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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210034711A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190115842A
申请日：2019-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1012 , G06F3/0619 , G11C13/0004 , G11C13/0035 , G11C16/0483 , G11C16/3495 , G11C29/52
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 제 1 불휘발성 메모리 칩, 제 2 불휘발성 메모리 칩, 및 컨트롤러를 포함하되, 컨트롤러는 온-칩 메모리에 로드된 FTL을 실행하는 프로세서, 데이터에 대한 제 1 패리티 비트들을 생성하고 그리고 프로세서의 제어에 따라 데이터에 대한 제 2 패리티 비트들을 선택적으로 생성하도록 구성되는 ECC 엔진, 및 데이터 및 제 1 패리티 비트들을 제 1 불휘발성 메모리 칩으로 전송하고 그리고 선택적으로 생성되는 제 2 패리티 비트들을 제 2 불휘발성 메모리 칩으로 선택적으로 전송하도록 구성되는 불휘발성 메모리 인터페이스 회로를 포함한다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210025162A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190104615A
申请日：2019-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/34 , H01L27/105
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/0441 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3459 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/22 , H01L27/105 , G11C2211/5621
Abstract: 본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치의 각 메모리 블록은 제1 필라의 제1 메모리 셀들 및 제2 필라의 제2 메모리 셀들을 포함한다. 불휘발성 메모리 장치는 메모리 블록들 중 선택된 메모리 블록에서 연속한 주소들에 기반하여 프로그램 동작들을 수행할 때, 제1 및 제2 메모리 셀들 중에서 제1 필라와 제2 필라의 경계에 인접하지 않은 비인접 메모리 셀들의 제1 프로그램 동작들을 순차적으로 완료한 후에, 경계에 인접한 인접 메모리 셀의 제2 프로그램 동작을 완료하도록 구성된다.
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公开(公告)号：KR102234592B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020140096657A
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치는 데이터 저장 장치는 제1 워드 라인에 연결된 복수의 제1 메모리 셀들 및 제2 워드 라인에 연결된 복수의 제2 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리; 상기 복수의 제1 메모리 셀들에 프로그램될 복수의 제1 데이터들을 제1 및 제2 데이터 그룹들로 분할하고, 상기 복수의 제2 메모리 셀들에 프로그램될 복수의 제2 데이터들을 복수의 제3 및 제4 데이터 그룹들로 분할하는 메모리 컨트롤러를 포함하고, 상기 불휘발성 메모리는 상기 제1 데이터 그룹의 제1 프로그램 동작 및 상기 제3 데이터 그룹의 제2 프로그램 동작을 순차적으로 수행한 후, 상기 제2 데이터 그룹의 제3 프로그램 동작 및 상기 제4 데이터 그룹의 제4 프로그램 동작을 순차적으로 수행한다.
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公开(公告)号：KR20210025249A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190105004A
申请日：2019-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0659 , G11C16/14 , G06F3/0604 , G06F3/0652 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3459
Abstract: 본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 시스템의 동작 방법은, 비휘발성 메모리에 포함된 메모리 그룹의 소거 시점으로부터 프로그램 시점 사이의 시간을 나타내는 EPI(Erase Program Interval)를 검출하고, 검출된 EPI를 기초로 메모리 그룹에 대한 프로그램 모드를, 각 메모리 셀에 저장하는 데이터 비트 수에 따라 미리 정의된 복수의 프로그램 모드들 중 하나로 결정하며, 결정된 프로그램 모드로 메모리 그룹에 대한 프로그램 동작을 수행한다.
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公开(公告)号：KR1020160014860A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140096657
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C8/12 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 본발명의실시예에따른데이터저장장치는데이터저장장치는제1 워드라인에연결된복수의제1 메모리셀들및 제2 워드라인에연결된복수의제2 메모리셀들을포함하는불휘발성메모리; 상기복수의제1 메모리셀들에프로그램될복수의제1 데이터들을제1 및제2 데이터그룹들로분할하고, 상기복수의제2 메모리셀들에프로그램될복수의제2 데이터들을복수의제3 및제4 데이터그룹들로분할하는메모리컨트롤러를포함하고, 상기불휘발성메모리는상기제1 데이터그룹의제1 프로그램동작및 상기제3 데이터그룹의제2 프로그램동작을순차적으로수행한후, 상기제2 데이터그룹의제3 프로그램동작및 상기제4 데이터그룹의제4 프로그램동작을순차적으로수행한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，数据存储装置包括：非易失性存储器，包括连接到第一字线的多个第一存储器单元和连接到第二字线的多个第二存储器单元; 以及存储器控制器，其将要在第一存储器单元中编程的多个第一数据划分为第一和第二数据组，并将要在第二存储器单元中编程的多个第二数据划分为第三和第四数据组。 非易失性存储器件在顺序执行第一数据组的第一编程操作和第三数据组的第二编程操作之后，顺序地执行第二数据组的第三编程操作和第四数据组的第四编程操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102234592B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020140096657
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른데이터저장장치는데이터저장장치는제1 워드라인에연결된복수의제1 메모리셀들및 제2 워드라인에연결된복수의제2 메모리셀들을포함하는불휘발성메모리; 상기복수의제1 메모리셀들에프로그램될복수의제1 데이터들을제1 및제2 데이터그룹들로분할하고, 상기복수의제2 메모리셀들에프로그램될복수의제2 데이터들을복수의제3 및제4 데이터그룹들로분할하는메모리컨트롤러를포함하고, 상기불휘발성메모리는상기제1 데이터그룹의제1 프로그램동작및 상기제3 데이터그룹의제2 프로그램동작을순차적으로수행한후, 상기제2 데이터그룹의제3 프로그램동작및 상기제4 데이터그룹의제4 프로그램동작을순차적으로수행한다.
