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公开(公告)号：KR1019970052987A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059486
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/328
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 웰 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 웰 형성방법은 반도체기판 상에 얇은 산화막을 성장시키고 그 전면에 나이트라이드막을 형성하여 웰 형성영역을 한정하는 단계를 포함하는 웰 형성 방법에 있어서, 상기 나이트라인드막을 사용하는 대신 상기 반도체기판 상에 산화막을 두껍게 형성하는 단계, 상기 산화막 전면에 제1도전형 불순물을 이온 주입하는 단계, 상기 산화막의 일부분을 한정하여 일정두께를 식각하는 단계, 상기 한정된 부분에 제2도전형 불순물을 이온 주입하는 단계 및 상기 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 웰 형성방법은 종래의 기술에 비해 웰 형성단계와 형성시간을 줄일 수 있으므로 반도체장치의 생산성을 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940010160B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910010225
申请日：1991-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
Abstract: The surface roughness of the oxide film on the semiconductor substrate is improved by controlling the amount of dopants in polycrystalline silicon layer. The method comprises the steps of: (A) forming 400 ∦ thick polycrystalline silicon layer (11) by use of low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) on p-type silicon substrate (10); (B) doping the said silicon layer with phosphorus of 1021 atom/cm2 at 950 deg.C; (C) forming pattern with photolithography; and (D) forming an oxide layer by thermal oxidation of the polycrystalline silicon layer at 925 deg.C.
Abstract translation: 通过控制多晶硅层中的掺杂剂的量，改善了半导体衬底上的氧化膜的表面粗糙度。 该方法包括以下步骤：（A）通过在p型硅衬底（10）上使用低压化学气相沉积（LPCVD）形成400μm厚的多晶硅层（11）; （B）在950℃下用1021原子/ cm 2的磷掺杂所述硅层; （C）用光刻法形成图案; 和（D）在925℃通过多晶硅层的热氧化形成氧化物层。
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公开(公告)号：KR100187374B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950049332
申请日：1995-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/334
Abstract: 실리사이드층을 포함하는 반도체소자의 제조방법 및 그 제조장치가 개시되어 있다.
본 발명은, 반도체기판 위에 제1물질층을 형성하는 단계, 상기 제1물질층의 표면을 소정 깊이 만큼 식각하는 단계 및 상기 표면이 식각된 제1물질층상에 실리사이드층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 실리사이드층과 하부물질층과의 점착력이 향상되어 리프팅이 발생되지 않아 양호한 특성의 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR2019970052539U
公开(公告)日：1997-09-08
申请号：KR2019960002809
申请日：1996-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N1/10
Abstract: 배스에담긴화학용액을신뢰성있게채집할수 있는시료채취시스템에관하여개시한다. 본고안은배스와, 상기배스에연결되어화학용액을공급하는소오스라인과, 상기화학용액을배출하는드레인라인과, 상기배스에연결되어있고분석용시료채집을위해이용되는채집라인을구비하는것을특징으로하는시료채취시스템을제공한다. 본고안에의하면, 분석용시료를사람또는채집용기로부터의오염을방지할 수있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970053264A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950067058
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 칩-비쯔방식으로 거래되는 반도체 칩을 특정하기 위한 코드가 형성된 반도체 칩과 그 코딩방법이 개시되어 있다.
본 발명은, 특정의 반도체소자 회로를 구성하는 활성영역이 중앙에 위치하며 이를 둘러싼 가장자리에 비활성 영역이 형성된 반도체 칩에 있어서, 상기 비활성영역의 특정 부위에 상기 반도체 칩을 특정하는 코드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하며, 반도체 칩 코딩방법은 반도체소자가 완료된 후 중간물질층을 개제하여 이온주입에 의해 웨이퍼내에 특정 코드를 형성하는 공정을 포함한다.
따라서, 반도체 칩을 특정하는 코드가 영구 존재하여 잘못 인도되거나 사용되지 않아 반도체 칩 관리를 효율적으로 수행할 수 있다는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970063587A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004450
申请日：1996-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼의 스핀 드라이어에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 반도체 웨이퍼가 수납된 캐리어(Carrier)를 고정하는 홀더; 상기 홀더가 내측면에 부착된 회전 드럼(Drum); 상기 반도체 웨이퍼 상의 물방울을 원심력으로 제거하기 위하여, 상기 회전 드럼 저면의 중심을 고정하여 이를 회전시키는 회전축; 상기 반도체 웨이퍼로부터 방출된 물방울을 모으기 위하여, 상기 회전 드럼의 외부를 이격되게 감싸는 외부 드럼; 및 모아진 상기 물방울을 배출하기 위하여 상기 외부 드럼에 배수구를 가지는 드레인(drain)부를 포함하는 스핀 드라이어에 있어서, 상기 회전드럼의 측면에는 상기 회전 드럼 저면으로부터 소정의 높이를 가지고 상기 배수구가 2 이상 형성되며, 상기 드레인부는 상기 배수구를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 드라이어를 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 상의 물방울을 신속하게 제거함으로써 물방울 반점이 웨이퍼 상에 남는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970053024A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049332
申请日：1995-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/334
Abstract: 실리사이드층을 포함하는 반도체소자의 제조방법 및 그 제조장치가 개시되어 있다.
본 발명은, 반도체기판 위에 제1물질층을 형성하는 단계, 상기 제1물질층의 표면을 소정 깊이 만큼 식각하는 단계 및 상기 표면이 식각된 제1물질층상에 실리사이드층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 실리사이드층과 하부물질층과의 점착력이 향상되어 리프팅이 발생되지 않아 양호한 특성의 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다. -
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