公开(公告)号：KR100688504B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020040093005

申请日：2004-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정희 ,  조훈영 ,  김정우 ,  박찬진 ,  오종수 ,  조기현 ,  최석호 ,  엘리먼,로버트지

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 이온주입을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 유전층을 형성하고, 유전층 내에 실리콘(Si) 또는 저매니움(Ge)을 이온주입하여 전하포획자리로 사용될 이온주입층을 형성한다. 이후에, 어닐링(annealing) 과정을 수행할 수 있다. 유전층 상에 트랜지스터 형성 과정을 계속 수행할 수 있다.
비휘발성 메모리, 컨트롤 게이트, SONOS, 나노결정질체, 메모리 윈도우

公开(公告)号：KR1020060053335A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020040093005

申请日：2004-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정희 ,  조훈영 ,  김정우 ,  박찬진 ,  오종수 ,  조기현 ,  최석호 ,  엘리먼,로버트지

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/66825

Abstract: 이온주입을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 유전층을 형성하고, 유전층 내에 실리콘(Si) 또는 저매니움(Ge)을 이온주입하여 전하포획자리로 사용될 이온주입층을 형성한다. 이후에, 어닐링(annealing) 과정을 수행할 수 있다. 유전층 상에 트랜지스터 형성 과정을 계속 수행할 수 있다.
비휘발성 메모리, 컨트롤 게이트, SONOS, 나노결정질체, 메모리 윈도우