Abstract:
종점 검출 장치는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판에 대한 가공 공정을 수행하는 동안 상기 가공 공정을 모니터링하고 상기 가공 공정의 종점을 검출한다. 상기 장치는 상기 가공 공정을 수행하기 위한 공정 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트를 커버하며 상기 플라즈마로부터 발생된 광을 투과시키는 윈도우와, 상기 윈도우를 제1온도로 가열하기 위한 제1온도 조절 유닛과, 상기 윈도우를 통과한 광을 분석하기 위한 분석 유닛과, 냉매를 이용하여 상기 뷰포트의 내측면을 상기 제1온도보다 낮은 제2온도로 유지하기 위한 제2온도 조절 유닛을 포함한다. 따라서, 상기 가공 공정을 수행하는 동안 발생되는 반응 부산물들은 상기 윈도우의 표면보다는 상기 뷰포트의 내측면에 증착되므로 공정 모니터링 및 종점 검출이 안정적으로 수행될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having a rotating chuck is provided to improve uniformity of a wafer process by rotating a chuck for fixing a wafer. CONSTITUTION: A rotating chuck(10) is installed in an inside of a process chamber in order to fix and rotate a wafer(20). A rotation unit is installed in the inside of the process chamber in order to rotate the rotating chuck. The rotation unit includes a rotary shaft(30) and a rotary power device(40). The rotary shaft is connected to the rotating chuck. The rotary power device is connected to the rotary shaft in order to provide the rotary power. The rotation unit further includes a roller connected to the rotating chuck.
Abstract:
식각 중단점을 결정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 식각 중단 조건을 설정한 후, 플라즈마를 사용하여 기판 상에 형성된 박막을 식각하면서, 상기 식각 중단 조건이 만족될 때까지 상기 플라즈마의 광도를 소정의 시간을 주기로 반복하여 측정하는 단계를 포함한다. 이때, 측정된 광도에 대한 자료를 기준으로 교란 현상이 발생할 경우, 측정된 광도를 보정한다. 상기 식각 중단 조건이 만족되는지에 대한 판단은 보정된 광도를 기준으로 이루어진다.
Abstract:
본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having an anti-pollution device of an end-point detection window is provided to change traveling tracks of particles by forming magnetic field in an internal region of a process chamber adjacent to an end-point detection window. CONSTITUTION: A transparent end-point detection window(52) is used for observing plasma emission within a process chamber. An optical probe(60) is installed at an outer side of the transparent end-point detection window in order to converge the plasma emission. A magnetic generation unit(70) is installed at one side of the transparent end-point detection window in order to form magnetic field in an internal region of the process chamber adjacent to the transparent end-point detection window.
Abstract:
A method for detecting inflow of the outside air of a vacuum chamber is provided to measure performance of outside air blocking during processing by performing a light detection of gas existed in the vacuum chamber. Process gas is charged into a vacuum chamber(S10). Gas existed in the vacuum chamber is light-detected to measure intensity of a wavelength where the process gas and the outside air are included(S20,S30). A ratio of the outside air to the process gas is calculated based on the measured intensity of the wavelength(S40). Background level intensity of each wavelength where the process gas and the outside air are included is calculated by measuring intensity of a neighboring wavelength. Net wavelength intensity of each wavelength where the process gas and the outside air are included is calculated by subtracting the background level intensity therefrom. When the ratio is greater than a limited value, an alarm is sent out(S50,S60).
Abstract:
PURPOSE: A position perception apparatus of a wafer in semiconductor fabrication equipment and a controlling method using the same are provided to sense and correct an alignment error of a wafer by using a camera. CONSTITUTION: A chuck(38) is used for supporting a wafer which is inserted into an inside of a process chamber(30) by a robot. A camera(34) is used for photographing a loading state of the wafer on the chuck. A database includes image data related to a normal position of the wafer to a processing position. A controller is used for receiving an image signal from the camera, comparing the image signal of the camera with the image data of the database, and controlling each driving state of components according to the compared result.