passivation layer is removed.

    Abstract translation: 目的：提供一种用图像传感器装置锯切晶片的方法，以防止在晶片锯切过程中通过防止硅碎片附着在晶片表面上而在晶片锯切工艺中产生的硅碎片引起的黑色缺陷，或 一个模具附着过程。 构成：制备包括多个包括微透镜的图像传感器装置的晶片。 在晶片（10）上形成覆盖微透镜的钝化层（25）。 胶带（27）附接到晶片的后表面。 切割划线以将晶片分离成单元图像传感器装置。 胶带（29）附着到晶片的前表面。 消除了晶片后表面上的胶带。 新胶带连接到晶片的后表面。 附着在晶片前表面的磁带被去除。 去除钝化层。

    엑시머 레이져를 이용한 웨이퍼 절단 방법
    5.
    发明公开
    엑시머 레이져를 이용한 웨이퍼 절단 방법 无效
    使用激光激光切割波形的方法

    公开(公告)号：KR1020020076774A

    公开(公告)日：2002-10-11

    申请号：KR1020010016886

    申请日：2001-03-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 송근호

    IPC: H01L21/78

    Abstract: PURPOSE: A method for cutting a wafer by using an Excimer laser is provided to prevent a thermal deformation effect of a wafer generated from a laser cutting process by using the Excimer laser cutting apparatus. CONSTITUTION: A wafer(2) on which a fine circuit is formed is prepared. The wafer is loaded on a table(1) of an Excimer laser cutting apparatus. The wafer is divided into a plurality of semiconductor chips by radiating an Excimer laser on a whole surface. The Excimer laser is formed in a body(10b) of the Excimer laser cutting apparatus. The Excimer laser is controlled to the Excimer laser of a predetermined spot size by an Excimer layer beam generation portion(10a). The controlled Excimer laser is radiated to the wafer(2). The wafer(1) is cut along a scribe line of the wafer(1) by shifting the table(1) to an X-axis or a Y-axis.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用准分子激光切割晶片的方法，以通过使用准分子激光切割装置来防止由激光切割工艺产生的晶片的热变形效应。 构成：准备形成微细电路的晶片（2）。 将晶片装载在准分子激光切割装置的工作台（1）上。 通过在整个表面上照射准分子激光器将晶片分成多个半导体芯片。 准分子激光器形成在准分子激光切割装置的主体（10b）中。 准分子激光器由准分子层光束产生部分（10a）控制到预定光斑尺寸的准分子激光器。 受控的准分子激光器被辐射到晶片（2）。 通过将工作台（1）移动到X轴或Y轴，沿着晶片（1）的划线切割晶片（1）。

    솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법
    6.
    发明公开
    솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 无效
    镀锡引线框架及使用其制造半导体芯片封装的方法

    公开(公告)号：KR1019990016048A

    公开(公告)日：1999-03-05

    申请号：KR1019970038470

    申请日：1997-08-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 송근호 ,  이해구 ,  성시찬

    IPC: H01L23/495

    Abstract: 본 발명은 솔더(solder)가 미리 리드 프레임에 도금된 선-도금 프레임(pre-plated frame; PPF)에 관한 것이다. 리드 프레임을 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 공정 중에서 디플래쉬 공정과 도금 공정을 없애기 위하여 종래에는 리드 프레임 제조 단계에서 미리 파라듐과 니켈이 도금된 리드 프레임이 사용되었으나, 이 파라듐/니켈 선-도금 리드 프레임은 구리 리드 프레임에만 적용이 가능하고 강도가 크기 때문에 크랙이 발생하거나 솔더 접합성이 떨어지는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 리드 프레임 제조시에 마스크를 사용하여 외부 리드 부위에만 솔더 도금층을 형성시킨 솔더 선-도금 리드 프레임을 제공한다. 본 발명에 따른 솔더 선-도금 리드 프레임은 패키지 제조 공정을 단축시킬 수 있고, 제조 단가를 절감할 수 있을 뿐 아니라, 철/니켈 리드 프레임에도 적용 가능하다. 특히, 솔더 접합성이 우수하며, 패키지 제조 공정을 인-라인화 할 수 있다는 장점이 있다.

    요철이 형성된 리드 프레임의 제조방법
    7.
    发明公开
    요철이 형성된 리드 프레임의 제조방법 失效
    制造具有不均匀性的引线框架的方法

    公开(公告)号：KR1019980076001A

    公开(公告)日：1998-11-16

    申请号：KR1019970012453

    申请日：1997-04-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 송근호 ,  성시찬

    IPC: H01L23/495

    Abstract: 본 발명은 딤플이 형성되어 있는 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 패키지와 그 리드 프레임을 제조하기 위한 방법을 제공하는 것에 관한 것으로서, 리드, 타이바 및 다이패드를 포함하는 리드 프레임 전체 표면에 딤플을 기계적으로 형성하는 방법을 제공하고 이를 이용한 신뢰성이 우수한 반도체 패키지를 제공하는 것에 관한 것이다. 즉, 리드 프레임의 전체 표면에 딤플 모양의 요철면을 형성하여 리드 프레임과 성형수지간의 접착력 향상 및 반도체 칩과 다이패드간의 접착력을 향상시켜 반도체 패키지의 박형화로 발생하는 박리현상을 제거하는 동시에 딤플을 리드 프레임 전체 표면에 형성하는 방법을 기계적 표면개질 처리 방법인 노즐을 통하여 고압 공기와 함께 메디아를 리드 프레임 표면에 충돌시킴으로서 딤플을 형성하는 방법을 제공하여 저가로 대량 생산이 가능한 이점을 제공하는데 있다.

    타이바와 연결된 부분이 돌출된 리드 프레임
    8.
    发明公开
    타이바와 연결된 부분이 돌출된 리드 프레임 无效
    带突出部分的引线框架连接到连杆

    公开(公告)号：KR1019970053728A

    公开(公告)日：1997-07-31

    申请号：KR1019950068112

    申请日：1995-12-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 황기연 ,  이용진 ,  송근호

    IPC: H01L23/48

    Abstract: 본 발명은 타이바를 포함하는 리드 프레임에 있어서, 리드 프레임 패드의 대향하는 방향에 상기 타아바와의 연결된 리드 프레임 부분이 리드 프레임 패드 방향으로 돌출 되어 있는 것을 특징으로 하는 타이바와 연결된 부분이 돌출된 리드 프레임을 제공함으로써, 에폭시 짓눌림의 발생을 방지하여 각종 원자재의 투입과 작업공수를 감소시키고 원가 절감하는 효과를 나타낸다.

Patent Agency Ranking