公开(公告)号：KR1020170040719A

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：KR1020150158992

申请日：2015-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상열 ,  김석일 ,  정회주 ,  신용재 ,  한유근

IPC: G11C11/4093 ,  G11C7/10 ,  G11C7/04

Abstract: 본발명은메모리컨트롤러의제어에의한 ZQ 글로벌매니징을수행할수 있는메모리시스템을개시한다. 메모리시스템은, ZQ 캘리브레이션회로를갖는복수의반도체메모리장치들을포함하며메모리슬롯에장착되는메모리모듈과, 메모리모듈을제어하는메모리컨트롤러를포함한다. 메모리컨트롤러는, 상기 ZQ 캘리브레이션회로의캘리브레이션결과데이터를상기메모리슬롯을통해수신하고상기메모리모듈이장착된상기메모리슬롯의신호로딩특성에따라상기 ZQ 캘리브레이션회로의파이널캘리브레이션값을결정하는 ZQ 글로벌매니징회로를포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种存储器系统，该系统可以执行存储器控制器的控制的ZQ全球管理。 一种存储器系统，包括：多个具有ZQ校准电路，以及用于控制存储器模块和安装在所述内存插槽的存储器模块的存储器控​​制器半导体存储器设备。 的存储器控​​制器，通过校准接收ZQ全球管理导致ZQ校准电路中的数据的存储器槽，并确定在根据存储器时隙的信号负载特性ZQ校准电路的最终校准值，其中，所述存储器模块被安装 和的电路。