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公开(公告)号：KR1020150017046A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092688
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 자기 메모리 장치는 셀 선택 트랜지스터와 자기터널접합(MTJ)을 포함할 수 있다. 자기터널접합의 하부 전극은 수평부 및 수평부의 측면에서 연결되는 수직부를 포함할 수 있다. 하부 전극의 수직부는 수평부의 상면보다 높고, 적어도 평행한 두 변과, 이들에 대해 경사진 한 변을 포함하는 상면을 포함할 수 있다. 하부 전극의 수직부 상에 자기터널접합이 배치될 수 있다.
Abstract translation: 磁存储器件包括电池选择晶体管和磁性隧道结。 磁性隧道结的底部电极包括水平部分和连接到水平部分的侧面的垂直部分。 底部电极的垂直部分高于水平部分的上表面，并且包括至少两个平行侧面和上表面，该上表面包括倾斜于两侧的一侧。
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公开(公告)号：KR1020130056013A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121731
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정대은
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/08 , H01L27/228 , G11C13/0004 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device is provided to prevent a breakdown path due to oxygen in a tunnel barrier layer by including a stress generation layer to transmit stress to the tunnel barrier layer. CONSTITUTION: A gate structure(20) is formed on a substrate(10). A magnetic memory layer(60) functions as a memory by magnetoresistance. The magnetic memory layer includes a plurality of magnetic layers(62,64) and a tunnel barrier layer(66) interposed between the magnetic layers. A bottom electrode(50) and a top electrode(80) are located on both sides of the magnetic memory layer. A stress generating layer(70) is located between the top electrode and the magnetic memory layer and applies stress to the tunnel barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供一种磁存储器件，用于通过包括应力产生层将隧道势垒层的应力传递到隧道势垒层中，以防止氧气导致的击穿路径。 构成：在衬底（10）上形成栅极结构（20）。 磁存储层（60）通过磁阻作用作为存储器。 磁存储层包括介于磁层之间的多个磁性层（62,64）和隧道势垒层（66）。 底部电极（50）和顶部电极（80）位于磁性存储层的两侧。 应力产生层（70）位于顶部电极和磁性存储层之间，并对隧道势垒层施加应力。
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公开(公告)号：KR1020160057891A
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140159091
申请日：2014-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L43/02 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 자기기억소자및 그의형성방법에제공된다. 상기자기기억소자는제 1 결정질영역및 상기제 1 결정질영역상에위치하는비정질영역을포함하는컨택플러그; 및상기컨택플러그의상기비정질영역상에위치하는자기터널접합패턴을포함한다.
Abstract translation: 提供一种能够防止由于接触插塞引起的磁性隧道结图案的电磁特性的变化的磁记录装置及其形成方法。 磁存储器件包括：包括第一结晶区域的接触插塞和设置在第一晶体区域上的非晶区域; 以及设置在接触插塞的非晶区域上的磁性隧道结图案。
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公开(公告)号：KR102081989B1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：KR1020130092688
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101663958B1
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020140175196
申请日：2014-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정대은
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 본발명의실시예에따른자기메모리소자의제조방법은, 기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을포함하는적층체를식각하여자기터널접합패턴을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴을덮는붕소흡착층을형성하는단계; 및상기상부및 하부자성층내에포함된붕소를붕소흡착층내로흡착시키기위해열처리하는단계; 를포함하고, 상기열처리하는단계는수소, 산소또는질소중 적어도하나의가스를포함하는가스분위기에서수행된다.
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公开(公告)号：KR1020140055447A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120122385
申请日：2012-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228 , G11C11/15 , H01L43/12
Abstract: A magnetic memory device and a method for manufacturing the same are provided. The magnetic memory device comprises: lower magnetic patterns arranged in a first direction and a second direction perpendicular to each other on a substrate; an upper magnetic film which commonly covers at least two lower magnetic patterns arranged in the first direction and at least two lower magnetic patterns arranged in the second direction; and a tunnel barrier film interposed between the lower magnetic patterns and the upper magnetic film.
Abstract translation: 提供一种磁存储器件及其制造方法。 磁存储器件包括：在基片上沿第一方向布置的较低磁性图形和彼此垂直的第二方向; 通常覆盖沿第一方向布置的至少两个下磁性图案和沿第二方向布置的至少两个下磁性图案的上磁性膜; 以及插入在下磁性图案和上磁性膜之间的隧道阻挡膜。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1020160135044A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150067948
申请日：2015-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/02071 , H01L21/02266 , H01L21/31105 , H01L21/32131
Abstract: 패턴형성방법은, 기판상에식각대상막을형성하는것, 상기식각대상막을패터닝하여패턴들을형성하는것, 제1 이온소스로부터발생되는제1 이온빔을이용하여상기패턴들의측벽들상에절연막을형성하는것, 및제2 이온소스로부터발생되는제2 이온빔을이용하여상기절연막을제거하는것을포함한다. 상기제1 이온소스및 상기제2 이온소스의각각은절연소스를포함하고, 상기절연소스는산소및 질소중 적어도하나이다.
Abstract translation: 形成图案的方法包括在衬底上形成蚀刻目标层，图案化蚀刻目标层以形成图案，使用从第一离子源产生的第一离子束在图案的侧壁上形成绝缘层，以及去除绝缘层 使用从第二离子源产生的第二离子束，其中所述第一和第二离子源中的每一个包括绝缘源，并且其中所述绝缘源包括氧或氮中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1020140066016A
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020120133195
申请日：2012-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: A magnetic memory device is provided. Memory cells on a substrate and bit lines on the memory cells are provided. Each of the memory cells comprises: a free layer which is separated from free layers of adjacent memory cells by an interlayer insulating film on the substrate; a tunnel insulating film on the free layer; and a reference layer which is provided on the tunnel insulating layer and extends onto the free layers of the adjacent memory cells along the bit lines.
Abstract translation: 提供磁存储器件。 提供了衬底上的存储单元和存储单元上的位线。 每个存储单元包括：通过衬底上的层间绝缘膜与相邻存储单元的自由层分离的自由层; 自由层上的隧道绝缘膜; 以及参考层，其设置在隧道绝缘层上并沿着位线延伸到相邻存储单元的自由层上。
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公开(公告)号：KR102212558B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020140186234
申请日：2014-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기메모리소자의제조방법은기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 상기터널배리어층및 상기상부자성층을패터닝하여자기터널접합(magnetic tunnel junction) 패턴을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록제1 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면에고분자패턴을형성하는단계; 상기고분자패턴의상면이노출되도록제2 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록상기고분자패턴을제거하는단계; 및상기고분자패턴이제거된공간에도전성금속을충전하여금속배선을형성하는단계;를포함할수 있다.
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