公开(公告)号：KR20210032592A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020190113457A

申请日：2019-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손용훈 ,  김재훈 ,  박광호 ,  송현지 ,  이경희 ,  정승재

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판 상의 주변 회로 구조체; 상기 주변 회로 구조체 상의 반도체 막; 상기 반도체 막 상의 전극 구조체, 상기 전극 구조체는 적층된 전극들을 포함하고; 상기 전극 구조체를 관통하여 상기 반도체 막에 연결되는 수직 채널 구조체; 상기 전극 구조체를 관통하는 분리 구조체, 상기 분리 구조체는 제1 방향으로 연장되고, 상기 분리 구조체에 의해 상기 전극 구조체의 상기 전극이 한 쌍의 전극들로 수평적으로 분리되며; 상기 전극 구조체를 덮는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 주변 회로 구조체에 전기적으로 연결되는 관통 콘택을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020160094220A

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：KR1020150015579

申请日：2015-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 김명구 ,  유내리 ,  이원기 ,  김현우 ,  이송세 ,  김민수 ,  백재열 ,  송현지

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0035 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/70033

Abstract: 본발명은하드마스크물질막의형성방법에관한것으로서, 보다구체적으로는, 상대적으로더 조밀한토폴로지(topology) 패턴을갖는제 1 영역및 상대적으로덜 조밀한토폴로지패턴을갖거나토폴로지패턴이형성되어있지않은제 2 영역을포함하는기판을제공하는단계; 상기제 1 영역의토폴로지패턴들사이를채우면서상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면을덮도록제 1 하드마스크물질막을형성하는단계; 상기제 1 영역의상기토폴로지패턴들사이의부분과나머지부분들간의용매용해도가달라지도록상기제 1 하드마스크물질막을열처리하는단계; 상기제 1 영역의상기토폴로지패턴들사이에서상기제 1 하드마스크물질막의적어도일부가잔존하도록상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면에형성된제 1 하드마스크물질막을제거하는단계; 및상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면을덮도록제 2 하드마스크물질막을형성하는단계를포함하는하드마스크물질막의형성방법에관한것이다. 본발명의하드마스크물질막형성방법을이용하면평탄도가현저히개선된하드마스크막을추가오염의우려없이신속하게얻을수 있고높은정밀도를갖는소자를제조할수 있게된다.

Abstract translation: 本发明涉及形成硬掩模材料层的方法。 更具体地，该方法包括：提供包括具有相对更密集的拓扑图案的第一区域的基板和具有相对较不密集的拓扑图案或不具有任何拓扑图案的第二区域的步骤; 形成第一硬掩模材料层以覆盖第一和第二区域的前侧的步骤，同时填充第一区域的拓扑图案之间的间隙; 热处理第一硬掩模材料膜以区分第一区域和其它部分的拓扑图案之间的部分之间的溶剂溶解度的步骤; 去除形成在第一和第二区域的前侧上的第一硬掩模材料层的步骤，以使第一硬掩模材料层的至少一部分保留在第一区域的拓扑图案之间; 以及形成第二硬盘材料层以覆盖第一和第二区域的前侧的步骤。 因此，本发明能够快速地获得具有显着提高的平坦度的硬掩模层，而没有额外的污染，并且以高精度制造器件。