-
公开(公告)号：KR101018750B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020030100070
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
IPC: G09G3/36
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치의 구동 장치에 관한 것으로서, 특히 데이터선 길이 증가에 관계없이 액정의 충전 시간을 확보할 수 있는 액정 표시 장치의 구동 장치에 관한 것이다.
액정 축전기 및 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의 화소, 제1 전압을 생성하는 데이터 구동부, 복수의 스위칭 제어 신호에 따라 상기 제1 전압을 전달하는 복수의 전송 게이트, 상기 전송 게이트에 연결되어 있는 제1 단 및 접지 전압에 연결되어 있는 제2 단을 포함하는 축전기, 그리고 상기 축전기의 제1 단에 연결되어 있는 제1 단자, 소정 구동 전원에 연결되어 있는 제2 단자 및 정전류원을 통하여 상기 스위칭 소자에 연결되어 있는 제3 단자를 포함하는 트랜지스터를 포함한다.
이런 방식으로, 전송 게이트와 화소 사이에 축전기 및 트랜지스터를 배치하여 충전 시간을 확보할 수 있다.
전송게이트, 화소, 축전기, 트랜지스터, 액정충전기, 데이터전압, LTPSAbstract translation: 本发明涉及能够确保液晶的充电时间而不管，特别是数据线长度增加涉及一种液晶显示装置的驱动装置的液晶显示装置的驱动装置。
-
公开(公告)号：KR101012794B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020030087612
申请日：2003-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 제1 다결정 규소막을 형성하는 단계, 제1 다결정 규소막 위에 비정질 규소막을 형성하는 단계, 비정질 규소막에 열처리를 이용한 결정화 공정을 진행하여 제2 다결정 규소막을 형성하는 단계를 포함한다.
박막트랜지스터, 다결정 규소, 결정화, 열처리-
公开(公告)号：KR1020050054540A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030087887
申请日：2003-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 다결정 규소막을 형성하는 단계, 다결정 규소막을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계, 수소 플라즈마를 실시하여 게이트 절연막에 수소를 주입하는 단계, 기판을 열처리 하는 단계, 게이트 절연막 위에 반도체층과 일부분이 중첩하는 게이트선을 형성하는 단계, 반도체층의 소정 영역에 도전형 불순물을 고농도로 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역을 형성하는 단계, 게이트선 및 반도체층을 덮도록 제1 층간 절연막을 형성하는 단계, 제1 층간 절연막 위에 소스 영역과 연결되는 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 영역과 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계, 데이터선 및 드레인 전극 위에 제2 층간 절연막을 형성하는 � ��계, 제2 층간 절연막 위에 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR100997966B1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：KR1020030068646
申请日：2003-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 절연 기판 위에 차단막 및 비정질 규소막을 적층하는 단계, 비정질 규소막을 결정화하여 다결정 규소막을 형성하는 단계, 기판을 UV 세정하는 단계, 기판을 불산을 이용하여 세정하는 단계, 다결정 규소막을 패터닝하여 다결정 규소 패턴을 형성하는 단계, 다결정 규소 패턴을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계, 다결정 규소 패턴에에 도전형 불순물을 고농도로 도핑하여 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역과 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역을 가지는 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층과 적어도 일부분이 중첩하는 게이트 전극을 가지는 게이트선을 형성하는 단계, 반도체층을 덮도록 제1 층간 절연막을 형성하는 단계, 제1 층간 절연막 위에 소스 영역과 연결되는 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 영역과 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계, 데이터선 및 드레인 전극 위에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계, 제2 층간 절연막 위에 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
박막트랜지스터, UV 세정, 다결정화Abstract translation: 分离沉积阻挡膜和在基板上的非晶硅膜，非晶硅结晶化膜的多晶硅以形成膜，其包括：基板清洁UV，还包括：清洗用氢氟酸基板，由多晶硅膜进行图案化是一个多晶硅图案 形成具有形成栅绝缘膜以覆盖多晶硅图案的步骤的半导体，多晶硅掺杂的图案中的一导电型杂质以高浓度杂质掺杂的源和漏区和沟道区的杂质是不掺杂的 连接到形成的层，所述半导体层和至少形成具有栅电极，以部分地重叠的栅极线的工序中，形成第一层间绝缘膜，以覆盖所述半导体层，所述第一源极区中的层间绝缘膜上的步骤源 连接到数据线和具有电极的漏极区的漏极， 和成形，形成第二层间上的数据线和漏电极绝缘膜，形成连接到漏极电极上的第二层间绝缘膜上的像素电极的步骤。
-
公开(公告)号：KR1020080054505A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：KR1020060126821
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
Abstract: A display device of a display apparatus is provided to prevent image sticking by shifting smoothly the same images to left and right directions at plural pixels using noises generated from operation thereof. A display device of a display apparatus includes gate and data drivers(400,500), gate and data signal generators(700,900), and a signal generator(600). The gate driver applies a gate signal to plural pixels. The data driver applies a data signal to the plural pixels. The gate signal generator generates a gate signal to the gate driver and inputs the generated gate signal. The data signal generator generates a data signal to the data driver and inputs the generated data signal. The signal generator controls the gate driver, the data driver, the gate data signal generator, and the data signal generator.
