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公开(公告)号:KR1020160049389A
公开(公告)日:2016-05-09
申请号:KR1020140146434
申请日:2014-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: G03F1/82 , B08B3/00 , B08B3/04 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/0274
Abstract: 집적회로소자제조방법에서는유기산과, 산화제와, DIW (deionized water)를포함하는세정조성물을이용하여포토마스크를습식처리한다.
Abstract translation: 在制造集成电路器件的方法中,通过使用包含有机酸,氧化剂和去离子水(DIW)的清洁组合物对光掩模进行湿法处理。 因此,当以预定的周期重复清洁处理时,该方法可以防止光掩模的结构由于清洁材料而被损坏。