公开(公告)号：KR100870010B1

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020020045562

申请日：2002-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동규 ,  윤주애

IPC: G02F1/1345

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트 배선, 데이터 배선, 화소 전극 및 이들과 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 데이터 배선 또는 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 금속선, 금속선의 일단에 형성되어 있는 금속캡을 포함하는 정전기 보호 패턴이 박막 트랜지스터와 일정거리 떨어져서 형성되어 있다.
박막트랜지스터, 기판, 정전기, 방지

公开(公告)号：KR100612985B1

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1019980008242

申请日：1998-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤주애

IPC: G02F1/13

Abstract: 투명 절연 기판 위에 알루미늄 또는 몰리브덴을 사용하여 금속 박막을 증착한 후, 그 위에 감광막을 도포한다. 다음, 감광막을 노광, 현상하여 감광막 패턴을 현상한 후, 계면 활성제가 첨가된 식각액을 사용하여 하부 박막을 식각한다. 이 때, 계면 활성제로 옥실 아민, 에톡시 아민, 헵탄산 등을 사용할 수 있으며, 첨가량은 식각액의 성질에 영향을 주지 않도록 1ppm 미만으로 한다.
이와 같이, 식각액에 계면 활성제를 첨가하여 금속막을 식각함으로써, 기판과 수소간의 인력을 감소시켜 수소 기포를 기판으로부터 탈착시킨다. 따라서, 금속막 식각시 수소 기포로 인해 식각이 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있으며, 얼룩의 형성을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040043864A

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：KR1020020072288

申请日：2002-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영미 ,  백승수 ,  윤주애 ,  김동규

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) array substrate and manufacturing method thereof are provided to have a wide channel width by driving the respective unit pixels through two TFTs and minimize a stitch phenomenon. CONSTITUTION: A gate wiring including a conductive film made of aluminum, a gate line(121), a gate pad(125), and a gate electrode(123) is formed on the insulation substrate as a taper structure. A sustain electrode line(131) is formed on an upper portion of the substrate. The sustain electrode line(131) is superposed with a drain electrode(175) connected to a pixel electrode(190), thereby forming a sustain capacitor for increasing the charge preservation performance of a pixel. A gate electrode(123) is arranged with a horizontal direction and has the first and second gate electrodes(1231,1232) of the first and second TFTs(TFT1,TFT2).

Abstract translation: 目的：提供一种TFT（薄膜晶体管）阵列基板及其制造方法，通过驱动各个单位像素通过两个TFT而具有宽的通道宽度，并使针迹现象最小化。 构成：在绝缘基板上形成包括由铝制成的导电膜，栅极线（121），栅极焊盘（125）和栅极电极（123）的栅极布线作为锥形结构。 维持电极线（131）形成在基板的上部。 维持电极线（131）与连接到像素电极（190）的漏电极（175）重叠，从而形成用于增加像素的电荷保存性能的维持电容器。 栅电极（123）以水平方向布置，并且具有第一和第二TFT（TFT1，TFT2）的第一和第二栅电极（1231,1232）。

公开(公告)号：KR1019990074565A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008242

申请日：1998-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤주애

IPC: G02F1/13

Abstract: 투명 절연 기판 위에 알루미늄 또는 몰리브덴을 사용하여 금속 박막을 증착 한 후, 그 위에 감광막을 도포한다. 다음, 감광막을 노광, 현상하여 감광막 패턴을 현상한 후, 계면 활성제가 첨가된 식각액을 사용하여 하부 박막을 식각한다. 이 때, 계면 활성제로 옥실 아민, 에톡시 아민, 헵탄산 등을 사용할 수 있으며, 첨가량은 식각액의 성질에 영향을 주지 않도록 1ppm 미만으로 한다.
이와 같이, 식각액에 계면 활성제를 첨가하여 금속막을 식각함으로써, 기판과 수소간의 인력을 감소시켜 수소 기포를 기판으로부터 탈착시킨다. 따라서, 금속막 식각시 수소 기포로 인해 식각이 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있으며, 얼룩의 형성을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100935673B1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：KR1020030062202

申请日：2003-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성영 ,  김성만 ,  윤주애 ,  장종웅

IPC: G02F1/133

Abstract: 우선, 절연 기판의 상부에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 형성한 다음, 몰리브덴 계열의 도전막을 적층하고 패터닝하여 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 게이트선 또는 데이터선의 접촉부를 드러내는 접촉 구멍을 형성한 다음, 보호막의 상부에 IZO를 적층한 다음 패터닝하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극과 접촉부와 연결되는 접촉 부재를 형성한다. 이때, 보호막은 접촉부 상부의 제1 부분, 제1 부분보다 두꺼운 제2 부분, 제1 부분과 제2 부분을 사이에 위치하며 제1 부분에서 제2 부부에 이르기까지 점진적으로 두께가 증가하여 5-10° 범위의 경사면을 가지는 테이퍼 구조로 이루어진 제3 부분을 포함한다.
접촉부, 보호막, 테이퍼구조, 신호선

公开(公告)号：KR1020080096879A

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：KR1020070041718

申请日：2007-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤주애 ,  채종철 ,  신경주

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136222

Abstract: A liquid crystal display device and a method for manufacturing the same are provided to minimize the leakage of light. A liquid crystal display comprises a first substrate, and a second substrate, and a liquid crystal layer(300) positioned between the second substrate(200) facing the first substrate(100). The first substrate includes a gate line(121), a data line(161), a thin film transistor, a color filter(181) and a black matrix(185). The gate line located on surface the insulating substrate is extended to a direction. The data line intersects with the gate line. The thin film transistor is connected to the gate line and data line. Color filter includes the depression(181a) which is located on surface the thin film transistor, and corresponds to one among the gate line, and data line and thin film transistor at least.

