公开(公告)号：KR1020010104013A

公开(公告)日：2001-11-24

申请号：KR1020000025375

申请日：2000-05-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송두근 ,  김치선

IPC: H01L21/336

Abstract: 벌크 펀치쓰루우를 억제할 수 있는 MOS 트랜지스터가 개시되어 있다. MOS 트랜지스터는 반도체 기판의 상부에 게이트 절연층을 개재하여 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극에 의해 서로 이격되어 기판의 표면에 형성된 소오스/드레인 영역, 그리고 소오스와 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역의 깊이 방향에 따라 기판과 같은 도전형의 불순물로 이루어지면서 기판보다 높은 도핑 농도를 갖는 두 개 이상의 불순물 영역들을 구비한다. 드레인의 공핍층이 확장되는 기판의 벌크 영역에 기판 농도보다 높은 도핑 농도를 갖는 불순물 영역을 형성함으로써, 벌크 펀치쓰루우 및 서브-스레쉬홀드 전류를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100485387B1

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：KR1020020074043

申请日：2002-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전충삼 ,  최선용 ,  송두근 ,  이동춘 ,  김태경 ,  채승원

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/3171

Abstract: 반도체 기판에 이온을 주입하기 위한 장치를 모니터링 하기 위한 방법과 이를 수행하기 위한 섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치가 개시되어 있다. 일차 이온 주입 공정을 수행하는 동안 섀도우 지그는 반도체 기판으로 공급되는 이온빔의 일부를 차단하여 반도체 기판 상에 제1섀도우를 형성한다. 반도체 기판을 기 설정된 회전각으로 회전시킨 후, 이차 이온 주입 공정을 수행하는 동안 섀도우 지그는 이온빔의 일부를 차단하여 반도체 기판 상에 제2섀도우 지그를 형성한다. 제1섀도우 영역의 열파동 값을 측정하고, 측정된 열파동 값을 기준 열파동 값과 비교함으로서 반도체 기판의 회전 여부를 용이하게 판단할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040082114A

公开(公告)日：2004-09-24

申请号：KR1020030016757

申请日：2003-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송두근

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L27/10894 ,  G11C11/401 ,  G11C29/006 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2029/5002 ,  H01J2237/31701 ,  H01L22/20

Abstract: PURPOSE: A method for testing ion implantation energy of an ion implantation apparatus is provided to confirm the ion implantation energy by measuring a boundary resistance between two wells. CONSTITUTION: The first well is formed on a semiconductor substrate. The first well is formed with the first conductive type ion implantation region. The second well corresponding to the first well is formed on the semiconductor substrate. The second well is formed by implanting the second conductive type ions of an energy condition different from the energy condition of the first conductive type ions. Ion implantation energy is tested by measuring a surface resistance of the semiconductor substrate according to an overlapping degree of the first and the second conductive type ions on a boundary region between the first and the second wells.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测试离子注入装置的离子注入能量的方法，以通过测量两个阱之间的边界电阻来确认离子注入能量。 构成：第一个阱形成在半导体衬底上。 第一阱由第一导电型离子注入区形成。 对应于第一阱的第二阱形成在半导体衬底上。 通过注入与第一导电型离子的能量条件不同的能量条件的第二导电型离子形成第二阱。 通过根据第一和第二阱之间的边界区域上的第一和第二导电类型离子的重叠程度来测量半导体衬底的表面电阻来测试离子注入能量。

公开(公告)号：KR1020030042930A

公开(公告)日：2003-06-02

申请号：KR1020010073807

申请日：2001-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이준호 ,  송두근

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A wafer including an RS(sheet of resistance) measuring region for inspecting an ion implantation process and a method for measuring RS are provided to inspect rapidly a state of a process and a processing error during the ion implantation process by forming the RS measuring region on the wafer. CONSTITUTION: A plurality of fine circuits(10) for semiconductor device are formed on a wafer. A plurality of scribe lines(20) are formed at an upper portion, a lower portion, a left portion, and a right portion of the fine circuits. A dummy region(30) is formed on an edge region of the wafer on which the fine circuits and the scribe lines are not formed. One or more RS measuring regions(40) have a wider area than an area which is contacted with probes of an RS measurer formed on the dummy region. The RS measuring region has a rectangular shape of 2mmx6mm in order to be contacted with all probes.

