公开(公告)号：KR100663339B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020000035411

申请日：2000-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유제환

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 특정 시간 모니터링 회로를 구비한 반도체 메모리 장치를 공개한다. 그 장치는 테스트시에 테스트 신호에 응답하여 제1패드를 통하여 입력되는 신호를 입력하기 위한 신호 입력 회로, 및 신호 입력 회로를 통하여 입력되는 신호를 특정 시간의 소정 배수의 지연 시간을 가지고, 입력되는 신호를 지연하여 제2패드를 통하여 출력하기 위한 소정 개수의 직렬 연결된 제1지연 회로를 구비하는 특정 시간 모니터링 회로를 구비하여, 공정에 따른 특정 시간의 변화를 모니터링하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정에 의한 특정 시간의 변화를 모니터링하여 공정에 의한 특정 시간의 변화를 계산하고, 클럭 버퍼의 지연 시간을 조절함으로써 스펙상의 특정 시간으로 조절하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100512934B1

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：KR1020020001262

申请日：2002-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임규남 ,  유제환 ,  강영구 ,  이종원 ,  심재윤

IPC: G11C8/08

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227 ,  G11C2207/2281

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치를 공개한다. 그 장치는 복수개의 워드 라인들과 복수개의 비트 라인쌍들사이에 연결된 복수개의 메모리 셀들을 구비한 메모리 셀 어레이, 액티브 명령에 응답하여 로우 어드레스를 입력하여 디코딩하는 디코더, 디코더의 출력신호에 응답하여 복수개의 워드 라인들중 하나의 워드 라인을 선택하는 워드 라인 선택회로, 하나의 워드 라인을 선택하기 위한 워드 라인 선택회로와 거의 동일한 구성을 가지고 디코더의 출력신호에 응답하여 하나의 워드 라인과 거의 동일한 라인 캐패시턴스를 가지는 더미 워드 라인을 선택하는 더미 워드 라인 선택회로, 및 상기 워드 라인을 인에이블하기 위한 인에이블 전압과 동일한 전원전압에 연결되고, 더미 워드 라인의 신호를 입력하여 워드 라인 인에이블 검출신호를 발생하는 슈미트 트리거로 구성되어 있다. 따라서, 비트 라인 센스 인에이블 신호를 발생하기 위한 회로의 레이아웃 면적이 줄어들게 되고, 공정, 전압, 및 온도 변화에 관계없이 일정한 지연시간 후에 비트 라인 센스 인에이블 신호가 발생되게 된다.

公开(公告)号：KR100501708B1

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020020075639

申请日：2002-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유제환

IPC: F16C33/00

Abstract: 하우징 일체형 오일함침 소결베어링 유닛이 개시된다. 개시된 본 발명의 하우징 일체형 오일함침 소결베어링 유닛은, 축과 베어링 본체 사이의 상대회전에 의해 발생되는 동압효과에 의해 축을 비접촉 지지하는 오일함유 소결베어링 및 상기 소결베어링을 수용하는 하우징을 포함하는 오일함침 소결베어링 유닛에 있어서, 상기 하우징과 소결베어링을 일체형으로 구성한 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 오일함침 소결베어링 유닛은, 상기 소결베어링의 하단부에 형성된 스페이스를 더 포함하고, 소결베어링의 내측에 하나 이상의 홈이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 오일함침 소결베어링 유닛은, 상단부에 베어링의 내경이 확장되는 경사부를 갖고 베어링과 하우징역할을 동시에 수행하는 오일함유 일체형소결베어링; 상기 일체형소결베어링의 하단부에 형성되어 있는 스페이스; 상기 일체형소결베어링의 내측에 일정한 간격으로 형성된 하나 이상의 홈; 상기 일체형소결베어링의 상단부에 구비된 오일비산방지와셔;를 포함하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR100468723B1

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020020018051

申请日：2002-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최종현 ,  유제환 ,  이종언 ,  장현순

IPC: G11C11/4072

CPC classification number: G11C5/143

Abstract: A semiconductor device is provided for controlling entry to and exit from a power down (DPD) mode of a semiconductor memory comprising; a plurality of voltage generators for providing operating voltages to the semiconductor memory; a DPD controller for detecting a DPD condition and generating a DPD signal to control the application of the operating voltages to the semiconductor memory; and biasing circuitry for biasing a plurality of nodes of at least one of the plurality of voltage generators to at least one predetermined voltage potential to prevent false triggering of circuits upon entry/exit of DPD mode. Also provided is a semiconductor device, comprising: a plurality of input buffers for buffering a plurality of DPD-type signals for signaling a power down (DPD) condition including a DPD enter/exit signal: an auxiliary buffer for separately buffering the DPD enter/exit signal; a plurality of voltage generators for supplying operating voltages to internal circuit; DPD control circuit for receiving the DPD-type signals to decode DPD enter and exit commands and for outputting a voltage generator control signal to turn off the voltage generators when DPD enter command is decoded, and to turn off the plurality of buffers excluding the auxiliary buffer; and an auto-pulse generator for generating a voltage pulse upon receiving the DPD exit command to initialize internal circuits of the semiconductor device.

