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公开(公告)号:KR1019960000837B1
公开(公告)日:1996-01-13
申请号:KR1019920023132
申请日:1992-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
Abstract: The device consists of a reference voltage generating unit which generates a reference voltage by obtaining power voltage, a difference voltage generating unit which generates a difference voltage, and a voltage level detector which detects power voltage supplied from an external source and outputs a number of power voltage level detecting signals corresponding to each different predetermined level in the reference voltage generating unit.
Abstract translation: 该装置由通过获取电源电压产生参考电压的参考电压产生单元,产生差分电压的差分电压产生单元和检测从外部源提供的电源电压并输出多个功率的电压电平检测器 对应于基准电压产生单元中的每个不同的预定电平的电压电平检测信号。
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公开(公告)号:KR1019960025726A
公开(公告)日:1996-07-20
申请号:KR1019940038508
申请日:1994-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/40
Abstract: 본 발명은, 총 n개의 어드레스신호들 중 분할된 메모리블록들을 선택하기 위하여 상기 n개의 어드레스신호들 중 i개의 어드레스신호들을 사용하는 반도체메모리소자의 메모리셀어레이에 관한 것으로서, 상기 각 메모리블록내에서 하나의 비트라인쌍에 연결된 메모리셀들의 수가 2
ni -k이고, 상기 k가 0<k<2
ni 의 범위에 있다.-
公开(公告)号:KR1019940016235A
公开(公告)日:1994-07-22
申请号:KR1019920023132
申请日:1992-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리장치, 특히 넓은 전압범위에서 안정적으로 동작하는 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 외부에서 인가되는 전원전압의 크기에 대응하여, 외부에서 인가되는 전원전압의 크기를 미리 설정된 다수개의 레벨에 따른 검출신호를 출력하는 전압레벨 디텍터와, 상기 전압레벨 검출신호에 제어되어 발진주기가 조절되는 오실레이터를 구비하고, 상기 오실레이터의 발진신호에 따라 리프레시 주기가 조절되도록 하고, 내부승압회로(또는 기판전압발생회로)의 승압(또는 강압)비율이 조절되어 안정된 승압전압(또는 기판전압)을 발생되며, 그에 따라 안정적으로 동작하며 효율적인 전원소비를 갖는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
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公开(公告)号:KR100137316B1
公开(公告)日:1998-04-29
申请号:KR1019940038508
申请日:1994-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/40
Abstract: 본 발명은, 총 n개의 어드레스신호들 중 분할된 메모리블록들을 선택하기 위하여 상기 n개의 어드레스신호들 중 i개의 어드레스신호들을 사용하는 반도체메모리소자의 메모리셀어레이에 관한 것으로서, 상기 각 메모리블록내에서 하나의 비트라인쌍에 연결된 메모리셀들의 수가 2
ni -k이고, 상기 k가 0<k<2
ni 의 범위에 있다. -
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