Abstract translation: 目的：提供包括用于检查离子注入工艺的RS（电阻片）测量区域和用于测量RS的方法的晶片，以通过形成RS测量来快速检查离子注入工艺期间的工艺状态和处理误差 晶圆上的区域。 构成：在晶片上形成多个用于半导体器件的精细电路（10）。 在精细电路的上部，下部，左部和右部形成有多个划线（20）。 在没有形成微细电路和划线的晶片的边缘区域上形成虚拟区域（30）。 一个或多个RS测量区域（40）具有比形成在虚拟区域上的RS测量器的探针接触的区域更宽的面积。 RS测量区域具有2mm×6mm的矩形形状，以便与所有探针接触。

公开(公告)号：KR100494439B1

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020030016757

申请日：2003-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송두근

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L27/10894 ,  G11C11/401 ,  G11C29/006 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2029/5002 ,  H01J2237/31701 ,  H01L22/20

Abstract: 본 발명은 반도체기판에 대한 원자 이온의 주입 깊이를 결정하는 이온주입설비의 이온주입 에너지 정도를 테스트하고, 다른 이온주입설비의 이온주입 에너지 정도를 검증하기 위한 이온주입설비의 이온주입 에너지 테스트방법에 관한 것으로서, 이에 대한 특징은, 이온주입설비의 이온주입 에너지 정도를 테스트하기 위한 방법에 있어서, 반도체기판에 제 1 도전형 이온주입 영역으로 이루어진 제 1 웰을 미리 형성하고, 상기 제 1 웰 영역에 대응하여 상기 제 1 도전형 이온과는 다른 원자가의 제 2 도전형 이온을 에너지 조건을 변경시켜 주입하여 제 2 웰을 만든 후, 상기 제 1, 2 웰의 경계 영역에서의 제 1, 2 도전형 이온들의 도우즈 중첩 정도에 따른 반도체기판의 면저항 값을 측정함에 의해 이온주입 에너지 정도를 테스트하는 것으로 이루어진다. 이에 따르면, 이온주입설비의 이온주입 에너지 정도를 서로 다른 원자가의 불순물 도핑으로 이루어진 적어도 두 개 이상의 웰 간의 경계 영역 저항 값으로 테스트하여 이를 통해 각 도핑 깊이를 확인하여 이온주입 에너지 정도를 확인할 수 있을 뿐 아니라 복수의 이온주입설비의 이온주입 에너지 정도를 검증할 수 있어 그에 따른 공정 불량을 방지하여 제조수율이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020030013104A

公开(公告)日：2003-02-14

申请号：KR1020010047433

申请日：2001-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성은 ,  송두근

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for sensing a wafer condition in semiconductor fabrication equipment are provided to reduce a processing time due to unnecessary processes by confirming a cause of damage of the wafer and a bad condition of an edge portion of the wafer. CONSTITUTION: A driving portion(R) is used for rotating a wafer(W) according to a predetermined control signal. The wafer(W) is rotated and positioned by the driving portion(R). A plurality of detection portions(12,14) generate a detection signal according to the predetermined control signals and detect a reflected signal. A controller is used for controlling operations of the driving portion(R) and the detection portions(12,14), receiving signal detected from the detection portions(12,14), and determining a wafer condition(W).

Abstract translation: 目的：提供一种用于感测半导体制造设备中的晶片状况的装置和方法，以通过确认晶片损坏的原因和晶片的边缘部分的不良状况，由于不必要的处理而减少处理时间。 构成：驱动部（R）用于根据预定的控制信号旋转晶片（W）。 晶片（W）由驱动部（R）旋转定位。 多个检测部分（12,14）根据预定的控制信号产生检测信号并检测反射信号。 控制器用于控制驱动部分（R）和检测部分（12,14）的操作，接收从检测部分（12,14）检测的信号，并确定晶片状态（W）。

公开(公告)号：KR1019980073614A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970008979