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公开(公告)号：KR102219292B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020140092079
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체메모리장치는, 검증전압을제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제1 검증동작을수행하고, 프로그램데이터가프로그램되는다수의메모리셀로구성된메모리셀 어레이, 상기메모리셀 어레이로부터상기프로그램데이터를센싱하여센싱데이터를생성하는센싱부, 상기프로그램데이터와상기센싱데이터를비교하는조건판단부및 상기프로그램데이터와상기센싱데이터의비교결과를기반으로, 상기검증전압을제2 전압레벨로부터제2 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제1 검증제어, 또는상기검증전압을상기제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제2 검증제어를수행하는검증동작제어부를포함하는컨트롤로직을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101785003B1
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020100095406
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의본 발명에의한워드라인전압발생방법은, 타겟음전압이이전의타겟음전압보다높은경우음전압발생기의출력을방전하는단계, 그리고상기방전결과가상기타겟음전압보다높으면음전하펌핑을수행하여상기타겟음전압을발생하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的本发明的字线电压产生的方法，所述目标负电压来执行目标的传递比以下步骤放电电压发生器的输出端的负电压高，放电导致虚拟其他geteum高负电荷泵浦比电压 并产生目标负电压。
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公开(公告)号：KR1020160011068A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140092079
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/143 , G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체메모리장치는, 검증전압을제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제1 검증동작을수행하고, 프로그램데이터가프로그램되는다수의메모리셀로구성된메모리셀 어레이, 상기메모리셀 어레이로부터상기프로그램데이터를센싱하여센싱데이터를생성하는센싱부, 상기프로그램데이터와상기센싱데이터를비교하는조건판단부및 상기프로그램데이터와상기센싱데이터의비교결과를기반으로, 상기검증전압을제2 전압레벨로부터제2 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제1 검증제어, 또는상기검증전압을상기제1 전압레벨로부터제1 시간동안셋업하여제2 검증동작수행을제어하는제2 검증제어를수행하는검증동작제어부를포함하는컨트롤로직을포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体存储器件包括：存储单元阵列，用于通过在第一时间段内设置来自第一电压电平的验证电压来执行第一验证操作，并且由多个存储器单元组成，其中存储单元阵列 程序数据被编程; 感测单元，用于通过从存储单元阵列感测节目数据来产生感测数据; 条件确定单元，用于将节目数据与感测数据进行比较; 以及控制逻辑，包括验证操作控制单元，用于通过在第二时间段内从第二电压电平设置验证电压来执行用于控制第二验证操作的第一验证控制，并执行用于执行第二验证操作的第二验证控制 通过基于程序数据和感测数据的比较结果，在第一时间段内设置来自第一电压电平的验证电压。
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公开(公告)号：KR1020120033724A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100095406
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/34 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/30 , G11C16/344 , G11C16/3459
Abstract: PURPOSE: A flash memory device and a method for generating a word line voltage thereof are provided to efficiently read and verify data distributed in a negative voltage domain by converting a negative word line voltage level at high speed. CONSTITUTION: It is discriminated whether a negative voltage is continuously generated(S1000). It is determined whether a negative charge pumping result is equal to or lower than a target negative voltage(S1100). If the negative voltage is not continuously generated, a negative charge is pumped. If the target negative voltage is higher than a prior target negative voltage, the output of a negative voltage generator is discharged(S1200). The target negative voltage is generated by pumping the negative charge if the discharge result is higher than the target negative voltage(S1300).
Abstract translation: 目的：提供闪速存储装置及其字线电压的产生方法，以通过高速转换负字线电压电平来有效地读取和验证分布在负电压域中的数据。 构成：判断是否连续产生负电压（S1000）。 确定负电荷泵送结果是否等于或低于目标负电压（S1100）。 如果不连续产生负电压，则泵送负电荷。 如果目标负电压高于先前的目标负电压，则负电压发生器的输出被放电（S1200）。 如果放电结果高于目标负电压，则通过泵送负电荷来产生目标负电压（S1300）。
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