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公开(公告)号：KR101631452B1
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020100052327
申请日：2010-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 퓨즈구조체가제공된다. 퓨즈구조체는제1 방향으로연장되어형성되되, 일정간격이격되어일단이서로마주보도록형성된제1 및제2 전극, 마주보는제1 전극의일단과제2 전극의일단사이에형성된절연막, 및제1 및제2 전극의일부와오버랩되며절연막상부에형성되되, 제1 및제2 전극과접촉되어형성된도전막을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110132791A
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020100052327
申请日：2010-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L23/62 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A fuse structure and an electrical fuse including the fuse structure and a semiconductor device including the electrical fuse are provided to prevent a re-growth phenomenon by forming a moisture absorption prevention film which surrounds a fuse conductive layer pattern. CONSTITUTION: First and second electrodes(120,130) are extended to a first direction. One end of the first electrode and one end of the second electrode are separated and are faced each other. An insulating layer(200) is formed between the one end of the first electrode and the one end of the second electrode which are faced each other. A conductive film(162) is touched with the first and second electrodes. The conductive film is formed in the top of the insulating layer by overlapping with a part of the first and second electrodes. A third electrode which is extended to a second direction which is vertical with the first direction is formed in the inner side of the insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种熔丝结构和包括熔丝结构的电熔丝和包括电熔丝的半导体器件，以通过形成围绕熔丝导电层图案的吸湿防止膜来防止再生长现象。 构成：第一和第二电极（120,130）延伸到第一方向。 第一电极的一端和第二电极的一端分离并且彼此面对。 绝缘层（200）形成在第一电极的一端和彼此面对的第二电极的一端之间。 导电膜（162）与第一和第二电极接触。 通过与第一和第二电极的一部分重叠，在绝缘层的顶部形成导电膜。 在绝缘层的内侧形成有延伸到与第一方向垂直的第二方向的第三电极。
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公开(公告)号：KR1020100082505A
公开(公告)日：2010-07-19
申请号：KR1020090001838
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/7841
Abstract: 반도체메모리소자및 그제조방법에서, 상기반도체메모리소자는기판상부면전체를덮는매립절연막이구비된다. 상기매립절연막상에, 2개의돌출부를포함하고, 상기돌출부들사이에는요부가생성되고, 데이터가저장되기위한플로팅바디로제공되는액티브패턴이구비된다. 상기액티브패턴의돌출부상부면에불순물이도핑된제1 및제2 불순물영역이구비된다. 상기액티브패턴의외측벽표면에게이트절연막이구비된다. 상기게이트절연막상에는상기액티브패턴의외측벽을둘러싸면서상기요부내부를부분적으로채우는형상을갖고, 상기액티브패턴의제1 및제2 불순물영역의저면보다낮은상부면을갖는게이트전극을포함한다. 상기반도체메모리소자는게이트전극의조절능력이우수하고, 데이터보유특성이양호하다.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体存储器件及其制造方法，通过用一个晶体管形成单元单元来高集成半导体存储器件。 构成：嵌入绝缘层（12）覆盖基板（10）的整个上表面。 活动图案包括两个突起（16a）。 在突起之间产生凹部。 第一和第二掺杂剂区域（20a，20b）形成在活性图案的突起的上侧。 在活性图案的外侧壁的表面上形成栅极绝缘层。 栅电极（24）形成在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：KR1020100070669A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129318
申请日：2008-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10894
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device including a capacitor-less one-transistor memory cell is provided to increase a volume to store electric charges by forming the protruded part of a cell floating body pattern to be wider that a cell gate pattern. CONSTITUTION: A first floating body pattern(6a) is formed on the lower insulating film(3) of a substrate(1). A first gate pattern(33a) is formed to cover the sidewall of the first floating body pattern. A part of the first floating body pattern which is adjacent to the first gate pattern is etched. The first floating body pattern has a protruded part(7). A first dopant region is formed in the etched region of the first floating body pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造包括无电容单晶体管存储单元的半导体器件的方法，以通过将电池浮体图案的突出部分形成为更宽的单元栅极图案来增加体积以存储电荷。 构成：在基板（1）的下绝缘膜（3）上形成第一浮体图案（6a）。 形成第一栅极图案（33a）以覆盖第一浮体图案的侧壁。 蚀刻与第一栅极图案相邻的第一浮体图案的一部分。 第一浮体图案具有凸部（7）。 在第一浮体图案的蚀刻区域中形成第一掺杂区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101528817B1
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020090001838
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/7841
Abstract: 반도체메모리소자및 그제조방법에서, 상기반도체메모리소자는기판상부면전체를덮는매립절연막이구비된다. 상기매립절연막상에, 2개의돌출부를포함하고, 상기돌출부들사이에는요부가생성되고, 데이터가저장되기위한플로팅바디로제공되는액티브패턴이구비된다. 상기액티브패턴의돌출부상부면에불순물이도핑된제1 및제2 불순물영역이구비된다. 상기액티브패턴의외측벽표면에게이트절연막이구비된다. 상기게이트절연막상에는상기액티브패턴의외측벽을둘러싸면서상기요부내부를부분적으로채우는형상을갖고, 상기액티브패턴의제1 및제2 불순물영역의저면보다낮은상부면을갖는게이트전극을포함한다. 상기반도체메모리소자는게이트전극의조절능력이우수하고, 데이터보유특성이양호하다.
