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公开(公告)号：KR1020140071791A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020120139780
申请日：2012-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/027
Abstract: The present invention relates to an electrostatic discharge protection apparatus. An electrostatic discharge protection apparatus of the present invention comprises a first conductivity type well, a second conductivity type well, a first doping region and a second doping region which are formed on the first conductivity type well and have different conductivity types, a third doping region and a fourth doping region which are formed on the second conductivity type well and have different conductivity types, and a fifth doping region which is formed on the second conductivity type well between the first and second doping regions and the third and fourth doping regions.
Abstract translation: 本发明涉及静电放电保护装置。 本发明的静电放电保护装置包括第一导电类型阱，第二导电类型阱，第一掺杂区和第二掺杂区，其形成在第一导电类型阱上且具有不同的导电类型，第三掺杂区 以及第四掺杂区，其形成在第二导电类型阱上且具有不同的导电类型，以及在第一和第二掺杂区之间的第二导电类型以及第三和第四掺杂区上形成的第五掺杂区。
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公开(公告)号：KR1020100097420A
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020090016348
申请日：2009-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L27/0288 , H01L27/04
Abstract: PURPOSE: An electrostatic discharge protection element and an electrostatic discharge protection circuit including the same are provided to protect the internal circuit from the damage due to the static electricity discharge by forming the poly resistance on a diode. CONSTITUTION: A first diode(120) is connected between a first voltage and an input-output pad. A second diode(110) is connected between the input-output pad and the second voltage. The second diode comprises a first N well area(112) and a first N type impurity area(114) formed inside the first N-well region.
Abstract translation: 目的：提供一种静电放电保护元件和包括该静电放电保护元件的静电放电保护电路，以通过在二极管上形成多晶硅电阻来保护内部电路免受静电放电引起的损坏。 构成：第一二极管（120）连接在第一电压和输入 - 输出焊盘之间。 第二二极管（110）连接在输入 - 输出焊盘和第二电压之间。 第二二极管包括形成在第一N阱区域内的第一N阱区域（112）和第一N型杂质区域（114）。
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公开(公告)号：KR1020170071676A
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020150179368
申请日：2015-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/7408 , H01L29/7436
Abstract: 본발명의실시예에따른정전기방전보호소자는제 1 도전형의웰을포함하는제 2 도전형의기판, 기판에형성되고캐소드전극에연결되는제 2 도전형의제 1 확산영역및 제 1 도전형의제 2 확산영역, 웰에형성되고애노드전극에연결되는제 2 도전형의제 3 확산영역및 제 1 도전형의제 4 확산영역, 기판과웰의경계에형성되는제 1 도전형의제 5 확산영역, 그리고제 1 확산영역및 제 2 확산영역과제 5 확산영역사이의기판에형성되고외부로부터바이어스전압을입력받는제 1 도전형의제 6 확산영역을포함할수 있다.
Abstract translation: 导电型的第二基片，形成在衬底的第一扩散区和根据本发明的一个实施例的静电放电住所，其连接到所述阴极电极包括第一导电类型的阱的第二导电型的第一导电型上 在阱中形成并与阳极连接的第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第四扩散区，在衬底和阱之间的边界处形成的第一导电类型的第五扩散区， 以及第一导电类型的第六扩散区域，其形成在第一扩散区域与第二扩散区域分配扩散区域之间的基板中，并从外部接收偏置电压。
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公开(公告)号：KR1020170025685A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122481
申请日：2015-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/742 , H01L29/87
Abstract: 정전기방전(Electrostatic Discharge; ESD) 보호장치는 N형 LDMOS(Lateral double Diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터및 실리콘제어정류기(Silicon Controlled Rectifier; SCR)를포함한다. N형 LDMOS 트랜지스터는제1 전압이인가되는제1 패드에공통으로연결되는소스전극, 게이트전극, 및웰 바이어스전극과중간노드에연결되는드레인전극을포함한다. 실리콘제어정류기는제1 전압보다높은제2 전압이인가되는제2 패드와중간노드사이에연결된다.
