公开(公告)号：KR1020160116882A

公开(公告)日：2016-10-10

申请号：KR1020150045245

申请日：2015-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남궁현 ,  김동겸 ,  김정환 ,  지정근 ,  양한빛 ,  유지만

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/42328 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926

Abstract: 반도체장치는기판, 기판상에형성된터널절연막패턴, 터널절연막패턴상에적층된전하저장패턴, 전하저장패턴상에적층되며전하저장패턴보다감소된폭을갖는유전막패턴, 유전막패턴상에적층되며유전막패턴보다확장된폭을갖는컨트롤게이트, 및컨트롤게이트상에적층된금속함유게이트를포함한다.

Abstract translation: 半导体器件包括衬底，衬底上的隧道绝缘图案，隧道绝缘图案上的电荷存储图案，具有小于电荷存储图案上的电荷存储图案的宽度的电介质图案，具有 大于电介质图案上的电介质图案的宽度的宽度，以及控制栅上的含金属栅极。