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公开(公告)号：KR101752829B1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020100118954
申请日：2010-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/34 , G05F1/46 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/36
CPC classification number: G05F1/463 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L25/16 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15151 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체장치및 그의온도제어방법에관한것으로, 반도체장치는패키지기판상에반도체칩이실장된반도체패키지를포함한다. 상기반도체패키지는상기반도체패키지의온도를측정하는온도측정장치와, 상기온도측정장치에서측정된상기반도체패키지의온도를기준으로상기반도체패키지의동작속도를변화시키는온도제어회로를포함할수 있다.
Abstract translation: 半导体器件及其温度控制方法技术领域本发明涉及一种半导体器件及其温度控制方法，并且半导体器件包括半导体封装，半导体芯片在封装基板上被恢复。 半导体封装可以包括用于测量半导体封装的温度的温度测量装置和用于基于由温度测量装置测量的半导体封装的温度来改变半导体封装的操作速度的温度控制电路。
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公开(公告)号：KR1020160094548A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150015356
申请日：2015-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/768 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/485
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지의제조방법은지지기판상에반도체칩들을형성하는것, 상기반도체칩들의상면들을덮는보호막을형성하는것, 상기지지기판과상기보호막을덮는몰딩막을형성하는것, 및상기몰딩막을식각하여상기보호막을노출시키는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种具有更高可靠性的半导体封装及其制造方法。 根据本发明的实施例，制造半导体封装的方法包括：在支撑衬底上形成半导体芯片; 形成覆盖半导体芯片的上表面的保护层; 形成覆盖所述支撑基板和所述保护层的成型层; 并通过蚀刻成型层使保护层露出。
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公开(公告)号：KR1020160083977A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000065
申请日：2015-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/28 , H01L23/522 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지는반도체칩, 상기반도체칩의일측에배치된연결장치, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의일측면, 상기연결장치의상부면및 양측면들을덮는몰딩막, 상기절연막내에배치되며, 상기반도체칩 및상기연결장치와전기적으로연결되는배선, 및상기절연막상에배치되며, 상기배선과전기적으로연결되는외부단자를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体封装可以包括半导体芯片; 布置在半导体船的一侧的连接装置; 绝缘层，其覆盖半导体芯片的下表面和连接装置的下表面; 配置在所述绝缘层上且覆盖所述半导体芯片的一个面的成型层，以及所述连接装置的上表面和两侧; 布置在绝缘层中并与半导体芯片和连接装置电连接的线; 以及布置在绝缘层上并与线路电连接的外部端子。 因此，可以提高半导体封装的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170061468A
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020150166544
申请日：2015-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/07 , H01L25/065 , H01L23/40 , H01L23/367 , H01L23/00
CPC classification number: H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
Abstract: 스택패키지제조방법은, 제1 반도체칩이실장된제1 패키지기판을형성한다. 제2 반도체칩이실장된제2 패키지기판을형성한다. 인터포저기판의저면또는상면에제1 두께를갖는복수개의신호패드들, 및제1 두께보다큰 제2 두께를갖는열 확산부를형성한다. 그리고열 확산부가제1 반도체칩의상면또는제2 패키지기판의저면과접촉하도록제1 패키지기판, 인터포저기판, 및제2 패키지기판을순차적으로적층시킨다.
Abstract translation: 堆叠封装制造方法形成其中第一半导体芯片被恢复的第一封装基板。 从而形成其上恢复第二半导体芯片的第二封装衬底。 多个具有下表面或所述基板的上表面上的第一厚度信号焊盘的中介层，以形成具有比所述第二mitje第一厚度的厚度更大的热扩散部。 然后，以接触的热扩散部分中的第一半导体芯片或所述第二封装基板的上表面上的底表面堆叠第一封装基板，上述内插基板，mitje第二封装基板。
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公开(公告)号：KR1020160121764A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：KR1020150077974
申请日：2015-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체패키지및 그제조방법에관한것으로, 패키지기판상에제공된반도체칩, 상기반도체칩 상에제공된방열막, 상기반도체칩과상기방열막의측면들을둘러싸는몰드막, 및상기반도체칩과상기방열막사이에제공된접착막을포함한다. 상기방열막은상기접착막이제공된하면과상기하면의반대면으로서상기몰드막에의해덮이지않는상면을포함한다. 상기방열막은상기상면부터상기하면을향하는방향과평행한상기방열막의두께방향을따라연장되어상기방열막을관통하는홀을더 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140106997A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130021430
申请日：2013-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49866 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to a semiconductor package. The semiconductor package according to one embodiment of the present invention includes a first package substrate; a first semiconductor chip mounted on the first package substrate; and a thermistor array film arranged on the first semiconductor chip. According to one embodiment of the present invention, the thermistor array film includes electrode patterns.
Abstract translation: 本发明涉及半导体封装。 根据本发明的一个实施例的半导体封装包括第一封装衬底; 安装在第一封装基板上的第一半导体芯片; 以及布置在第一半导体芯片上的热敏电阻阵列膜。 根据本发明的一个实施例，热敏电阻阵列膜包括电极图案。
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公开(公告)号：KR1020140062766A
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020120129544
申请日：2012-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention relates to a data communication method for an integrated semiconductor circuit. The data communication method of the present invention includes the steps of detecting the ambient temperature using a temperature sensor; selecting a data communication bandwidth according to the detected temperature; and performing data communication based on the selected bandwidth.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于集成半导体电路的数据通信方法。 本发明的数据通信方法包括以下步骤：使用温度传感器检测环境温度; 根据检测到的温度选择数据通信带宽; 并且基于所选择的带宽执行数据通信。
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公开(公告)号：KR1020130081993A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120003146
申请日：2012-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A laminating structure of a semiconductor package and a mounting structure of a semiconductor package are provided to efficiently discharge heat generated inside to outside by containing a metal. CONSTITUTION: A lower part semiconductor package (120) contains a lower part package substrate (121) and a lower part semiconductor chip (123). The semidonductor package (110) contains an upper package substrate (111) and an upper semiconductor chip (113). The semiconductor chip is arranged on the upper package substrate. A heat transfer unit (140A) is arranged between the lower semiconductor package and an upper semiconductor package. The heat transfer unit contains the metal.
Abstract translation: 目的：提供半导体封装的层压结构和半导体封装的安装结构，以通过容纳金属来有效地将内部产生的热量排出到外部。 构成：下部半导体封装（120）包含下部封装基板（121）和下部半导体芯片（123）。 半导体封装（110）包含上封装衬底（111）和上半导体芯片（113）。 半导体芯片布置在上封装基板上。 传热单元（140A）布置在下半导体封装和上半导体封装之间。 传热单元包含金属。
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