公开(公告)号：KR1020060098233A

公开(公告)日：2006-09-18

申请号：KR1020050020381

申请日：2005-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67069

Abstract: 반도체 웨이퍼를 가공하기 위한 반도체 식각 장치가 개시된다. 그러한 반도체 식각 장치는 식각 장치 내 정전척의 하부에 위치하고, 내부에는 냉각수 순환로가 형성되며, 상기 냉각수 순환로에 연장되어 외부로 노출된 공급관 체결부 및 회수관 체결부를 구비하는 정전척 쿨링 재킷; 상기 공급관 체결부에 결합되어 외부의 냉각기로부터 냉각수를 공급받아 상기 냉각수를 상기 정전척 쿨링 재킷으로 공급하기 위한 냉각수 공급관; 상기 회수관 체결부에 결합되어 상기 정전척 쿨링 재킷으로부터 상기 냉각수를 공급받아 상기 냉각수를 상기 냉각기로 회수하기 위한 냉각수 회수관; 및 상기 냉각수 공급관의 내부에 장착되어 상기 냉각수의 불순물을 필터링하기 위한 냉각수 공급 필터부를 구비한다. 그리하여 본 발명은 개선된 식각 장치를 제공함으로써, 종래의 냉각수 공급관, 냉각수 회수관 또는 식각 장치의 일부분의 노후화로 인하여 냉각수의 변질이 유발되는 문제를 해결하며, 정전척 하부의 정전척 쿨링 재킷에서 냉각수 공급관 또는 냉각수 회수관과 결합되는 부분의 부식을 감소 또는 최소화하는 효과를 갖는다.
식각 장치, 냉각수 순환부, 필터, 쿨링 재킷(cooling jacket)

公开(公告)号：KR1020070114439A

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：KR1020060047970

申请日：2006-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  B01D36/001 ,  B01D59/12

Abstract: A diffuser of semiconductor manufacturing equipment is provided to prevent contamination of a wafer due to particles and to improve yield by employing a filter in the diffuser. A diffuser(120) is coupled to a gas supplying unit or a vacuum/purge line communicated with a pump to transport gas. The diffuser consists of a body(222) and a connecting unit(224). The body includes a filter and surrounded by a mesh net(222a). The mesh net wraps the filter. The connecting unit connects the body to the vacuum/purge line. The filter is made of a ceramic material. The mesh net is made of a metal material. The diffuser including the filter prevents contamination of a wafer due to particles delivered through the vacuum/purge line.

Abstract translation: 提供半导体制造设备的漫射器以防止由于颗粒而导致的晶片污染并且通过在扩散器中使用滤光片来提高产量。 扩散器（120）联接到气体供应单元或与泵连通以输送气体的真空/净化管线。 扩散器由主体（222）和连接单元（224）组成。 该主体包括一个过滤网并被网状网（222a）包围。 筛网包裹过滤器。 连接单元将主体连接到真空/净化管线。 过滤器由陶瓷材料制成。 网状网由金属材料制成。 包括过滤器的扩散器防止由于通过真空/净化线输送的颗粒而导致的晶片污染。

公开(公告)号：KR1020050121521A

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020040046681

申请日：2004-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이기민 ,  안재수

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76289 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468

Abstract: 본 발명은 에어 갭을 갖는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 게이트와 접합영역이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 게이트의 양측벽 및 기판 일부 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 게이트의 양측벽에 형성된 산화막 상에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 산화막을 일부 제거하여 상기 게이트와 상기 스페이서 사이에 리세스된 영역을 형성하는 단계; 상기 기판 전면 상에 금속막을 형성하여, 상기 리세스된 영역을 에어 갭으로 형성하는 단계; 및 상기 금속막을 열처리하여 상기 접합영역 상에는 상대적으로 얇은 두께의 금속실리사이드를 형성하고, 상기 게이트 상에는 상대적으로 두꺼운 금속실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 게이트 양측벽에는 리세스된 산화막 형성에 따른 에어 갭이 형성되어 게이트와 접합영역 사이에 유발되는 기생 용량(parasitic capacitance)이 억제 또는 제거되는 효과가 있다. 그리고, 게이트 상에 증대된 표면적과 두께를 가지는 금속실리사이드막을 형성할 수 있게 되어 낮은 저항을 갖게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020000032024A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980048343

申请日：1998-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창순 ,  안재수

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An insulating ring of an electrostatic chuck is provided to prevent an omission of a polymer by equaling a thermal expansion coefficient in every part of a body, to reduce processing numbers at an assembling and disassembling, and to minimize a damage by fragile property generated at a management after disassembling. CONSTITUTION: An insulating ring(700) is molded in a circular body to be installed by shielding an external circumference of an electrostatic chuck(15) placed a wafer inside a chamber using a ceramic of single material. The ceramic material formed the insulating ring(700) has the high thermal conductivity, cuts the heat generated by a plasma reaction inside the chamber directly into the electrostatic chuck(15), and conducts the heat into the electrostatic chuck(15) with a thermal gradient. Because the whole body of the insulating ring(700) is formed with the single material having the same thermal conductivity, a uniform etching of the wafer is performed by equaling the heat distribution of the electrostatic chuck(15). The standard of the insulating ring(700) is a 280mm, a 231mm inner diameter, a 41mm thickness of longest distance, and a 14mm thickness of shortest distance.

