公开(公告)号：KR102212558B1

公开(公告)日：2021-02-08

申请号：KR1020140186234

申请日：2014-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신혜민 ,  박준호 ,  정대은

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기메모리소자의제조방법은기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 상기터널배리어층및 상기상부자성층을패터닝하여자기터널접합(magnetic tunnel junction) 패턴을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록제1 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면에고분자패턴을형성하는단계; 상기고분자패턴의상면이노출되도록제2 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록상기고분자패턴을제거하는단계; 및상기고분자패턴이제거된공간에도전성금속을충전하여금속배선을형성하는단계;를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160077330A

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020140186234

申请日：2014-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신혜민 ,  박준호 ,  정대은

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기메모리소자의제조방법은기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 상기터널배리어층및 상기상부자성층을패터닝하여자기터널접합(magnetic tunnel junction) 패턴을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록제1 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면에고분자패턴을형성하는단계; 상기고분자패턴의상면이노출되도록제2 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록상기고분자패턴을제거하는단계; 및상기고분자패턴이제거된공간에도전성금속을충전하여금속배선을형성하는단계;를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及能够改善磁存储器件的磁隧道结特性的磁存储器件的制造方法。 根据本发明的实施例的磁存储器件的制造方法包括：在衬底上形成下磁性层，隧道势垒层和上磁性层的步骤; 通过图案化下磁性层，隧道势垒层和上磁性层形成磁隧道结图形的步骤; 形成第一绝缘层以暴露磁性隧道结图案的顶表面的步骤; 在磁隧道结图案的顶表面上形成聚合物图案的步骤; 形成第二绝缘层以暴露聚合物图案的顶表面的步骤; 去除聚合物图案以暴露磁性隧道结图案的顶表面的步骤; 以及通过填充去除聚合物图案的导电金属形成金属线的步骤。