公开(公告)号：KR1020060053335A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020040093005

申请日：2004-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정희 ,  조훈영 ,  김정우 ,  박찬진 ,  오종수 ,  조기현 ,  최석호 ,  엘리먼,로버트지

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/66825

Abstract: 이온주입을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 유전층을 형성하고, 유전층 내에 실리콘(Si) 또는 저매니움(Ge)을 이온주입하여 전하포획자리로 사용될 이온주입층을 형성한다. 이후에, 어닐링(annealing) 과정을 수행할 수 있다. 유전층 상에 트랜지스터 형성 과정을 계속 수행할 수 있다.
비휘발성 메모리, 컨트롤 게이트, SONOS, 나노결정질체, 메모리 윈도우

公开(公告)号：KR100688504B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020040093005

申请日：2004-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정희 ,  조훈영 ,  김정우 ,  박찬진 ,  오종수 ,  조기현 ,  최석호 ,  엘리먼,로버트지

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 이온주입을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 유전층을 형성하고, 유전층 내에 실리콘(Si) 또는 저매니움(Ge)을 이온주입하여 전하포획자리로 사용될 이온주입층을 형성한다. 이후에, 어닐링(annealing) 과정을 수행할 수 있다. 유전층 상에 트랜지스터 형성 과정을 계속 수행할 수 있다.
비휘발성 메모리, 컨트롤 게이트, SONOS, 나노결정질체, 메모리 윈도우

公开(公告)号：KR101706353B1

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：KR1020100030504

申请日：2010-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동국대학교 산학협력단

Inventor： 박경수 ,  송인용 ,  허성 ,  곽동욱 ,  조훈영 ,  김한수 ,  최재만 ,  권문석

IPC: C23C16/22 ,  B82B1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

Abstract: 금속나노클러스터가표면상에고밀도로균일하게형성된실리콘나노와이어가제공된다. 상기금속나노클러스터는상기실리콘나노와이어의전기적특성및 광학적특성을개선하므로리튬전지, 태양전지, 바이오센서, 메모리소자등의다양한전기소자에유용하게사용할수 있다.

Abstract translation: 硅纳米线包括在其表面上以高密度形成的金属纳米团簇。 金属纳米团簇改善了硅纳米线的电气和光学特性，因此可以有用地用于诸如锂电池，太阳能电池，生物传感器，存储器件等的各种电气装置中。

公开(公告)号：KR1020110111105A

公开(公告)日：2011-10-10

申请号：KR1020100030504

申请日：2010-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동국대학교 산학협력단

Inventor： 박경수 ,  송인용 ,  허성 ,  곽동욱 ,  조훈영 ,  김한수 ,  최재만 ,  권문석

IPC: C23C16/22 ,  B82B1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775 ,  C23C16/22 ,  B82B1/005 ,  H01L29/0669

Abstract: 금속 나노클러스터가 표면 상에 고밀도로 균일하게 형성된 실리콘 나노와이어가 제공된다.
상기 금속 나노클러스터는 상기 실리콘 나노와이어의 전기적 특성 및 광학적 특성을 개선하므로 리튬전지, 태양전지, 바이오센서, 메모리소자 등의 다양한 전기소자에 유용하게 사용할 수 있다.

Abstract translation: 硅纳米线包括在其表面上以高密度形成的金属纳米团簇。 金属纳米团簇改善了硅纳米线的电气和光学特性，因此可以有用地用于诸如锂电池，太阳能电池，生物传感器，存储器件等的各种电气装置中。