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公开(公告)号：KR102265243B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020150002873
申请日：2015-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L23/36 , H01L25/075
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公开(公告)号：KR1020160085988A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150002873
申请日：2015-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L25/075 , H01L23/36
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L25/0657 , H01L23/36 , H01L25/0756
Abstract: 본발명에따른적층형반도체패키지는하부반도체패키지; 상기하부반도체패키지상의상부반도체패키지; 및상기하부반도체패키지와상기상부반도체패키지사이의연결부재들을포함한다. 상기하부반도체패키지는중앙의칩 영역및 상기칩 영역을둘러싸는연결영역을포함하는재배선패턴; 상기칩 영역상에배치되고, 상기재배선패턴과전기적으로연결되는하부반도체칩; 상기연결영역상에배치되고, 상기연결부재들및 상기재배선패턴을전기적으로연결하는연결기둥들; 상기하부반도체칩 상의제1 방열층; 상기제1 방열층상에배치되고, 몸체부및 상기몸체부의측벽으로부터상기연결기둥들을향해돌출된제1 돌출부들을포함하는제2 방열층; 및상기재배선패턴및 하부반도체칩을덮는하부몰딩막을포함한다.
Abstract translation: 具有改进的热特性和可靠性的根据本发明的叠层半导体封装包括：下半导体封装; 在下半导体封装上的上半导体封装; 以及下半导体封装和上半导体封装之间的连接构件。 下半导体封装包括：重新布线图案，包括中心芯片区域和围绕芯片区域的连接区域; 下部半导体芯片，设置在芯片区域上并电连接到重新布线图案; 连接柱，设置在连接区域上并电连接连接构件和重新布线图案; 在下半导体芯片上的第一散热层; 第二散热层，其设置在所述第一散热层上并且包括主体单元和从所述主体单元的侧壁朝向所述连接柱突出的第一突出单元; 以及用于覆盖重新布线图案和下半导体芯片的下成型膜。
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公开(公告)号：KR1020160094548A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150015356
申请日：2015-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/768 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/485
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지의제조방법은지지기판상에반도체칩들을형성하는것, 상기반도체칩들의상면들을덮는보호막을형성하는것, 상기지지기판과상기보호막을덮는몰딩막을형성하는것, 및상기몰딩막을식각하여상기보호막을노출시키는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种具有更高可靠性的半导体封装及其制造方法。 根据本发明的实施例，制造半导体封装的方法包括：在支撑衬底上形成半导体芯片; 形成覆盖半导体芯片的上表面的保护层; 形成覆盖所述支撑基板和所述保护层的成型层; 并通过蚀刻成型层使保护层露出。
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公开(公告)号：KR1020160083977A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000065
申请日：2015-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/28 , H01L23/522 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지는반도체칩, 상기반도체칩의일측에배치된연결장치, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의일측면, 상기연결장치의상부면및 양측면들을덮는몰딩막, 상기절연막내에배치되며, 상기반도체칩 및상기연결장치와전기적으로연결되는배선, 및상기절연막상에배치되며, 상기배선과전기적으로연결되는외부단자를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体封装可以包括半导体芯片; 布置在半导体船的一侧的连接装置; 绝缘层，其覆盖半导体芯片的下表面和连接装置的下表面; 配置在所述绝缘层上且覆盖所述半导体芯片的一个面的成型层，以及所述连接装置的上表面和两侧; 布置在绝缘层中并与半导体芯片和连接装置电连接的线; 以及布置在绝缘层上并与线路电连接的外部端子。 因此，可以提高半导体封装的可靠性。
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