Abstract translation: 提供液晶显示装置及其制造方法，以使光的泄漏最小化。 液晶显示器包括第一基板和第二基板以及位于面向第一基板（100）的第二基板（200）之间的液晶层（300）。 第一基板包括栅极线（121），数据线（161），薄膜晶体管，滤色器（181）和黑矩阵（185）。 位于绝缘基板表面的栅极线延伸到一个方向。 数据线与栅极线相交。 薄膜晶体管连接到栅极线和数据线。 滤色器包括位于薄膜晶体管的表面上的凹陷（181a），并且至少对应于栅极线，数据线和薄膜晶体管中的一个。

公开(公告)号：KR1020050102442A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：KR1020040027821

申请日：2004-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성만 ,  이성영 ,  공향식 ,  송영구 ,  이봉준 ,  윤주애

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판 위에 형성되며 절연되어 교차하는 게이트선 및 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선의 끝부분을 드러내는 제1 및 제2 접촉구를 가지는 보호막, 보호막의 위에 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 있으며, 제1 및 제2 접촉구를 통하여 게이트선 및 데이터선의 끝부분과 연결되어 있는 제1 및 제2 접촉 보조 부재를 포함하며, 보호막 중 제1 접촉 보조 부재 아래의 제1 부분은 제2 접촉 보조 부재 아래의 제2 부분과 다른 두께를 가진다.

公开(公告)号：KR1020050024947A

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020030062202

申请日：2003-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성영 ,  김성만 ,  윤주애 ,  장종웅

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) substrate and a method for manufacturing the same are provided to prevent contact defect of wiring due to step difference at a connection part connected to an outside driving circuit, thereby enhancing contact reliability of the connection part during connecting the outside driving circuit to the connection part, by forming a passivation layer to have a taper configuration at the connection part such that the boundaries of the passivation layer have smooth inclination angles. CONSTITUTION: A TFT substrate comprises a plurality of signal lines, a plurality of TFTs electrically connected to the signal lines, a passivation layer(180) covering the signal lines and the TFTs, and a plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the TFTs. A connection part is formed at a peripheral region of the TFT substrate for mounting an outside driving circuit, wherein the outside driving circuit is connected to the TFT substrate through the connection part. The passivation layer has a taper configuration at the connection part. The passivation layer has the first region(184) having a connection hole(182) for exposing a data line(179), the second region(188) thicker than the first region, and the third region(186) between the first region and the second region. The third region slopes to have a smooth inclination angles ranging 5 to 10 degree angles.

Abstract translation: 目的：提供TFT（薄膜晶体管）基板及其制造方法，以防止连接到外部驱动电路的连接部分处的差异导致的布线接触不良，从而提高连接部分的连接可靠性 外部驱动电路连接到连接部分，通过在连接部分形成钝化层以具有锥形结构，使得钝化层的边界具有平滑的倾斜角。 构成：TFT基板包括多个信号线，电连接到信号线的多个TFT，覆盖信号线和TFT的钝化层（180）以及形成在钝化层上的多个像素电极和电 连接到TFT。 连接部分形成在用于安装外部驱动电路的TFT基板的周边区域，其中外部驱动电路通过连接部分连接到TFT基板。 钝化层在连接部分具有锥形结构。 钝化层具有第一区域（184），其具有用于暴露数据线（179）的连接孔（182），比第一区域厚的第二区域（188）和第一区域（186）之间的第一区域和 第二个地区。 第三区域倾斜成具有5至10度角的平滑倾斜角度。

公开(公告)号：KR101090246B1

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020030089491

申请日：2003-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경욱 ,  윤주애 ,  이성영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 박막 트랜지스터 표시판에는 절연 기판 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선을 덮는 게이트 절연막 상부에는 게이트 전극과 중첩하는 반도체층이 형성되어 있다. 게이트 절연막 상부에는 게이트선과 교차하며 소스 전극을 가지는 데이터선, 데이터선과 분리되어 있으며 데이터선과 나란히 뻗어 있는 드레인 전극 및 드레인 전극과 연결되어 있으며 전단의 게이트선과 중첩하는 유지 축전기용도전체가 형성되어 있다. 그 상부에는 유지 축전기용 도전체를 드러내는 접촉 구멍을 가지며 유기 절연 물질로 이루어진 보호막이 형성되어 있고, 보호막 상부에는 접촉 구멍을 통하여 유지 축전기용 도전체 및 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다. 이때, 데이터선은 서로 이웃하는 화소 영역의 화소 전극 중 하나와 완전히 중첩되어 있다.
화소전극, 스티치, 기생용량, 데이터선, 개구율, 유지축전기

公开(公告)号：KR100992122B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020030037606

申请日：2003-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성영 ,  김경욱 ,  윤주애 ,  장종웅

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되며 게이트 전극을 가지는 게이트선, 게이트선을 덮는 게이트 절연막, 게이트 절연막의 상부에 형성되어 있는 반도체층, 반도체층과 적어도 일부분이 중첩하는 소스 전극을 가지는 데이터선, 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 대향하며 적어도 일부분이 반도체층과 중첩하는 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있으며 가장자리는 게이트선 또는 데이터선과 중첩하는 화소 전극을 포함하고, 게이트선에는 절개부가 형성되어 있다.
박막트랜지스터, 빛샘, 게이트선