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公开(公告)号：KR100611120B1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020040072219
申请日：2004-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 웨이퍼 노광용 마스크의 검사하기 위하여, 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사한다. 상기 과정에 의해 웨이퍼 노광용 마스크의 원하는 영역을 정확하게 검사할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100589041B1
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020010016961
申请日：2001-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 본 발명은 마스크 및 그 형성방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명은 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하는 복수의 피쳐들은 두 개의 에지들에 의해 형성된 오목 코너들을 적어도 하나 이상 포함한다. 또한, 상기 마스크는 근접효과 보정용 보조피쳐들을 포함하고, 근접효과 보정용 보조피쳐들은 상기 오목 코너들 중 오목 코너를 구성하는 두 개의 에지들 각각으로부터 소정 거리 떨어진 위치에서 각 에지를 따라 평행하게 연장된 두 개의 연장부들을 포함하고, 두 개의 연장부들이 상기 오목 코너와 대응하여 동일한 각도로 구부러져 서로 연결되고 소정 폭을 가진 다각형의 구조를 포함한다. 따라서, 본 발명에서는 오목 코너에 대응하여 다각형의 보조피쳐를 가짐으로써 대칭성을 유지하고 보조피쳐의 수를 줄임으로써 전체적인 마스크 패턴의 데이터 량을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101757743B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020110019097
申请日：2011-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941
Abstract: 본발명의사상에의한플레어보정방법및 EUV 마스크제조방법은 EUV 리소그라피공정에서의플레어효과에의한 CD(Critical Dimension) 에러를방지할수 있는방법및 그러한플레어효과를보정할수 있는 EUV 마스크제조방법을제공한다. 그플레어보정방법은테스트패턴에대한플레어(flare)를측정하는단계; 상기플레어에대한 PSF(Point Spread Function)을계산하는단계; 및작용범위(influence range)에따른각각의상기 PSF를이용하여상기플레어를각각보정하는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170011554A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150104358
申请日：2015-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/033
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/705
Abstract: 본발명의기술적사상은 MPC의정확도를검증할수 있는 MPC 검증방법과그 검증방법을포함한마스크제조방법을제공한다. 그 MPC 검증방법은마스크패턴에대한 MTO(Mask Tape Out) 디자인데이터에대하여, 마스크프로세스모델(Mask Process Model)을이용하여마스크제조과정에서발생하는오차를반영하는 MPC(Mask Process Correction)를수행하는단계; 및상기마스크프로세스모델을이용하여, 상기마스크의패턴에대한 2차원컨투어(contour)를출력하여상기 MPC에대한검증을수행하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 一种制造方法包括掩模处理校正（MPC）和验证MPC精度。 可以对描述掩模图案的掩模带出（MTO）数据执行MPC以获得掩模处理校正数据。 可以执行MPC以解决MTO数据和要制造的掩模之间的偏差。 可以通过基于掩模处理校正数据生成掩模图案元素的二维（2D）轮廓来执行MPC的验证。 当MPC已被验证时，掩模处理校正数据可用于制造掩模和半导体器件。
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公开(公告)号：KR100674964B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050021095
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템 장치를 제공하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060023391A
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020040072219
申请日：2004-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G03F1/84 , G03F1/36 , G03F7/70666
Abstract: 웨이퍼 노광용 마스크의 검사하기 위하여, 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사한다. 상기 과정에 의해 웨이퍼 노광용 마스크의 원하는 영역을 정확하게 검사할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020076821A
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020010016961
申请日：2001-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: PURPOSE: A mask is provided to remarkably decrease the overall number of sub pitchers, by making the sub pitchers facing the concave corner of a pitcher have a polygonal type instead of a bar type. CONSTITUTION: A pattern corresponding an integrated circuit is transcribed from a mask to a semiconductor substrate by using an exposure apparatus. A plurality of pitchers include at least one concave corner formed by two edges, corresponding to circuit elements for forming the integrated circuit on the mask. Tow extending portions extend along each edge in a parallel direction, separated from two edges constituting the concave corner. The two extending portions are curved at an angle corresponding to the concave corner, connected to each other. The sub pitchers(32,34) for correcting a proximity effect are of a polygonal structure, having a predetermined width.
