公开(公告)号：KR1020160062797A

公开(公告)日：2016-06-03

申请号：KR1020140165321

申请日：2014-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임태진 ,  오신다,토마스 ,  김병희 ,  안상훈 ,  이내인 ,  전기영

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/31

Abstract: 다공성절연막의처리방법및 이를이용한반도체소자의제조방법이제공된다. 본발명의실시예에따른다공성절연막의처리방법은개구부를갖는다공성절연막이형성된기판을준비하는것, 상기다공성절연막은상기개구부에의해노출되는복수의기공들을포함하고, 상기기판상에제1 전구체를공급하여상기노출된기공들을실링하는제1 서브실링막을형성하는것 및상기제1 서브실링막상에제2 전구체를공급하여상기제1 서브실링막을덮는제2 서브실링막을형성하는것을포함하고, 상기제1 및제2 전구체들각각은실리콘을포함하되, 상기제2 전구체는상기제1 전구체보다작은분자량을갖는다.

Abstract translation: 提供一种处理多孔电介质层的方法以及使用其制造半导体器件的方法。 根据本发明实施例的处理多孔电介质层的方法包括以下步骤：制备其中将形成具有孔径的多孔电介质层的衬底; 通过在所述基底上提供第一前体形成密封暴露孔的第一副密封膜，其中所述多孔介电层包括由所述孔暴露的多个孔; 以及通过在所述第一副密封膜上供给第二前体而形成覆盖所述第一副密封膜的第二副密封膜。 第一前体和第二前体中的每一个包含硅，第二前体的分子量小于第一前体的分子量。

公开(公告)号：KR1020170072416A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020150180217

申请日：2015-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 응우옌,빗하 ,  오신다,토마스 ,  백종민 ,  안상훈 ,  김병희 ,  유우경 ,  이내인

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 반도체장치는기판; 기판상에배치되며, 개구부들을갖는제1 층간절연막; 상기개구부들내에제공되는도전패턴들; 상기기판의상기제1 영역의상기도전패턴들상에적층된제1 내지제4 절연패턴들; 및상기제4 절연패턴상의제2 층간절연막을포함할수 있다.

Abstract translation: 一种半导体器件包括衬底; 设置在衬底上并具有开口的第一层间绝缘膜; 在开口中提供导电图案; 堆叠在衬底的第一区域的导电图案上的第一至第四绝缘图案; 以及第四绝缘图案上的第二层间绝缘膜。