KR20210029984A - Structure for reducing interference between antennas and electronic device comprising the same

    公开(公告)号:KR20210029984A

    公开(公告)日:2021-03-17

    申请号:KR1020190111338A

    申请日:2019-09-09

    Inventor: 이민주

    CPC classification number: H01Q1/523 H01Q1/50 H04B1/401 H04B7/0413

    Abstract: 전자 장치는, 제1 방향을 향하도록 배치되는 디스플레이, 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향을 향하도록 배치되는 후면 플레이트, 상기 디스플레이의 하단에 배치되고, 상기 디스플레이와 결합될 수 있도록 구성된 지지 부재, 상기 지지 부재와 상기 후면 플레이트 사이에 배치되는 인쇄 회로 기판, 및 상기 인쇄 회로 기판과 상기 후면 플레이트 사이에 배치되고, 무선 주파수 대역의 신호를 방사하도록 구성된 제1 안테나 및 제2 안테나를 포함하고, 상기 제1 안테나는, 상기 인쇄 회로 기판에 포함되는 제1 그라운드 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 안테나는 상기 지지 부재에 포함되는 제2 그라운드 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.

    반도체 소자의 제조 방법
    2.
    发明公开
    반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020170024221A

    公开(公告)日:2017-03-07

    申请号:KR1020150118992

    申请日:2015-08-24

    Abstract: 본발명은반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는기판상부에활성패턴을정의하는소자분리막들을형성하는것; 상기활성패턴을가로지르는희생게이트패턴, 및이의양 측벽들을덮는한 쌍의스페이서들을형성하는것; 상기활성패턴과상기스페이서들을덮는층간절연막을형성하는것; 상기희생게이트패턴을제거하여, 상기스페이서들에의해정의되는게이트트렌치를형성하는것; 상기게이트트렌치에의해노출된상기활성패턴의일 영역상에게이트유전막을형성하는것; 제1 열처리공정을수행하여, 상기층간절연막내의불순물을제거하는것; 상기게이트유전막상에제2 열처리공정을수행하는것, 상기제2 열처리공정은상기제1 열처리공정보다더 높은온도에서수행되고; 및상기게이트트렌치를채우는게이트전극을형성하는것을포함한다. 상기제1 열처리공정은 1기압보다낮은압력에서수행된다.

    Abstract translation: 形成半导体器件的方法包括在有源图案上形成牺牲栅极图案,在牺牲栅极图案的相对侧壁上形成间隔物,在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层,去除牺牲栅极图案以形成 栅极沟槽,其暴露有源图案的区域,在由栅极沟槽暴露的有源图案的区域上形成栅极电介质层,在小于1atm的压力下进行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质 在大于第一热处理的温度的温度下对栅介质层进行第二热处理,以及在栅沟中形成栅电极。

    막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
    5.
    发明公开
    막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 审中-实审
    形成使用其的半导体器件的层状方法的方法

    公开(公告)号:KR1020160080923A

    公开(公告)日:2016-07-08

    申请号:KR1020140193004

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 막형성방법에서, 챔버내에기판을로딩하여기준각도로배치시키고, 기판의제1 가장자리로부터소스가스를제공하고, 챔버를퍼지(purge)하고, 기판의제1 가장자리로부터반응가스를제공하고, 챔버를퍼지하는것을포함하는하나의싸이클(cycle)을 n회(n은 1보다큰 자연수) 수행하고, 그리고기판을기준각도에서 x도만큼회전시킨상태에서, 싸이클을 m회(m은 n보다작은자연수) 수행한다.

    Abstract translation: 一种用于形成层的方法包括:通过将衬底加载在腔室内来将衬底布置在参考角度; 从所述衬底的第一边缘提供源气体; 清洗室; 从所述基板的第一边缘提供反应气体; 执行一个循环,包括净化室n次(n是大于1的自然数)。 并且在以基准角转动x度的基板的同时执行周期m次(m是小于n的自然数)。

    반도체 장치의 제조 방법
    6.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020160026486A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:KR1020140115483

