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公开(公告)号：WO2015016584A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2014/006944
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 센서를 이용하여 멀티미디어 데이터의 서비스 품질을 변경하는 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면 서버로부터 제공되는 멀티미디어 데이터를 수신하는 과정과, 상기 수신된 멀티미디어 데이터를 필터링하는 과정과, 상기 필터링된 데이터를 디코딩하고 랜더링하는 과정과, 단말에 연결된 적어도 하나의 센서를 통해 상기 단말에 대한 사용자의 인지도를 측정하는 과정과, 상기 측정된 인지도에 따라 상기 멀티미디어 데이터의 서비스 품질을 변경할 필요가 있는지 판단하는 과정과, 상기 서비스 품질을 변경할 필요가 있다고 판단된 경우, 상기 서비스 품질의 변경에 필요한 정보를 상기 서버로 전송하는 과정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种通过使用传感器来改变多媒体数据服务质量的方法和装置。 本发明包括：从服务器接收多媒体数据; 过滤接收到的多媒体数据，解码和渲染过滤的数据; 通过连接到终端的至少一个传感器来测量用户对终端的认知; 根据测量意识确定是否需要改变多媒体数据服务质量; 以及当确定需要改变服务质量时，发送将服务质量改变到服务器所需的信息。
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公开(公告)号：KR1020160020870A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：KR1020140106164
申请日：2014-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/76804 , H01L21/76883 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/088 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/4236 , H01L29/45 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L29/785 , H01L2924/00
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 기판상에형성되고, 게이트전극및 소오스/드레인을포함하는트랜지스터, 상기트랜지스터를덮는층간절연막, 상기층간절연막내에형성되고, 상기트랜지스터를노출시키는제1 컨택홀, 상기제1 컨택홀내면에컨포멀하게형성되는제1 베리어메탈, 상기제1 베리어메탈상에형성되고, 상기제1 컨택홀을매립하는제1 도전층, 상기층간절연막내에서상기제1 도전층상에형성되고, 상기제1 컨택홀보다큰 너비를갖는제2 컨택홀, 상기제2 컨택홀내면에컨포멀하게형성되는제2 베리어메탈, 및상기제2 베리어메탈상에형성되고, 상기제2 컨택홀을매립하는제2 도전층을포함하되, 상기제2 베리어메탈은상기제1 도전층및 상기제2 도전층사이에형성된다.
Abstract translation: 提供一种具有改进的操作特性的半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件包括：形成在衬底上并包括栅电极和源极/漏极的晶体管; 覆盖晶体管的层绝缘膜; 第一接触孔，形成在所述层间绝缘膜内部并暴露所述晶体管; 顺应地形成在所述第一接触孔的内表面中的第一阻挡金属; 形成在所述第一阻挡金属上并掩埋所述第一接触孔的第一导电层; 第二接触孔，形成在所述层绝缘膜的所述第一导电层的上方，并且具有比所述第一接触孔更大的宽度; 在所述第二接触孔的内表面中顺应地形成的第二阻挡金属; 以及形成在所述第二阻挡金属上并埋入所述第二接触孔的第二导电层，其中所述第二阻挡金属形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间。
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公开(公告)号：KR1020150014125A
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020130089388
申请日：2013-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 센서를 이용하여 멀티미디어 데이터의 서비스 품질을 변경하는 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면 서버로부터 제공되는 멀티미디어 데이터를 수신하는 과정과, 상기 수신된 멀티미디어 데이터를 필터링하는 과정과, 상기 필터링된 데이터를 디코딩하고 랜더링하는 과정과, 단말에 연결된 하나 이상의 센서를 통해 단말에 대한 사용자의 인지도를 측정하는 과정과, 상기 측정된 인지도에 따라 상기 멀티미디어 데이터의 서비스 품질을 변경할 필요가 있는지 판단하는 과정과, 상기 서비스 품질을 변경할 필요가 있다고 판단된 경우, 상기 서비스 품질의 변경에 필요한 정보를 상기 서버로 전송하는 과정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用传感器改变多媒体数据的服务质量的方法和装置。 根据本发明，该方法包括以下步骤：接收由服务器提供的多媒体数据; 过滤收到的多媒体数据; 解码和呈现过滤数据; 通过连接到所述终端的一个或多个传感器测量终端的用户意识; 根据测量意识来确定多媒体数据的服务质量是否需要改变; 并且当确认需要改变服务质量时，发送将服务质量改变为服务器所需的信息。
