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公开(公告)号:KR1019970030277A
公开(公告)日:1997-06-26
申请号:KR1019950039207
申请日:1995-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 배기덕트의 부식을 방지할 수 있는 고온 CVD시스템에 관한 것으로서, 그 구성은 챔버(12)에 HCI 가스를 주입하여 내부의 부산물을 세척하고, 세척된 부산물이 혼합된 배기물이 배기펌프(14)에 의해서 CDO 스쿠루(16)를 통하여 가연배기덕트(18)로 배기되도록 구성되어 있고, 그리고 상기 CDO 스크루버(16)와 상기 가연배기덕트(18)사이에 연결된 배관에서 분기되는 분기배관과; 상기 부기배관에 연결되어 있는 산배기덕트(32)와; 상기 배관과 상기 분기배관에 각각 설치되어 있고 그리고 서로 연동하여 작동하는 제1, 2밸브(30a, 30b)를 부가하여, 막형성공정시에는 배기물이 상기 제1밸브(30a)만을 통하여 상기 가연배기덕트(18)로 제공되고 그리고, 챔버세정공정시에는 상기 배기물이 상기 제2밸브(30b)만을 통하여 상기 산배기덕트(32)로 제공되도록 작동되어 있다. 상술한 반도체소자의 제조장치에 의하면, 챔버세정공정이 여러회 실시되어도 챔버내에 주입된 가스에 의해서 상기 부산물이 HCI 가스와 반응되지 않거나 반응되어도 가연배기덕드가 부식되지 않는다.
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公开(公告)号:KR1019980065651A
公开(公告)日:1998-10-15
申请号:KR1019970000763
申请日:1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 유재문
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 화학기상 증착(CVD) 장치의 서셉터(susceptor)를 개시한다. 이는 원통형 플레이트(plate); 상기 플레이트 상부 표면에 형성된 홈들; 상기 플레이트의 상부와 하부를 관통하여 상기 플레이트와 상기 플레이트 상에 올려진 웨이퍼 사이에 축적된 가스를 배출시키는 홀들(hole); 및 상기 홀을 통해 상기 플레이트 상에 올려진 웨이퍼를 상하로 이동시키는 이동 수단을 구비한다. 즉 웨이퍼를 로딩할 때 웨이퍼와 접촉된 부분에 축적된 가스를 배출시킴으로써 웨이퍼의 미끄러짐(slip)을 방지할 수 있고 그 결과 웨이퍼는 로딩된 위치를 그대로 유지할 수 있어 언로딩시 웨이퍼가 손상되는 현상이 나타나지 않는다.
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公开(公告)号:KR1019930008140B1
公开(公告)日:1993-08-26
申请号:KR1019900021686
申请日:1990-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/26
Abstract: The system comprises a coater (12), level-sensor (4) that senses waste fluid accumulation amount, main-tank (8) including the waste photoresist fluid tank and the waste fluid pipe cleaning solution tank, pump (3) operating by the sensor (4) for main tank (8) and pipe-cleaned solution tank, ball-valve (1) and air (-) operated valve (2) controlling the pump. Waste photoresist fluid in the process-line (a) is discharged into main-tank (8) placed underground via path-B and pipe-cleaned solution in tank (13) is injected from the underground line (6) to the process-line (a) through path-A.
Abstract translation: 该系统包括感测废液积聚量的涂布机(12),液位传感器(4),包括废光致抗蚀剂流体箱和废液管清洗溶液箱的主罐(8),由泵 用于主油箱(8)的传感器(4)和管道清洁溶液罐,球阀(1)和控制泵的空气( - )操作阀(2)。 过程管线(a)中的废光致抗蚀剂流体通过路径B被排放到主槽(8)中,并且在罐(13)中的管道清洁溶液从地下管线(6)注入到处理线 (a)通过路径A。
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