Abstract translation: 提供了一种显示装置的显示装置，用于通过使用由其操作产生的噪声将相同的图像平滑移动到多个像素的左右两个方向来防止图像残留。 显示装置的显示装置包括门和数据驱动器（400,500），门和数据信号发生器（700,900）和信号发生器（600）。 栅极驱动器将门信号施加到多个像素。 数据驱动器将数据信号施加到多个像素。 门信号发生器向栅极驱动器产生栅极信号并输入所产生的栅极信号。 数据信号发生器产生数据信号给数据驱动器并输入所生成的数据信号。 信号发生器控制栅极驱动器，数据驱动器，栅极数据信号发生器和数据信号发生器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050070486A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020030100070
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
IPC: G09G3/36
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치의 구동 장치에 관한 것으로서, 특히 데이터선 길이 증가에 관계없이 액정의 충전 시간을 확보할 수 있는 액정 표시 장치의 구동 장치에 관한 것이다.
액정 축전기 및 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의 화소, 제1 전압을 생성하는 데이터 구동부, 복수의 스위칭 제어 신호에 따라 상기 제1 전압을 전달하는 복수의 전송 게이트, 상기 전송 게이트에 연결되어 있는 제1 단 및 접지 전압에 연결되어 있는 제2 단을 포함하는 축전기, 그리고 상기 축전기의 제1 단에 연결되어 있는 제1 단자, 소정 구동 전원에 연결되어 있는 제2 단자 및 정전류원을 통하여 상기 스위칭 소자에 연결되어 있는 제3 단자를 포함하는 트랜지스터를 포함한다.
이런 방식으로, 전송 게이트와 화소 사이에 축전기 및 트랜지스터를 배치하여 충전 시간을 확보할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101054338B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020030093254
申请日：2003-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
IPC: G01B11/30
Abstract: UV 광을 기판에 조사하는 UV 조사 장치, 기판에서 반사된 UV 광을 결상하는 광학계, 광학계에 의해 결상된 화상을 측정하는 촬상 장치, 촬상 장치의 출력 신호 중 고주파수 성분을 필터링하는 필터를 포함하고, 기판은 결정화 공정이 완료된 기판인 규소 결정화 검사 시스템.
CCD, UV, 스캔, 고주파수, 결정화-
公开(公告)号：KR1020060029365A
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：KR1020040078275
申请日：2004-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 우에모토쯔토모
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L21/0268 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/1285
Abstract: 본 발명에 따른 다결정용 마스크는 레이저빔 또는 빛을 투과시키는 투과 영역을 정의하는 복수의 슬릿을 가지는 다결정용 마스크에 있어서, 슬릿은 제1 슬릿부에 위치하며 일방향으로 일정 간격을 두고 복수개 형성되어 있는 제1 슬릿, 제1 슬릿부와 인접한 제2 슬릿부에 위치하며 제1 슬릿과 어긋나게 배치되어 있으며 제1 슬릿과 동일한 폭을 가지는 복수개의 제2 슬릿, 제1 또는 제2 슬릿부에 인접하게 배치되어 있으며, 중심선의 연장선이 제1 슬릿과 제2 슬릿의 경계선 사이에 위치하고 제1 및 제2 슬릿보다 적은 폭을 가지는 복수개의 제3 슬릿을 포함한다.
SLS, 결정, 박막트랜지스터-
-
公开(公告)号：KR1020050032713A
公开(公告)日：2005-04-08
申请号：KR1020030068646
申请日：2003-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: A method of manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) display panel is provided to secure characteristics of a TFT uniformly on a whole substrate by minimizing protrusions on the surface of a polycrystal silicon film. A blocking film(111) and an amorphous silicon film are stacked on an insulation substrate(110). The amorphous silicon film is crystallized and thereby a polycrystal silicon film is formed. The insulation substrate is cleaned by UV(Ultraviolet) and then cleaned by hydrogen fluoride. The polycrystal silicon film is patterned and thereby a polycrystal silicon pattern is formed. A gate insulation film(140) is formed to cover the polycrystal silicon pattern. A semiconductor layer(150) is formed to have a doped source region(153), a doped drain region(155) and a channel region(154) into which impurity is not doped. A gate line having a gate electrode(124) is formed. The first interlayer insulation film(601) is formed to cover the semiconductor layer. A data line having a source electrode(173) and a drain electrode(173) are formed on the first interlayer insulation film. A pixel electrode(190) connected to the drain electrode is formed on the second interlayer insulation film(602).
Abstract translation: 提供一种制造TFT（薄膜晶体管）显示面板的方法，通过使多晶硅膜的表面上的突起最小化，将TFT的整体特性均匀地保持在整个基板上。 隔离膜（111）和非晶硅膜层叠在绝缘基板（110）上。 非晶硅膜结晶化，形成多晶硅膜。 绝缘基板通过紫外线（UV）进行清洗，然后用氟化氢清洗。 对多晶硅膜进行构图，从而形成多晶硅图案。 形成栅极绝缘膜（140）以覆盖多晶硅图案。 半导体层（150）形成为具有不掺杂杂质的掺杂源极区（153），掺杂漏极区（155）和沟道区（154）。 形成具有栅电极（124）的栅极线。 第一层间绝缘膜（601）形成为覆盖半导体层。 在第一层间绝缘膜上形成具有源电极（173）和漏电极（173）的数据线。 连接到漏电极的像素电极（190）形成在第二层间绝缘膜（602）上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.071 seconds)