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公开(公告)号：KR102254031B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020140136531
申请日：2014-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 반도체소자에서, 기판상에제1 단부를갖는제1 게이트구조물이구비된다. 상기제1 게이트구조물과서로이격되고, 상기제1 단부와사선방향으로서로마주하는제2 단부를갖는제2 게이트구조물이구비된다. 상기제1 및제2 게이트구조물의측벽과접촉하면서상기제1 및제2 게이트구조물사이에배치되어상기제1 및제2 게이트구조물을전기적으로연결시키는교차연결패턴이구비된다. 상기제1 게이트구조물의제1 단부의상부와상기교차연결패턴의제1 상부측벽을직접연결시키는제1 콘택플러그가구비된다. 상기제2 게이트구조물의제2 단부의상부와상기교차연결패턴의제2 상부측벽을직접연결시키는제2 콘택플러그가구비된다. 상기반도체소자는교차연결패턴에의한기생커패시턴스가감소될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160042529A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020140136531
申请日：2014-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L29/42364 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체소자에서, 기판상에제1 단부를갖는제1 게이트구조물이구비된다. 상기제1 게이트구조물과서로이격되고, 상기제1 단부와사선방향으로서로마주하는제2 단부를갖는제2 게이트구조물이구비된다. 상기제1 및제2 게이트구조물의측벽과접촉하면서상기제1 및제2 게이트구조물사이에배치되어상기제1 및제2 게이트구조물을전기적으로연결시키는교차연결패턴이구비된다. 상기제1 게이트구조물의제1 단부의상부와상기교차연결패턴의제1 상부측벽을직접연결시키는제1 콘택플러그가구비된다. 상기제2 게이트구조물의제2 단부의상부와상기교차연결패턴의제2 상부측벽을직접연결시키는제2 콘택플러그가구비된다. 상기반도체소자는교차연결패턴에의한기생커패시턴스가감소될수 있다.
Abstract translation: 在半导体器件中，具有第一端部的第一栅极结构形成在基板上。 提供了与第一栅极结构分离的第二栅极结构，并且具有与第一端部对角地相对的第二端部。 交叉连接图案设置在第一和第二栅极结构之间，同时与第一和第二栅极结构的侧壁接触，并且将第一和第二栅极结构彼此电连接。 提供第一接触插头以直接连接第一栅极结构的第一端部的上部和交叉连接图案的第一上侧壁。 提供第二接触插头以直接连接第二栅极结构的第二端部的上部和交叉连接图案的第二上侧壁。 在半导体器件中，由于交叉连接图案，寄生电容可能减小。
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公开(公告)号：KR1020000040590A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980056259
申请日：1998-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for forming alignment keys of a wafer is provided to obtain alignment keys having surface roughness different from etching portions surrounding the alignment keys. CONSTITUTION: A method for forming alignment keys of a wafer comprises forming a patterned oxide layer over a wafer(220), forming alignment keys(280) by etching a portion of the wafer surface(222) with the oxide layer as an etching mask, and removing the oxide layer. In forming the alignment keys(280), a radio frequency power is applied to the etched portion(224) of the wafer to make the etched portion(224) more rough than the rest of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成晶片的对准键的方法，以获得具有与对准键周围的蚀刻部分不同的表面粗糙度的对准键。 构成：用于形成晶片的对准键的方法包括在晶片（220）上形成图案化氧化物层，通过用氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻晶片表面（222）的一部分来形成对准键（280） 并除去氧化物层。 在形成对准键（280）时，向晶片的蚀刻部分（224）施加射频功率，使得蚀刻部分（224）比其余晶片更粗糙。
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