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1.发明专利
公开(公告)号：KR102238544B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140174759A
申请日：2014-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: ESD 보호 장치는 반도체 기판, 제1 웰, 제2 웰, 제1 불순물 영역, 제2 불순물 영역, 제3 불순물 영역, 및 제4 불순물 영역을 포함한다. 제1 웰은 반도체 기판에 형성되고, 제1 도전형을 갖는다. 제2 웰은 반도체 기판에 제1 웰과 접하도록 형성되고, 제2 도전형을 갖는다. 제1 불순물 영역은 제1 웰에 형성되고, 제1 도전형을 갖는다. 제2 불순물 영역은 제1 웰에 제1 불순물 영역으로부터 제2 웰 방향으로 제1 불순물 영역과 이격되어 형성되고, 제2 도전형을 갖는다. 제3 불순물 영역은 제2 웰에 형성되고, 제2 도전형을 갖는다. 제4 불순물 영역은 제2 웰에 제3 불순물 영역으로부터 제1 웰 방향으로 제3 불순물 영역과 접하도록 형성되고, 제1 도전형을 갖는다. 제1 불순물 영역 및 제2 불순물 영역은 제1 전극 패드와 전기적으로 연결되고, 제3 불순물 영역은 제2 전극 패드와 전기적으로 연결되고, 제4 불순물 영역은 전기적으로 플로팅된다.
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公开(公告)号：KR1020160069166A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020140174759
申请日：2014-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/027 , H01L27/04 , H01L23/60 , Y10S257/906
Abstract: ESD 보호장치는반도체기판, 제1 웰, 제2 웰, 제1 불순물영역, 제2 불순물영역, 제3 불순물영역, 및제4 불순물영역을포함한다. 제1 웰은반도체기판에형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제2 웰은반도체기판에제1 웰과접하도록형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제1 불순물영역은제1 웰에형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제2 불순물영역은제1 웰에제1 불순물영역으로부터제2 웰방향으로제1 불순물영역과이격되어형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제3 불순물영역은제2 웰에형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제4 불순물영역은제2 웰에제3 불순물영역으로부터제1 웰방향으로제3 불순물영역과접하도록형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제1 불순물영역및 제2 불순물영역은제1 전극패드와전기적으로연결되고, 제3 불순물영역은제2 전극패드와전기적으로연결되고, 제4 불순물영역은전기적으로플로팅된다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有高保持电压的静电放电（ESD）保护装置。 ESD保护器件包括：半导体衬底; 第一口井 第二口井 第一个异物地区; 第二个异物地区; 第三个异物地区; 和第四个异物区域。 第一阱形成在半导体衬底上并且具有第一导电类型。 第二阱形成在半导体衬底上以与第一阱接触，并具有第二导电类型。 第一异物区域形成在第一阱上并且具有第一导电类型。 第二异物区域形成在第一阱上，以从第一异质区域离开第一异质区域到第二阱，并且具有第二导电类型。 第二异物区形成在第二阱上，具有第二导电型。 第四异物区域形成在第二阱上，与第三异物区域从第三异物区域朝向第一阱接触，并且具有第一导电类型。 第一异物区域和第二异物区域电连接到第一电极焊盘。 第三异物区域电连接到第二电极焊盘。 第四异物区电浮动。
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公开(公告)号：KR1020170025685A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122481
申请日：2015-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/742 , H01L29/87
Abstract: 정전기방전(Electrostatic Discharge; ESD) 보호장치는 N형 LDMOS(Lateral double Diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터및 실리콘제어정류기(Silicon Controlled Rectifier; SCR)를포함한다. N형 LDMOS 트랜지스터는제1 전압이인가되는제1 패드에공통으로연결되는소스전극, 게이트전극, 및웰 바이어스전극과중간노드에연결되는드레인전극을포함한다. 실리콘제어정류기는제1 전압보다높은제2 전압이인가되는제2 패드와중간노드사이에연결된다.
Abstract translation: 静电放电（ESD）保护装置包括N型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，其包括源电极，栅电极和阱偏置电极，其连接到接收第一电压的第一焊盘，以及 漏电极连接到中间节点。 ESD保护装置还包括连接在中间节点和接收高于第一电压的第二电压的第二焊盘之间的可控硅整流器（SCR）。
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公开(公告)号：KR102238544B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140174759
申请日：2014-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: ESD 보호장치는반도체기판, 제1 웰, 제2 웰, 제1 불순물영역, 제2 불순물영역, 제3 불순물영역, 및제4 불순물영역을포함한다. 제1 웰은반도체기판에형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제2 웰은반도체기판에제1 웰과접하도록형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제1 불순물영역은제1 웰에형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제2 불순물영역은제1 웰에제1 불순물영역으로부터제2 웰방향으로제1 불순물영역과이격되어형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제3 불순물영역은제2 웰에형성되고, 제2 도전형을갖는다. 제4 불순물영역은제2 웰에제3 불순물영역으로부터제1 웰방향으로제3 불순물영역과접하도록형성되고, 제1 도전형을갖는다. 제1 불순물영역및 제2 불순물영역은제1 전극패드와전기적으로연결되고, 제3 불순물영역은제2 전극패드와전기적으로연결되고, 제4 불순물영역은전기적으로플로팅된다.
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