Abstract translation: 目的：提供一个掩模，以显着地减少副投影机的总数，通过使投手面向凹角的副投手具有多边形而不是条形。 构成：通过使用曝光装置，将从集成电路对应的图案从掩模转印到半导体衬底。 多个投手包括由两个边缘形成的至少一个凹角，对应于用于在掩模上形成集成电路的电路元件。 牵引延伸部分沿着平行方向的每个边缘延伸，与构成凹角的两个边缘分离。 两个延伸部分以与凹角相对应的角度弯曲，彼此连接。 用于校正邻近效应的副投影器（32,34）具有预定宽度的多边形结构。
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公开(公告)号：KR1020120100297A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110019097
申请日：2011-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941 , H01L21/0274 , H01L21/0337
Abstract: PURPOSE: A flare correction method and a method for manufacturing a EUV(Extreme Ultra Violet) mask are provided to enhance perfection for the whole flare correction by respectively correcting a flare in an OPC(Optical Proximity Correction) step and after an MTO(Mask Tape-Out) step. CONSTITUTION: A flare for a test pattern is measured(S110). PSF(Point Spread Function) for the flare is calculated(S130). The PSF is classified according to a predetermined standard for an influence range of the flare(S150). The influence range is divided into a first range and a second range based on a set distance. The first range is less than the set distance and the second range is greater than or equal to the set distance. The flare is revised by using the PSF corresponding to the influence range of the flare(S170). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) A flare for a test pattern is measured; (S130) A PSF for the flare is calculated; (S150) The PSF is classified according to a predetermined standard for an influence range of the flare; (S170) The flare is revised by using the PSF corresponding to the influence range of the flare
Abstract translation: 目的：通过分别校正OPC（光学近程校正）步骤中的光斑并在MTO（掩模胶带）之后，提供了一种光斑校正方法和制造EUV（极紫外）掩模的方法，以增强整个光斑校正的完美性 -Out）步。 规定：测量测试图形的闪光（S110）。 计算火炬的PSF（点扩展函数）（S130）。 PSF根据闪光灯的影响范围的预定标准进行分类（S150）。 影响范围根据设定的距离分为第一范围和第二范围。 第一范围小于设定距离，第二范围大于或等于设定距离。 通过使用对应于火炬的影响范围的PSF来修改耀斑（S170）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）测量测试图案的光斑; （S130）计算火炬的PSF; （S150）根据火炬的影响范围的预定标准对PSF进行分类; （S170）通过使用对应于火炬的影响范围的PSF修改耀斑
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公开(公告)号：KR1020060099708A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050021095
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템을 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100585127B1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：KR1020040008937
申请日：2004-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박지숭
IPC: H01L21/027
Abstract: 투명 기판을 식각하여 형성되어 있는 스캐터링 바아를 포함하는 포토 마스크에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 입사광을 통과시키는 투명 기판, 투명 기판에 형성되어 있으며, 입사광에 의하여 감광성 물질막에 전사가 되는 주 패턴 및 투명 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 형성되어 있으며, 입사광에 의하여 감광성 물질막에 전사가 되지 아니하는 스캐터링 바아를 포함한다. 상기한 스캐터링 바아의 폭과 깊이는, 포토 마스크를 통과한 입사광의 에어리얼 이미지의 일반화 이미지 로그 슬로프(NILS)가 향상되도록 하는 크기로 조절되며, 이 경우 완화된 상쇄간섭 효과에 의하여 스캐터링 바아는 웨이퍼에 전사되지 않는다.
포토 마스크. 스캐터링 바아, 초점 심도, OPC
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