申请日：1997-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원주 ,  박현진 ,  송두근 ,  변보현

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 정확한 양의 도우즈를 측정할 수 있도록 하는 이온 주입 장치의 페러데이 시스템에 관한 것으로, 그 구성은 복수개의 웨이퍼가 얼라인된 디스크와, 상기 디스크와 연결되어, 소정의 그라운드 쉴드를 통해 주사되는 이온빔 입자의 양을 측정하는 도우즈 카운터를 포함하는 이온 주입 장치에 있어서, 공급되는 전류에 의해 자화되어 상기 웨이퍼와 상기 이온빔 입자의 충돌에 의해 발생되는 소정의 이차전자를 상기 웨이퍼의 원위치로 환원하는 전자기부와; 상기 전자기부의 일측에 형성되어, 상기 이차전자의 발생을 감지하는 감지부와; 상기 감지부에서 출력되는 소정의 감지신호를 입력받아 상기 전자기부에 상기 전류의 양을 조절하여 공급하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에서는 도우즈 카운터의 카운팅동작을 방해하는 이차전자의 발생이 효과적으로 억제된다.

公开(公告)号：KR100574357B1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：KR1020000025375

申请日：2000-05-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송두근 ,  김치선

IPC: H01L21/336

Abstract: 벌크 펀치쓰루우를 억제할 수 있는 MOS 트랜지스터가 개시되어 있다. MOS 트랜지스터는 반도체 기판의 상부에 게이트 절연층을 개재하여 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극에 의해 서로 이격되어 기판의 표면에 형성된 소오스/드레인 영역, 그리고 소오스와 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역의 깊이 방향에 따라 기판과 같은 도전형의 불순물로 이루어지면서 기판보다 높은 도핑 농도를 갖는 두 개 이상의 불순물 영역들을 구비한다. 드레인의 공핍층이 확장되는 기판의 벌크 영역에 기판 농도보다 높은 도핑 농도를 갖는 불순물 영역을 형성함으로써, 벌크 펀치쓰루우 및 서브-스레쉬홀드 전류를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100572325B1

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：KR1020030092634

申请日：2003-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  채승기 ,  홍형식 ,  차상엽 ,  한재현 ,  임태섭 ,  강현규 ,  윤길중 ,  송두근

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0044

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种离子注入装置以及使用该离子注入装置的离子注入方法。 本发明的所公开的离子注入装置，被牢固地固定到盘室，其包含一个旋转盘，并限定一个封闭的空间，电荷检测器来读取晶片表面的带电状态朝靠近晶片的表面将被安装在旋转圆盘 而且，其特征在于。 所公开的本发明的离子注入方法包括：产生阳离子; 向阳离子提供电子以中和阳离子; 将中和的颗粒注入安装在旋转盘上的晶片上; 感测晶片的表面电荷状态; 并且如果晶片的表面电荷状态由于检测而不是中性状态，则控制晶片的表面电荷状态为中性。 据此，电荷检测器不会被离子束沉积，并且可以防止由于离子束沉积而导致的噪声增加。 因此，具有提高信噪比的效果，确保离子注入的可靠性。

公开(公告)号：KR100505631B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1019990008084

申请日：1999-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현진 ,  송두근

IPC: H01L21/265

Abstract: 이온주입장치에 구비된 스필 오버 컵 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 스필 오버 컵은 제1 금속판, 상기 제1 금속판의 하단부에 체결되어 상기 하단부의 두께중 일부를 이루며 표면의 일부가 노출되어 있고 상기 제1 금속판과 분리될 수 있는 제1 슬라이스 판, 상기 제1 금속판의 배면에 부착되어 있되, 그 하단부의 일부가 돌출되어 있는 제2 금속판, 상기 제2 금속판의 상기 하단부의 돌출된 부분의 두께중 일부를 이루며 표면중 일부가 노출되어 있고 상기 제2 금속판과 분리될 수 있는 제2 슬라이스 판 및 상기 제1 금속판과 상기 제1 및 제2 슬라이스 판 상을 덮는 코팅막으로 이루어져 있다.