Abstract translation: 目的：提供静电卡盘的绝缘环，以防止通过使身体各部分的热膨胀系数相等来消除聚合物，以减少组装和拆卸过程中的加工数量，并将产生的脆弱性降低到最小程度 在拆卸后进行管理。 构成：通过使用单一材料的陶瓷屏蔽放置在室内的晶片的静电卡盘（15）的外周，将绝缘环（700）模制成圆形体，以安装。 形成绝缘环（700）的陶瓷材料具有高导热性，将室内等离子体反应产生的热量直接切断到静电吸盘（15）中，并将热量传导到静电吸盘（15） 梯度。 由于绝缘环（700）的全体由具有相同热导率的单一材料形成，所以通过等于静电卡盘（15）的热分布来进行晶片的均匀蚀刻。 绝缘环（700）的标准为280mm，内径231mm，最长距离为41mm，最短距离为14mm。

公开(公告)号：KR100431660B1

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1020010044577

申请日：2001-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/6831

Abstract: Disclosed is a dry etching apparatus for etching a film coated on a semiconductor substrate. An electrostatic chuck on which the semiconductor substrate is disposed is provided in a chamber carrying out an etching process. The electrostatic chuck is elevated to perform the etching process and moved downwardly to load and unload the semiconductor substrate. When the chuck is elevated, a peripheral surface of the chuck faces an inner edge of a baffle plate mounted on the inner surface of the chamber. A reaction byproduct created for the etching process and a non-reacted gas are discharged through slits formed in the baffle plate from the chamber. Accordingly, as the baffle plate is not moved along with the chuck, the reaction byproduct attached to the baffle plate cannot be exfoliated.

Abstract translation: 公开了一种用于蚀刻涂覆在半导体衬底上的膜的干蚀刻设备。 其上设置有半导体衬底的静电卡盘设置在执行蚀刻工艺的腔室中。 提升静电吸盘以执行蚀刻工艺并向下移动以加载和卸载半导体衬底。 当卡盘升高时，卡盘的周边表面面对安装在腔室内表面上的挡板的内边缘。 为蚀刻过程产生的反应副产物和未反应的气体通过形成在挡板中的狭缝从腔室排出。 因此，由于挡板不与卡盘一起移动，因此附着在挡板上的反应副产物不会剥离。

公开(公告)号：KR1020030009909A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020010044577

申请日：2001-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A dry etch apparatus for semiconductor fabrication is provided to reduce the amount of contaminants by installing a baffle plate on an inner wall of a chamber. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(104), an upper electrode(106), and a lower electrode are installed in the inside of a chamber(102). The upper electrode(106) is formed on an upper portion of the chamber(102). The lower electrode is installed in the inside of the electrostatic chuck(104). A driving portion(108) is connected with a lower portion of the electrostatic chuck(104). A control portion(109) is connected with the driving portion(108). An etch gas supply portion(110) is connected with the upper electrode(106). A baffle plate(112) is loaded on an inner wall of the chamber(102). A process region(111) and a vacuum region(113) are formed at an upper portion and a lower portion of the baffle plate(112). A plurality of pads(114) is installed on the inner wall of the chamber(102). A shield(116) is installed at an upper portion of the baffle plate(112). A transferring portion(118) is connected with one side of the chamber(102). A vacuum control valve(122) and a gate valve(124) are installed on a vacuum line between the chamber(102) and a pump(120). A focus ring(126) is installed on an upper face of the electrostatic chuck(104).

Abstract translation: 目的：提供用于半导体制造的干式蚀刻装置，通过在隔室的内壁上安装挡板来减少污染物的量。 构成：静电卡盘（104），上电极（106）和下电极安装在腔室（102）的内部。 上电极（106）形成在腔室（102）的上部。 下电极安装在静电吸盘（104）的内部。 驱动部分（108）与静电吸盘（104）的下部连接。 控制部（109）与驱动部（108）连接。 蚀刻气体供给部（110）与上部电极（106）连接。 挡板（112）装载在腔室（102）的内壁上。 在挡板（112）的上部和下部形成有处理区域（111）和真空区域（113）。 多个垫（114）安装在腔室（102）的内壁上。 挡板（116）安装在挡板（112）的上部。 传送部分（118）与腔室（102）的一侧连接。 真空控制阀（122）和闸阀（124）安装在室（102）和泵（120）之间的真空管线上。 聚焦环（126）安装在静电吸盘（104）的上表面上。

公开(公告)号：KR1020020080922A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020010020788

申请日：2001-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A chuck assembly of semiconductor etch equipment is provided to lengthen a lifetime of a focus ring and a uniform plasma region for a long hour by preventing an etching phenomenon of an outer side of the focus ring. CONSTITUTION: A main body(10) of a chuck is used for supporting a bottom face of a wafer(W). A center part of an upper face of the main body(10) is closely contacted with a center of part the bottom face of the wafer. An edge portion of the upper face of the main body(10) has stepped portions. A focus ring(12) is located on the stepped portions of the main body(10). An outer side of the focus ring(12) is projected to the outside of a sidewall of the main body(10). An insulating ring(20) is fixed to a sidewall of the main body(10). An upper face of the insulating ring(20) is contacted with a bottom face of the outer side of the focus ring(12).

