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公开(公告)号：WO2019045228A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/005824
申请日：2018-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/16 , H05B1/02 , H05B6/64 , G06F3/14 , G06Q50/12 , G10L15/22 , G10L15/28 , G10L21/0208 , G10L15/26 , H04L29/08
Abstract: 본 발명의 조리 시스템은, 음성을 입력 및 출력하고, 음성에 대응하는 음성 데이터를 전송하고, 조리실의 음식물을 조리하는 조리기기; 및 조리기기와 통신을 수행하고, 조리기기로부터 음성 데이터가 수신되면 수신된 음성 데이터에 기초하여 음성 인식을 수행하고, 음성 인식에 대응하는 응답 정보를 조리기기에 전송하고, 수신된 음성 데이터에 기초하여 사용자가 요구하는 메뉴를 획득하고 획득된 메뉴의 조리 시간 및 조리 온도를 조리기기에 전송하는 제1서버; 및 복수의 메뉴에 대한 적어도 하나의 레시피 정보를 저장하고, 제1서버와 통신을 수행하고, 제1서버에 적어도 하나의 레시피 정보를 전송하는 제2서버를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019045455A3
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/010007
申请日：2018-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G10L15/22 , G10L15/28 , G10L15/04 , G10L15/183 , H04L12/28
Abstract: 본 발명은 음성 인식을 위한 시스템과 서버, 방법에 관한 것으로, 자연어 형태의 단일 문장의 발화를 통해 기기 제어를 위한 다수의 설정 항목을 일괄 설정할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명에 따른 음성 인식 시스템은, 가전 기기의 제어를 위해 단일 문장의 발화를 통해 생성되는 음성 명령을 수신하는 상기 가전 기기와; 상기 가전 기기로부터 상기 단일 문장의 음성 명령을 전달받아 다중 의도 판단을 통해 상기 단일 문장의 음성 명령을 해석하는 서버를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160136579A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150070243
申请日：2015-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/66
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518 , H01L21/76804 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76865 , H01L21/823418 , H01L21/823437 , H01L23/485 , H01L29/41766 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 반도체장치제조방법이제공된다. 반도체장치제조방법은게이트전극과, 게이트전극의양측에소오스/드레인을형성하고, 게이트전극및 소오스/드레인을덮는층간절연막을형성하고, 층간절연막내에, 소오스/드레인을노출시키는컨택홀을형성하고, 컨택홀의바닥면에, 실리사이드층을형성하고, 컨택홀의측벽및 상기실리사이드층상에, 스페이서를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成设置在栅电极的相对侧的栅极和源极或漏极，形成覆盖栅电极和源极或漏极的层间绝缘层，形成暴露层间绝缘层中的源极或漏极的接触孔 在接触孔的底表面上形成硅化物层，并在接触孔的侧壁和硅化物层的上表面上形成间隔物。
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公开(公告)号：KR101813179B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: 복층의게이트절연층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는그래핀채널층과게이트전극사이에유기물절연층과무기물절연층으로이루어진복층의게이트절연층을구비한다. 유기물절연층은그래핀채널층에불순물이흡착하는것을억제하여그래핀채널층의고유특성을유지한다.
Abstract translation: 公开了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。 所公开的石墨烯电子器件具有由石墨烯沟道层和栅电极之间的有机绝缘层和无机绝缘层构成的多层栅极绝缘层。 有机绝缘层抑制杂质向石墨烯沟道层的吸附，由此保持石墨烯沟道层的固有特性。
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公开(公告)号：KR1020120137053A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: PURPOSE: A graphene electronic device having a multi-layered gate insulating layer is provided to improve electrical characteristics of a grapheme by forming a gate insulating layer of a double layer between a graphene channel layer and a gate electrode. CONSTITUTION: A conductive substrate serves as a gate electrode. A gate insulating layer(120) is arranged on the substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate insulating layer. A source electrode(141) and a drain electrode(142) are arranged on both ends of the graphene channel layer. The gate insulating layer comprises and inorganic material insulating layer and an organic compound insulating layer on the inorganic material insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件，以通过在石墨烯通道层和栅电极之间形成双层栅极绝缘层来改善图形的电特性。 构成：导电衬底用作栅电极。 栅极绝缘层（120）布置在衬底上。 在栅极绝缘层上形成石墨烯沟道层（130）。 源极电极（141）和漏电极（142）布置在石墨烯通道层的两端。 栅绝缘层包括无机材料绝缘层和无机材料绝缘层上的有机化合物绝缘层。
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