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    세정액 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
    3.
    发明公开
    세정액 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 审中-实审
    使用其制造半导体器件的清洁器和方法

    公开(公告)号：KR1020150047856A

    公开(公告)日：2015-05-06

    申请号：KR1020130127854

    申请日：2013-10-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강동민 ,  강인구 ,  최정식 ,  홍영택

    IPC: C11D7/34 ,  C11D7/08

    Abstract: 반도체기판과캐리어를부착시키는접착제로, 실록산(Siloxane)을포함하는폴리머를포함하는접착제를제거하는세정액을제공하는것이다. 상기세정액은하기화학식으로표현되는제1 산화제를포함하는세정액:(화학식) 상기화학식에서 A는수산화기, 할로겐, 알킬기및 아릴기중 하나이다.

    Abstract translation: 提供了一种用于消除将半导体衬底附着到载体上的含有硅氧烷聚合物的粘合剂的清洁溶液。 清洗液是含有以化学式表示的第一氧化剂的洗涤液。 化学式中的A是羟基，卤素，烷基和芳基中的一个。

    범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법
    4.
    发明授权
    범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법 有权

    公开(公告)号：KR101512490B1

    公开(公告)日：2015-04-17

    申请号：KR1020080092821

    申请日：2008-09-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강동민 ,  강보람 ,  김영남 ,  임영삼

    IPC: C09K13/06

    Abstract: 도전성 범프 형성시 사용되는 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법에서, 상기 범프 하부 도전층 식각용 조성물은 과산화수소 40 내지 90 중량%와 수산화암모늄 또는 수산화테트라알킬암모늄을 포함하는 염기성 수용액 1 내지 20 중량%와 알콜계 화합물 0.01 내지 10 중량% 및 에틸렌디아민계 킬레이트제 2 내지 30 중량%를 포함한다. 상기 식각용 조성물을 이용한 식각 공정시 티타늄 또는 티타늄 텅스텐을 포함하는 범프 하부 도전층의 식각 효율을 증가시킬 수 있으며, 티타늄 산화물을 포함하는 이물질을 완전히 제거시켜 프로브 니들의 오염을 방지할 수 있다.

    범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법
    5.
    发明公开
    범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법 有权
    用于蚀刻导电层的组合物和使用其形成电导体结构的方法

    公开(公告)号：KR1020090053679A

    公开(公告)日：2009-05-27

    申请号：KR1020080092821

    申请日：2008-09-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강동민 ,  강보람 ,  김영남 ,  임영삼

    IPC: C09K13/06

    CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

    Abstract: 도전성 범프 형성시 사용되는 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법에서, 상기 범프 하부 도전층 식각용 조성물은 과산화수소 40 내지 90 중량%와 수산화암모늄 또는 수산화테트라알킬암모늄을 포함하는 염기성 수용액 1 내지 20 중량%와 알콜계 화합물 0.01 내지 10 중량% 및 에틸렌디아민계 킬레이트제 2 내지 30 중량%를 포함한다. 상기 식각용 조성물을 이용한 식각 공정시 티타늄 또는 티타늄 텅스텐을 포함하는 범프 하부 도전층의 식각 효율을 증가시킬 수 있으며, 티타늄 산화물을 포함하는 이물질을 완전히 제거시켜 프로브 니들의 오염을 방지할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种通过使用用于凸块下冶金层的蚀刻组合物形成凸块结构的方法。 在用于凸块下冶金（UBM）层的蚀刻组合物和形成凸块结构的方法中，蚀刻组合物包含约40重量％至约90重量％的过氧化氢（H 2 O 2），约1重量％ 至约20重量％的包含氢氧化铵（NH 4 OH）或四烷基氢氧化铵的碱性水溶液，约0.01重量％至约10重量％的醇化合物，和约2重量％至30重量％的 乙二胺类螯合剂。 蚀刻组合物可以有效地蚀刻包括钛或钛钨的UBM层并除去杂质。

    반도체 장치의 제조방법
    6.
    发明公开
    반도체 장치의 제조방법 无效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020070068013A

    公开(公告)日：2007-06-29

    申请号：KR1020050129637

    申请日：2005-12-26

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강윤덕 ,  강동민 ,  김기정 ,  김영남 ,  배제식 ,  김기현 ,  최경진 ,  이지성 ,  임영삼

    IPC: H01L27/146 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/02381

    Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent warpage of a first wafer by attaching a second wafer to the back surface of a first wafer and by growing a silicon epitaxial layer on the front surface of the first wafer. An oxide layer(110) can be formed on the back surface of a first wafer(100). To the back surface of the first wafer doped with impurities of first density, a second wafer doped with impurities of second density lower than the first density is attached. A silicon epitaxial layer(140) is grown on the front surface of the first wafer by using the second wafer as a diffusion preventing layer for preventing the impurities doped into the first wafer from being diffused.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，通过将第二晶片附着到第一晶片的背面并通过在第一晶片的前表面上生长硅外延层来防止第一晶片的翘曲。 可以在第一晶片（100）的背面上形成氧化物层（110）。 在掺杂有第一密度的杂质的第一晶片的背表面上，附着掺杂有低于第一密度的第二密度的杂质的第二晶片。 通过使用第二晶片作为扩散防止层，在第一晶片的前表面上生长硅外延层（140），以防止掺杂到第一晶片中的杂质被扩散。

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