Abstract translation: 提供一种用于控制半导体存储器进入和退出掉电（DPD）模式的半导体器件，该半导体存储器包括： 多个电压发生器，用于向半导体存储器提供操作电压; DPD控制器，用于检测DPD条件并产生DPD信号以控制将操作电压施加到半导体存储器; 以及偏置电路，用于将所述多个电压发生器中的至少一个的多个节点偏置到至少一个预定电压电位，以防止在进入/退出DPD模式时电路的错误触发。 还提供了一种半导体器件，包括：多个输入缓冲器，用于缓冲用于发信号通知包括DPD输入/输出信号的断电（DPD）状态的多个DPD类型信号;辅助缓冲器，用于单独地缓冲DPD输入/ 退出信号; 多个电压发生器，用于向内部电路提供工作电压; DPD控制电路，用于接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令，并且用于在DPD输入命令被解码时输出电压发生器控制信号以关闭电压发生器，并且关闭除辅助缓冲器之外的多个缓冲器 ; 以及自动脉冲发生器，用于在接收到DPD退出命令时产生电压脉冲以初始化半导体器件的内部电路。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100468722B1

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020020018050

申请日：2002-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최종현 ,  유제환 ,  이종언 ,  장현순

IPC: G11C11/4074

CPC classification number: G11C5/143 ,  G11C7/22

Abstract: A semiconductor device for controlling entry to and exit from a power down mode (DPD) of a semiconductor memory, comprising a plurality of voltage generators for providing operating voltages to the semiconductor memory; a DPD controller for detecting a DPD condition and for generating a DPD signal to control the application of the operating voltages to the semiconductor memory; and circuitry for controlling the timing of turning on/off the plurality of voltage generators upon entry/exit of DPD mode to reduce surge current through the semiconductor memory to less than maximum current level.

Abstract translation: 一种半导体器件，用于控制进入和退出半导体存储器的断电模式（DPD）的进入，包括多个电压发生器，用于向半导体存储器提供工作电压; DPD控制器，用于检测DPD状态并产生DPD信号以控制对半导体存储器的工作电压的施加; 以及用于在进入/退出DPD模式时控制开启/关闭多个电压发生器的定时以将通过半导体存储器的浪涌电流减小到小于最大电流水平的电路。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020040091514A

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020030070992

申请日：2003-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한석균 ,  김덕수 ,  유제환

IPC: G02B26/10

CPC classification number: G02B26/122 ,  H02P6/182

Abstract: PURPOSE: An optical scanning device is provided to maintain constantly the internal temperature of a housing by installing a driving chip of a polygon mirror motor at an outside of a housing. CONSTITUTION: An optical scanning device includes a housing(150), an optic system, a motor(120), and a driving chip(140). The optic system is installed in the inside of the housing and includes a light source for irradiating laser beams, a polygon mirror for scanning laser beams, and a plurality of optical elements for forming images of laser beams. The motor is installed in the inside of the housing in order to rotate the polygon mirror. The driving chip is installed at the outside of the housing in order to control the rotation speed of the motor.

Abstract translation: 目的：提供一种光学扫描装置，通过在外壳的外部安装多面镜电机的驱动芯片来恒定地维持壳体的内部温度。 构成：光学扫描装置包括壳体（150），光学系统，电动机（120）和驱动芯片（140）。 光学系统安装在壳体的内部，并且包括用于照射激光束的光源，用于扫描激光束的多面镜，以及用于形成激光束的图像的多个光学元件。 电机安装在外壳的内侧，以便旋转多面镜。 为了控制电动机的转速，驱动芯片安装在壳体的外部。

公开(公告)号：KR1020040013885A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020046993

申请日：2002-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심재윤 ,  유제환

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G01K7/015 ,  G01K3/005

Abstract: PURPOSE: A temperature sensor having a shifted temperature detection circuit appropriate for high speed test and a method for detecting a shifted temperature are provided to detect the shifted temperature shifted from a target temperature without varying a temperature in a process chamber, and to reduce a working time required in temperature tuning. CONSTITUTION: According to the temperature sensor(100) having a reduced resistance part(NO1) where a current is decreased according to the increase of a temperature, a weighted resistance string part(150) has a plurality of binary weighted resistors connected in serial between the reduced resistance part and a ground port(VSS). And a short switching part(160) shorts each of the binary weighted resistors selectively in response to test input signals to detect the shifted temperature of the above temperature sensor.

