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公开(公告)号：KR102233073B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140172248A
申请日：2014-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/495 , H01L29/4966
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기판으로부터 돌출하여 일방향으로 연장된 액티브 핀, 액티브 핀의 일측에 액티브 핀과 교차하도록 연장된 제1 소자 분리막, 액티브 핀의 타측에 액티브 핀과 교차하도록 연장되고, 그 상면이 제1 소자 분리막의 상면보다 높은 제2 소자 분리막, 액티브 핀 상에 액티브 핀과 교차하도록 연장된 노멀 게이트, 액티브 핀 및 제1 소자 분리막 상에 액티브 핀과 교차하도록 연장된 제1 더미 게이트, 및 제2 소자 분리막 상에 액티브 핀과 교차하는 방향으로 연장된 제2 더미 게이트를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102231205B1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020140161944A
申请日：2014-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L29/78645 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0883 , H01L27/0886 , H01L27/092 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L27/088 , H01L27/0924 , H01L2924/0002
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 상에 각각 형성된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 상에 형성된 제1 컨택, 및 상기 제2 트랜지스터 상에 형성된 제2 컨택을 포함하되, 상기 제1 컨택은 제1 두께의 제1 일함수 조절막과, 상기 제1 일함수 조절막 상에 형성되는 제1 도전층을 포함하고, 상기 제2 컨택은 상기 제1 두께와 다른 제2 두께의 제2 일함수 조절막과, 상기 제2 일함수 조절막 상에 형성되는 제2 도전층을 포함하고, 상기 제1 컨택과 상기 제2 컨택은 서로 다른 일함수를 갖는다.
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公开(公告)号：KR102231208B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020140149483A
申请日：2014-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L27/0924 , H01L29/66545 , H01L29/7853
Abstract: 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 핀 및 제2 핀을 형성하고, 상기 제1 및 제2 핀의 상부가 노출되도록 상기 기판 상에 소자 분리막을 형성하고, 상기 소자 분리막 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측 중 적어도 일측에 에피텍셜 성장을 이용하여 소오스 또는 드레인을 형성하고, 상기 소오스 또는 드레인을 형성한 뒤, 상기 제1 핀 및 상기 제2 핀 사이에 위치하는 상기 게이트 전극을 식각하여 상기 소자 분리막을 노출시키는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170041515A
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020150141047
申请日：2015-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0649 , H01L29/0657
Abstract: 집적회로소자는소자간분리영역의표면에돌출된쌍봉형상의돌출부를포함한다. 집적회로소자를제조하기위하여, 소자간분리영역에서기판에복수의그루브를형성하고, 복수의그루브사이에서기판의표면을일부제거하여리세스를형성하고, 소자영역및 소자간분리영역에서기판을식각하여소자영역에는적어도하나의핀형활성영역을형성하고소자간분리영역에는기판의표면에쌍봉형상의돌출부를형성한다.
Abstract translation: 集成电路元件包括从元件间隔离区域的表面突出的双金属突起。 为了制造集成电路器件，在器件与器件分离区域中在衬底中形成多个沟槽，通过部分地去除多个沟槽之间的衬底的表面来形成凹槽， 通过蚀刻在元件区域中形成至少一个钉扎有源区域，并且在元件隔离区域中在衬底的表面上形成双极突起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160102787A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020150025302
申请日：2015-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/7831 , H01L29/7813 , H01L29/785
Abstract: 반도체소자형성방법을제공한다. 이방법은반도체기판내에제1 도전형의제1 웰영역및 상기제1 도전형과다른제2 도전형의제2 웰영역을형성하고, 상기반도체기판상에제1 핀활성영역및 제2 핀활성영역을한정하는트렌치소자분리영역을형성하고, 상기제1 및제2 핀활성영역들및 상기트렌치소자분리영역을갖는기판상에희생게이트층을형성하고, 상기희생게이트층 상에하드마스크라인을형성하고, 상기하드마스크라인상에게이트컷 개구부를갖는게이트컷 마스크를형성하되, 상기게이트컷 개구부는상기제1 및제2 핀활성영역들사이에형성되는상기제1 및제2 웰영역들사이의경계와중첩하며상기하드마스크라인과교차하는방향성을갖는라인모양으로형성되고, 상기게이트컷 마스크를식각마스크로이용하여상기하드마스크라인을식각하여서로이격된제1 및제2 하드마스크패턴들을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一阱区和具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二阱区; 形成在所述半导体衬底上限定第一和第二有源区的沟槽器件分离区; 在具有具有第一和第二鳍状物活性区域的牺牲栅极层的衬底上形成牺牲栅极层，以及沟槽器件分离区域; 在牺牲栅极层上形成硬掩模层; 以及在所述硬掩模层上形成具有栅极切割开口部分的栅极切割掩模，其中，所述栅极切割区域与形成在所述第一和第二鳍状物活性区域之间的所述第一和第二阱区域之间的边界重叠， 与硬掩模线相交，并且具有通过使用栅极切割掩模作为蚀刻掩模蚀刻栅极切割掩模而彼此间隔开的第一和第二硬掩模图案。
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公开(公告)号：KR1020160082064A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140194004
申请日：2014-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/7854 , H01L29/7813 , H01L29/7812 , H01L29/7831
Abstract: 개발부담을최소화할수 있는반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는핀(fin)을정의하는제1 깊이의제1 트렌치; 상기제1 트렌치에바로인접하여형성되고, 상기제1 깊이보다더 깊은제2 깊이의제2 트렌치; 상기제1 트렌치의일부및 상기제2 트렌치의일부를채우는필드절연막; 및상기제1 트렌치의바닥에서돌출되어형성되고, 상기필드절연막의표면보다는낮은돌출구조(protrusion structure)를포함한다.
Abstract translation: 提供能够最小化开发负担的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：具有第一深度以限定翅片的第一沟槽; 直接与第一沟槽相邻并且具有大于第一深度的第二深度的第二沟槽; 填充所述第一沟槽的一部分和所述第二沟槽的一部分的场绝缘膜; 以及从所述第一沟槽的底部突出并且低于所述场绝缘膜的表面的突起结构。
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公开(公告)号：KR1020140082549A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020130078291
申请日：2013-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention relates to a method of switching, by a user equipment (UE), radio access technology (RAT) in a wireless communication system including the steps of: detecting an event representing an operation of switching to second RAT which is different from first RAT while using the first RAT; determining whether a RAT switching operation condition is satisfied after detecting the event; and performing the RAT switching operation when the RAT switching operation condition is satisfied.
Abstract translation: 本发明涉及一种由用户设备（UE）在无线通信系统中切换无线接入技术（RAT）的方法，包括以下步骤：检测表示切换到与第一RAT不同的第二RAT的操作的事件 RAT，同时使用第一RAT; 在检测到事件之后，确定是否满足RAT切换操作条件; 以及当RAT切换操作条件满足时执行RAT切换操作。
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公开(公告)号：KR102231205B1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020140161944
申请日：2014-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 제1 영역과제2 영역을포함하는기판, 상기제1 영역과상기제2 영역상에각각형성된제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터, 상기제1 트랜지스터상에형성된제1 컨택, 및상기제2 트랜지스터상에형성된제2 컨택을포함하되, 상기제1 컨택은제1 두께의제1 일함수조절막과, 상기제1 일함수조절막상에형성되는제1 도전층을포함하고, 상기제2 컨택은상기제1 두께와다른제2 두께의제2 일함수조절막과, 상기제2 일함수조절막상에형성되는제2 도전층을포함하고, 상기제1 컨택과상기제2 컨택은서로다른일함수를갖는다.
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