Abstract translation: 目的：提供半导体蚀刻设备的卡盘组件，通过防止聚焦环的外侧的蚀刻现象，延长聚焦环的寿命和长时间的均匀等离子体区域。 构成：卡盘的主体（10）用于支撑晶片（W）的底面。 主体（10）的上表面的中心部分与晶片的底面的一部分的中心紧密接触。 主体（10）的上表面的边缘部分具有阶梯部分。 聚焦环（12）位于主体（10）的阶梯部分上。 聚焦环（12）的外侧突出到主体（10）的侧壁的外侧。 绝缘环（20）固定在主体（10）的侧壁上。 绝缘环（20）的上表面与聚焦环（12）的外侧的底面接触。

公开(公告)号：KR1020010036175A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043077

申请日：1999-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An apparatus for etching a semiconductor is provided to reduce maintenance cost, by separating an upper electrode plate into two parts such as a sealing part sealed together with shield and a spraying head part having gas spraying holes, so that only an abnormal portion is selectively replaced. CONSTITUTION: A shield(20) makes a chamber atmosphere so that etching gas and plasma can not get out of circumference of a wafer and an electronic chuck(30) in an etching process. An upper electrode plate(12) includes a sealing part(14) and a spraying head part(16). An opening(14a) is formed in the center of the sealing part which has an edge portion placed on the shield for connection. The spraying head part has spraying holes(16a) for spraying the etching gas, located on the opening of the sealing part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体的装置，通过将上部电极板分离成与屏蔽件一起密封的密封部分和具有气体喷射孔的喷射头部分两部分，使得只有异常部分 有选择地更换。 构成：屏蔽（20）使得室内气氛使得蚀刻气体和等离子体在蚀刻过程中不能脱离晶片和电子卡盘（30）的圆周。 上电极板（12）包括密封部（14）和喷头（16）。 在密封部分的中心形成开口（14a），该密封部分的边缘部分放置在屏蔽件上用于连接。 喷涂头部具有用于喷射位于密封部分的开口上的蚀刻气体的喷射孔（16a）。

公开(公告)号：KR1020070014590A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050069375

申请日：2005-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재수

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68

Abstract: A wafer pre-aligner is provided to improve productivity by loading exactly a wafer on a centering position using a sensor unit and a wafer centering guide. A wafer pre-aligner includes an indexer, a sensing unit, and a wafer centering guide. The indexer(10) is used for performing a flat zone aligning process on a wafer. The sensing unit(20) is used for detecting the position of the wafer on the indexer and transmitting a detection signal to the indexer. The wafer centering guide(30) is capable of moving the wafer up and down in a predetermined height range. The wafer centering guide has a tilted guide plane.

Abstract translation: 提供晶片预对准器以通过使用传感器单元和晶片定心引导件精确地装载在定心位置上的晶片来提高生产率。 晶片预对准器包括分度器，感测单元和晶圆定心引导件。 分度器（10）用于在晶片上执行平坦区域对准处理。 感测单元（20）用于检测分度器上晶片的位置，并将检测信号发送到分度器。 晶片定心引导件（30）能够在预定高度范围内上下移动晶片。 晶圆定心导向件具有倾斜的导向平面。

公开(公告)号：KR100558002B1

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020030066934

申请日：2003-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효종 ,  이종원 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성 ,  정진성 ,  안재수

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 선택적 전기도금을 이용한 금속패턴 형성방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 하지층 상에 절연층을 형성한다. 이어서, 상기 절연층을 패터닝하여 블랭킷 영역을 한정하는 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치 내에 그리고 상기 블랭킷 영역 상에 확산장벽층을 콘포말하게 형성한다. 상기 확산장벽층 상에 연마/도금 저지층 및 상부 시드층을 차례로 콘포말하게 형성한다. 상기 블랭킷 영역 내의 상기 상부 시드층을 선택적으로 제거하여 상기 블랭킷 영역 내의 상기 연마/도금 저지층을 노출시킴과 동시에 상기 트렌치 내에 잔존하는 시드층 패턴을 형성한다. 상기 시드층 패턴에 의해 둘러싸여진 상기 트렌치를 전기도금법을 사용하여 상부 도전층으로 채운다. 상기 상부 도전층, 상기 연마/도금 저지층, 상기 시드층 패턴 및 상기 확산장벽층을 평탄화시키어 상기 블랭킷 영역 내의 상기 절연층을 노출시킨다.
selective electro plating, CMP, Cu, damascene