Abstract translation: 目的：提供一种温度传感器，具有适用于高速测试的移位温度检测电路和检测转换温度的方法，以检测从目标温度偏移的位移温度，而不改变处理室中的温度，并减少工作 温度调节所需的时间。 构成：根据温度传感器（100），其具有根据温度升高而电流减小的电阻部分（NO1），加权电阻串部分（150）具有串联连接的多个二进制加权电阻器 减小电阻部分和接地端口（VSS）。 并且短切换部分（160）响应于测试输入信号选择性地使每个二进制加权电阻器短路，以检测上述温度传感器的移位温度。

公开(公告)号：KR1020030066230A

公开(公告)日：2003-08-09

申请号：KR1020020006568

申请日：2002-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유제환

IPC: B21D53/10

CPC classification number: B21D17/02 ,  B21D53/10 ,  H01L41/1132

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for molding dynamic pressure producing groove of hydrodynamic bearing are provided to mold the dynamic pressure producing groove within a short period of time at a low price. CONSTITUTION: The apparatus includes a cylindrical core rod(50) having outer diameter smaller than the inner circumference(41) of the metal blank so that the core rod is inserted into inner circumference of bearing body forming metal blank(40); a molding pattern tool(60) projectingly installed on the outer circumference of the core rod in a certain pattern corresponding to a dynamic pressure producing groove molded on the inner circumference(41) of the metal blank; and a pressing means which is installed between the molding pattern tool and core rod and molds the dynamic pressure producing groove by forcibly moving the molding pattern tool to the inner circumferential side of the metal blank when the core rod is inserted into the inner circumference of the metal blank, wherein the pressing means comprises a piezoelectric element(70) expanded by impressed power supply so that the piezoelectric element presses the pattern tool to the inner circumferential side of the metal blank.

Abstract translation: 目的：提供一种用于模拟流体动力轴承动压产生槽的方法和装置，以较低的价格在短时间内模制动压产生槽。 构成：该装置包括外径小于金属坯料的内周面（41）的圆柱形芯棒（50），使得芯棒插入到形成金属坯料（40）的轴承体的内圆周上。 模制图案工具（60）以对应于模制在金属坯料的内圆周（41）上的动态压力产生槽的一定模式突出地安装在芯棒的外圆周上; 以及按压装置，其安装在成形图案工具和芯棒之间，并且当芯棒插入到金属坯料的内周时，通过强制地将成型图案工具移动到金属坯料的内周侧来模制动压产生槽 金属坯料，其中所述按压装置包括通过外加电源膨胀的压电元件（70），使得所述压电元件将所述图案工具压向所述金属坯料的内周侧。

公开(公告)号：KR1020030039586A

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：KR1020010070551

申请日：2001-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유제환 ,  김남종

IPC: H01L27/092

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve an operation speed of each device by optimizing the use of bitline poly and metal, and to reduce a chip size by using the first metal layer as a bus for signal transmission in a widthwise direction. CONSTITUTION: The first conductive layer is used as source terminals(414,417,424,427) and drain terminals(415,418,425,428) of a PMOS transistor and an NMOS transistor. The second conductive layer connects the drain terminal of the PMOS transistor with the drain terminal of the NMOS transistor wherein the second conductive layer is not formed in an active region. A direct contact connects the active regions of the PMOS transistor and the NMOS transistor with the first conductive layer used as the source terminal and the drain terminal. A metal contact connects the drain terminal of the PMOS transistor with the second conductive layer while connecting the drain terminal of the NMOS transistor with the second conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件，通过优化位线多晶硅和金属的使用来提高每个器件的工作速度，并通过使用第一金属层作为在宽度方向上进行信号传输的总线来减小芯片尺寸。 构成：第一导电层用作PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极端子（414,417,424,427）和漏极端子（415,418,425,428）。 第二导电层将PMOS晶体管的漏极端子与NMOS晶体管的漏极端子连接，其中第二导电层未形成在有源区域中。 直接接触将PMOS晶体管和NMOS晶体管的有源区域与用作源极端子和漏极端子的第一导电层连接。 金属接触将PMOS晶体管的漏极端子与第二导电层连接，同时将NMOS晶体管的漏极端子与第二导电层连接。

公开(公告)号：KR100247920B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019960080105

申请日：1996-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유제환

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C29/84

Abstract: 본 발명은 로우 리던던시 구조를 갖는 반도체 메모리 장치 및 불량 셀 구제 방법에 관한 것으로서, 특히 정상 동작 모드에서 리던던시 사용 여부에 의한 속도 지연을 배제하여 메모리 칩의 동작 속도를 향상시키는 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 구조 및 불량 셀 구제 방법에 관한 것이다. 본 발명은 복수 개의 글로발 블락을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 글로발 블락은 노말 블락과 리던던시 블락을 가지는 복수 개의 단위 매트리스들; 노말 분할 워드라인 드라이버; 리던던시 분할 워드라인 드라이버; 주 디코더; 및 보조 디코더를 구비하며,상기 주디코더는 상기 리던던시 셀의 사용 여부에 관계없이 로우 어드레스 신호에 의해 선택적으로 그 출력 신호가 액티브되고; 상기 보조 디코더는 정상 동작 모드에서 글로발 블락을 선택하는 로우 어드레스 신호에 의하여 해당 글로발 블락이 선택되거나 리던던시 동작 모드에서 해당 블락의 리던던시 구조를 사용할 경우에, 로우 어드레스 신호에 의해 선택적으로 그 출력 신호가 액티브되는 것을 특징으로 하여, 정상 동작 모드에서 노말 패스의 워드라인 인에이블 싯점을 빠르게 하여 메모리 칩의 동작 속도를 향상시키며, 또한 불량 셀이 포함되어 있는 글로발 블락이 아닌 타 글로발 블락의 리던던시 구조를 사용함으로써 리던던시 능력을 향상시킬 수 있다.