公开(公告)号：KR1020140121660A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020130038167

申请日：2013-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신소은 ,  김병국 ,  최지현

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/20

CPC classification number: G03F1/80 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/08 ,  G03F1/20

Abstract: 반도체 장치 제조용 마스크가 제공된다. 이 마스크는 주 영역 및 주 영역에 인접하는 보조 영역을 갖는 투명 기판, 주 영역의 투명 기판 상에 배치된 주 패턴, 및 보조 영역의 투명 기판 상에 배치된 보조 패턴을 포함한다. 주 패턴은 투명 기판의 표면에 대해 수직인 측벽을 갖고, 그리고 보조 패턴은 투명 기판의 표면으로부터 멀어지는 방향으로 오르막 경사를 갖는 측벽을 갖는다.

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的掩模。 掩模包括具有主区域和与主区域相邻的子区域的透明基板，布置在主区域的透明基板上的主图案和布置在子区域的透明基板上的子图案。 主图案具有与透明基板的表面垂直的侧壁，并且子图案具有侧壁，该侧壁在远离透明基板的表面的方向上具有上坡。

公开(公告)号：KR1020170011554A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150104358

申请日：2015-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신소은 ,  박지숭 ,  손정욱 ,  이석호

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/033

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F7/705

Abstract: 본발명의기술적사상은 MPC의정확도를검증할수 있는 MPC 검증방법과그 검증방법을포함한마스크제조방법을제공한다. 그 MPC 검증방법은마스크패턴에대한 MTO(Mask Tape Out) 디자인데이터에대하여, 마스크프로세스모델(Mask Process Model)을이용하여마스크제조과정에서발생하는오차를반영하는 MPC(Mask Process Correction)를수행하는단계; 및상기마스크프로세스모델을이용하여, 상기마스크의패턴에대한 2차원컨투어(contour)를출력하여상기 MPC에대한검증을수행하는단계;를포함한다.

Abstract translation: 一种制造方法包括掩模处理校正（MPC）和验证MPC精度。 可以对描述掩模图案的掩模带出（MTO）数据执行MPC以获得掩模处理校正数据。 可以执行MPC以解决MTO数据和要制造的掩模之间的偏差。 可以通过基于掩模处理校正数据生成掩模图案元素的二维（2D）轮廓来执行MPC的验证。 当MPC已被验证时，掩模处理校正数据可用于制造掩模和半导体器件。

公开(公告)号：KR1020160095284A

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：KR1020150016178

申请日：2015-02-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이숙현 ,  타마무시,슈이치 ,  신소은 ,  신인균 ,  최진

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2002

Abstract: 본발명은전자빔 노광방법및 그를포함하는기판제조방법을개시한다. 그의방법은, 기판에형성될타깃패턴을디자인하는단계와, 상기기판상에형성되는포토레지스트에제공될빔들의제 1 도즈값들을갖는제 1 도즈맵을도출하는단계와, 상기빔들의중첩에의해상기제 1 도즈값들보다증감되는제 2 도즈값들을갖는제 2 도즈맵을도출하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及电子束曝光方法及其制造方法。 曝光电子束的方法包括以下步骤：设计要在基板上形成的目标图案; 得到具有要提供给形成在所述基底上的光致抗蚀剂的所述光束的第一剂量值的第一剂量图; 并且得出具有第二剂量值的第二剂量图，所述第二剂量值通过所述束的重叠而增加和减少多于所述第一剂量值。