    申请日:2014-09-01

    Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은, 기판상에인터페이스막을형성하고, 인터페이스막상에제1 유전율을갖는제1 게이트절연막을형성하고, 제1 게이트절연막상에제1 유전율보다작은제2 유전율을갖는제2 게이트절연막을형성하고, 기판을어닐링하고, 기판을어닐링한후, 제1 및제2 게이트절연막을질화(nidridation)시키고, 제1 및제2 게이트절연막을질화시킨후, 제1 및제2 게이트절연막상에일함수조절막을형성하고, 일함수조절막상에메탈게이트전극을형성하는것을포함하되, 일함수조절막과메탈게이트전극중 적어도하나는알루미늄(Al)을포함한다.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤:在衬底上形成界面层; 在所述界面层上形成具有第一介电常数的第一栅绝缘层; 在所述第一栅极绝缘层上形成具有小于所述第一介电常数的第二介电常数的第二栅极绝缘层; 退火基板; 在对衬底退火之后氮化第一和第二栅极绝缘层; 在对所述第一和第二栅极绝缘层进行氮化之后,在所述第一和第二栅极绝缘层上形成功函数控制层; 以及在功函数控制层上形成金属栅电极。 来自功函数控制层和金属栅电极的至少一个包括铝(Al)。 因此,制造半导体器件的方法提高了性能和操作可靠性。

    전자 회로 기판의 노이즈 차폐 구조를 구비하는 휴대 단말기
    7.
    发明公开
    전자 회로 기판의 노이즈 차폐 구조를 구비하는 휴대 단말기 无效
    具有防止电子电路板噪音的屏蔽结构的移动设备

    公开(公告)号:KR1020100112390A

    公开(公告)日:2010-10-19

    申请号:KR1020090030878

    申请日:2009-04-09

    Inventor: 이민주 김지형

    Abstract: PURPOSE: A portable terminal having a noise shield structure of an electronic circuit board reducing the thickness of the portable terminal is provided to effectively block the noise of the electronic components by coating a conductive sample. CONSTITUTION: A front cover(22) forms an opening part acceptable for electronic components. A sliding hinge(30) is installed between an upper case and a lower case(20) in order to slide the upper case. The sliding hinge covers the opening. A fire wall is installed between the lower side of the front cover and the upper side of an electronic circuit board(40).

    Abstract translation: 目的:提供具有减小便携式终端的厚度的电子电路板的噪声屏蔽结构的便携式终端,以通过涂覆导电样品来有效地阻挡电子部件的噪声。 构成:前盖(22)形成电子部件可接受的开口部分。 滑动铰链(30)安装在上壳体和下壳体(20)之间以便滑动上壳体。 滑动铰链覆盖开口。 防火墙安装在前盖的下侧和电子电路板(40)的上侧之间。

    동적 라이브러리 프로파일링 방법, 이를 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체 및 동적 라이브러리 프로파일링 시스템
    9.
    发明公开
    동적 라이브러리 프로파일링 방법, 이를 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체 및 동적 라이브러리 프로파일링 시스템 审中-实审
    动态图书馆配置方法,计算机可读记录媒体存储及动态库配置系统

    公开(公告)号:KR1020140066913A

    公开(公告)日:2014-06-03

    申请号:KR1020120133854

    申请日:2012-11-23

    Abstract: A dynamic library profiling method, a computer-readable recording medium storing the same and a dynamic library profiling system are provided. The dynamic library profiling method includes writing a first break point instruction at a start address of a dynamic library function, recording a first event count value that is a process PMU count when a target process executes the first break point instruction, writing a second break point instruction at a return address of the dynamic library function, and calculating a PMU count value generated in a processor core while the dynamic library function is executed by comparing the recorded first event count value with a second event count value that is a process PMU count when the target process executes the second break point instruction, wherein the process PMU count is a cumulative value of PMU counts generated in the processor core while the target process is executed.

    Abstract translation: 提供动态库分析方法,存储其的计算机可读记录介质和动态库分析系统。 动态库分析方法包括在动态库函数的起始地址处写入第一中断点指令,当目标进程执行第一中断点指令时记录作为处理PMU计数的第一事件计数值,写入第二中断点 指令,并且通过将所记录的第一事件计数值与作为处理PMU计数的第二事件计数值进行比较来计算在执行动态库函数时在处理器核心中生成的PMU计数值,当 目标处理执行第二断点指令,其中处理PMU计数是在执行目标处理时在处理器核心中生成的PMU计数的累积值。

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