Abstract translation: 在半导体存储器件及其制造方法中，半导体存储器件设置有覆盖衬底的整个上表面的埋入绝缘膜。 在埋入绝缘膜上提供有源图案，该有源图案包括两个突起，在突起之间形成凹槽，并且提供用于存储数据的浮体。 掺杂有杂质的第一和第二杂质区域设置在有源图案的突出部分的上表面上。 栅极绝缘膜设置在有源图案的外壁表面上。 栅极绝缘膜上的栅电极，栅电极围绕有源图案的外壁并且具有部分地填充凹陷内部的形状以及低于有源图案的第一和第二杂质区域的底部的顶面。 该半导体存储器件可以改善栅电极的可控性并改善数据保持特性。
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公开(公告)号：KR1020110024103A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090081980
申请日：2009-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L27/105 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L2924/0002 , H01L23/62 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a fuse of a capacitor structure is provided to simplify a manufacturing process by using a bottom electrode of a capacitor structure as a filament of a fuse. CONSTITUTION: A cathode electrode is formed on a semiconductor substrate. An anode electrode is formed on the cathode electrode. A cylinder type first filament(41) is formed between the cathode electrode and the anode electrode. The first filament electrically connects the cathode electrode to the anode electrode. A molding unit surrounds the side of the first filament. A dielectric layer(40a,40b) is formed in the first filament.
Abstract translation: 目的：提供一种包括电容器结构的熔丝的半导体器件，以通过使用电容器结构的底部电极作为保险丝的细丝来简化制造过程。 构成：在半导体基板上形成阴极电极。 阳极电极形成在阴极上。 在阴极电极和阳极电极之间形成圆柱形的第一细丝（41）。 第一个灯丝将阴极电极连接到阳极电极。 模制单元围绕第一细丝的侧面。 在第一丝中形成有电介质层（40a，40b）。
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公开(公告)号：KR101605749B1
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020090081980
申请日：2009-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L27/105 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 커패시터구조의퓨즈를포함하는반도체소자에관해개시한다. 이를위해본 발명은, 반도체기판상에형성된캐소드(cathode) 전극, 상기캐소드전극상에형성된애노드(anode) 전극, 및상기캐소드전극과상기애노드전극사이에형성되고, 상기캐소드전극과상기애노드전극을전기적으로연결하는실린더(cylinder) 형태의적어도하나의필라멘트(filament)를포함하는반도체소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR101442177B1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020080129318
申请日：2008-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10894
Abstract: 커패시터 없는 1-트랜지스터 메모리 셀을 갖는 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판의 저면 절연막 상에 제1 플로팅 바디 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 플로팅 바디 패턴의 상부를 가로지르며 상기 제1 플로팅 바디 패턴의 측벽들을 덮는 제1 게이트 패턴을 형성한다. 상기 제1 게이트 패턴 양 옆의 상기 제1 플로팅 바디 패턴을 부분 식각하되, 상기 제1 플로팅 바디 패턴은 상기 부분 식각된 영역들 사이에서 상기 부분 식각된 영역들 보다 상대적으로 돌출된 부분을 갖는다. 상기 제1 플로팅 바디 패턴의 상기 부분 식각된 영역들 내에 제1 불순물 영역들을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020100086795A
公开(公告)日：2010-08-02
申请号：KR1020090006213
申请日：2009-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/10817 , H01L28/90
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a short with an adjacent bottom electrode by supporting the bottom electrode with a support structure. CONSTITUTION: Bottom electrodes(110a) of a cylindrical shape comprises a constant height and a flat upper side. The bottom electrodes are repeatedly arranged on the substrate. Support structures(120) are comprised between the bottom electrodes, are contacted with the part of an outer wall of the bottom electrodes, and supports the contacted bottom electrodes. A dielectric layer(122) is formed along the surface of the support structures and the bottom electrodes. A top electrode is formed on the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过用支撑结构支撑底部电极来防止具有相邻底部电极的短路。 构成：圆柱形底部电极（110a）包括恒定高度和平坦的上侧。 底部电极重复地布置在基板上。 支撑结构（120）包括在底部电极之间，与底部电极的外壁的一部分接触，并支撑接触的底部电极。 沿着支撑结构和底部电极的表面形成电介质层（122）。 在电介质层上形成顶部电极。
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