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公开(公告)号：KR100719335B1
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020000012771
申请日：2000-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/14
Abstract: 여기에 개시된 휴대용 정보 시스템은, 휴대용 정보 단말기와, 상기 휴대용 정보 단말기로부터 제공되는 비디오 데이터를 고해상도 디스플레이 장치로 전송하기 위한 인터페이스 모듈을 포함한다. 인터페이스 모듈에는 확장 메모리가 구비되어, 휴대용 정보 단말기에서 제공되는 저해상도의 비디오 데이터를 고해상도의 비디오 데이터로 변환하는데 사용된다. 이와 같은 구성에 의하면, 휴대용 정보 단말기로부터 제공되는 저해상도의 비디오 데이터가 고해상도로 변환되어 디스플레이 될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100311032B1
公开(公告)日：2001-11-02
申请号：KR1019990047514
申请日：1999-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0841 , Y10S359/904
Abstract: 기판과; 기판상에형성된어드레스전극과; 기판에대해소정간격이격된채로마주하도록배치된마이크로미러;를포함하여, 어드레스전극과마이크로미러사이의정전인력에의해마이크로미러의기울기를조절할수 있도록된 마이크로미러가동장치가개시되어있다. 이개시된마이크로미러가동장치는, 기판상에돌출형성되며, 상부가마이크로미러의주변에위치되는보조전극을포함하여, 마이크로미러가정전인력에의해일 방향으로기울어진경우에도마이크로미러와보조전극사이의간격이좁게유지되어, 복원시보조전극의정전력에의해복원될수 있도록된 것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR100116906B1
公开(公告)日：1997-06-21
申请号：KR1019940001358
申请日：1994-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/401
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公开(公告)号：KR1019960003774B1
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019920015901
申请日：1992-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: The apparatus includes the capacitor characterized by: the electrode where the predetermined region of a conductor layer surface has at least multiple microtrench; a conductor layer with multiple crystal silicon. The apparatus includes the memory cell where the surface of the first electrode has at least multiple microcylinder. A memory cell has a storage capacitor comprising: the second conduction type source and drain region contrary to the first conduction type formed on a semiconductor substrate of the first conduction type; a first conduction layer insulated from a channel region existing between the source and drain region through the gate oxide film; a transistor comprising the first insulating layer enveloping the first conduction layer for insulation; a field oxide film formed on the substrate, and is adjacent to the source region; a first electrode which stretches at least to the part of the field oxide film, overlaps the part of the first conduction layer and is adjacent to the source region; an insulation layer enveloping the first electrode; and a second electrode enveloping the insulation layer.
Abstract translation: 该装置包括电容器，其特征在于：导体层表面的预定区域具有至少多个微切口的电极; 具有多个晶体硅的导体层。 该装置包括其中第一电极的表面具有至少多个微圆柱体的存储单元。 存储单元具有存储电容器，包括：与形成在第一导电类型的半导体衬底上的第一导电类型相反的第二导电类型源极和漏极区域; 通过栅氧化膜与存在于源区和漏区之间的沟道区绝缘的第一导电层; 晶体管，其包括包围所述第一导电层以用于绝缘的所述第一绝缘层; 形成在所述基板上并且与所述源极区域相邻的场氧化膜; 至少延伸到场氧化膜的一部分的第一电极与第一导电层的一部分重叠并且与源极区相邻; 包围第一电极的绝缘层; 以及包围绝缘层的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950014808B1
公开(公告)日：1995-12-15
申请号：KR1019910015286
申请日：1991-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: The dynamic random access memory cell, which comprises a source region and a drain region on the semiconductor substrate, a transistor having a gate electrode, a first electrode of polycrystalline silicon contacted with the source region, and a storage capacitor having a plate electrode layer of a second electrode on the dielectric layer, is manufactured by forming a porous storage node on the first electrode by the anode oxidation method, and forming the dielectric layer and a plate electrode layer in order. The anode oxidation method is carried out using 10˜50wt% fluoric acid at the electric current density of 5˜50mA/cm2.
Abstract translation: 动态随机存取存储单元，其包括半导体衬底上的源极区域和漏极区域，具有栅极电极的晶体管，与该源极区域接触的多晶硅的第一电极以及具有板状电极层的存储电容器 通过利用阳极氧化法在第一电极上形成多孔保存节点，依次形成电介质层和平板电极层，制造电介质层上的第二电极。 阳极氧化法使用10〜50重量％的氟酸，电流密度为5〜50mA / cm2。
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公开(公告)号：KR1019950007572B1
公开(公告)日：1995-07-12
申请号：KR1019920005352
申请日：1992-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0251
Abstract: at least one RC delay stage consisting of an input pad, an inherent parasitic resistance and an parasitic capacitance; a conduction line directly connecting the input pad and the RC delay stage; a punch-through element positioned between the input pad and the RC delay stage, and connecting the conduction line with a ground voltage terminal; and a resistor positioned between the RC delay stage and an internal circuit and put on the conduction line. The device reduces a transmission delay of the input signal generated from the input pad, and protects the internal circuit from electrostatic discharge stress.
Abstract translation: 至少一个由输入焊盘，固有寄生电阻和寄生电容组成的RC延迟级; 直接连接输入焊盘和RC延迟级的导线; 位于输入焊盘和RC延迟级之间的穿通元件，并且将导线与接地电压端子连接; 以及位于RC延迟级与内部电路之间并置于导线上的电阻器。 该器件减少了从输入焊盘产生的输入信号的传输延迟，并保护内部电路免受静电放电应力。
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公开(公告)号：KR1019930017028A
公开(公告)日：1993-08-30
申请号：KR1019920001461
申请日：1992-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/40
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 칩에 복수개의 로우 어드레스 스트로브
신호를 인가하므로서 데이타의 액세스가 고속으로 이루어지도록 하는 다이나믹 램에 관한 것으로서, 본 발명에서는 [복수개의 핀에 복수개의 로우 어드레스 스트로브
신호를 각각 연결하고, 상기 각각의 로우 어드레스 스트로브
신호를 데이타의 액세스 동작시에 각각 순차적으로 액티브 신호로 인가함에 의해 한번의 액세스 사이클 타임동안에 복수개의 메모리 셀 어레이블럭의 데이타를 각각 액세스 하는 다이나믹 램]을 제공하므로서 액세스 속도가 정하여져 있는 조건하에서도 많은 수의 랜덤 데이타를 제공하여 중앙처리장치(CPU)의 속도 성능발전 경향에 견주어볼 때 데이타의 액세스 속도가 너무 지연되었던 문제를 해소하고, 동시에 시스템의 성능 또는 작업 능력을 크게 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930006947A
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019920015901
申请日：1992-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 기판상의 제1전극과 이 제1전극을 덮는 유전체층과 이 유전체층을 덮는 제2전극으로 구성되는 반도체 캐패시터에서 제1전극이 실리콘층이며 이 실리콘층의 표면이 적어도 다수의 마이크로 트렌치 또는 다수의 마이크로 실린더로 형상화됨으로써 캐패시터의 용량을 증가하는 반도체 캐패시터 및 그 제조방법.
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