Abstract translation: 静电放电（ESD）保护装置包括N型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，其包括源电极，栅电极和阱偏置电极，其连接到接收第一电压的第一焊盘，以及 漏电极连接到中间节点。 ESD保护装置还包括连接在中间节点和接收高于第一电压的第二电压的第二焊盘之间的可控硅整流器（SCR）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120071057A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100132642
申请日：2010-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0255
Abstract: PURPOSE: A diode and an electrostatic discharge protection circuit including the same are provided to improve the degree of integration by including a plurality of semiconductor patterns in a diode. CONSTITUTION: A diode(200) includes a substrate(210) and a plurality of semiconductor patterns(261-264). The plurality of semiconductor patterns respectively forms P/N junction. The substrate includes an N-type well(220) and a P-type well(230). The N-type well includes first and second N-type regions(241,242) doped by an N-type dopant. The P-type well includes first and second P-type regions(251,252) doped by a P-type dopant.
Abstract translation: 目的：提供二极管和包括其的二极管和静电放电保护电路以通过在二极管中包括多个半导体图案来提高积分度。 构成：二极管（200）包括衬底（210）和多个半导体图案（261-264）。 多个半导体图案分别形成P / N结。 衬底包括N型阱（220）和P型阱（230）。 N型阱包括由N型掺杂剂掺杂的第一和第二N型区（241,242）。 P型阱包括由P型掺杂剂掺杂的第一和第二P型区（251,252）。
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公开(公告)号：KR1020150131451A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020140057863
申请日：2014-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/60 , H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H02H9/04 , H02H9/046 , H01L2924/00
Abstract: 본발명에따른반도체장치는, 구동신호에따라패드(Pad)를제 1 전원전압으로풀업하는제 1 드라이버, 상기구동신호에따라상기패드(Pad)를제 2 전원전압으로풀다운하는제 2 드라이버, 스위치제어신호에따라상기패드(Pad)와상기제 2 드라이버사이의저항치를가변하는스위치보호저항, 그리고상기제 1 전원전압또는상기제 2 전원전압의레벨을검출하여상기스위치제어신호를생성하는 ESD 검출기를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的半导体器件包括：第一驱动器，其根据驱动信号拉起具有第一电源电压的焊盘;第二驱动器，其根据驱动信号以第二电源电压拉下焊盘;开关 根据开关控制信号改变焊盘和第二驱动器之间的电阻值的保护电阻，以及检测第一电源电压或第二电源电压的电平并产生开关控制信号的ESD检测器。
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公开(公告)号：KR101547309B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020090016348
申请日：2009-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/861
Abstract: 정전기 방전 보호 소자는 제1 다이오드, 제2 다이오드, 및 폴리 저항을 포함한다. 제1 다이오드는 제1 전압과 입출력 패드 사이에 연결되고, 제2 다이오드는 입출력 패드와 제2 전압 사이에 연결된다. 폴리 저항은 상기 제2 다이오드 상에 형성된다. 정전기 방전 보호 소자는 작은 크기로 구현 가능하며 향상된 정전기 방전 보호 기능을 가진다.
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公开(公告)号：KR1020140095706A
公开(公告)日：2014-08-04
申请号：KR1020130008397
申请日：2013-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/861 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823418 , H01L27/0255 , H01L27/0705 , H01L29/8611 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/13034 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: A diode based on a lateral double diffused metal semiconductor (LDMOS) transistor includes a cathode electrode and an anode electrode. The cathode electrode includes a gate of a P-type LDMOS transistor and an N-type doping region which is formed in an N-type wall region of the P-type LDMOS transistor. The anode electrode includes a P-type doping region which is formed in a P-type drift region of the P-type LDMOS transistor.
Abstract translation: 基于横向双扩散金属半导体（LDMOS）晶体管的二极管包括阴极电极和阳极电极。 阴极包括P型LDMOS晶体管的栅极和形成在P型LDMOS晶体管的N型壁区域中的N型掺杂区域。 阳极包括形成在P型LDMOS晶体管的P型漂移区中的P型掺杂区域。
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