公开(公告)号：KR1020170128731A

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR1020160058973

申请日：2016-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁용석 ,  박홍범 ,  서원오 ,  연국현 ,  이주리

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  G02B1/11

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 면과상기제1 면에반대에위치한제2 면을가지며, 상기제2 면으로부터광이입사되도록구성된복수의광전변환부를구비한반도체층과, 상기반도체층의제1 면에배치되며, 배선을갖는상호연결층과, 상기반도체층의제2 면에배치되며제1 굴절률을갖는제1 층과, 상기제1 층상에배치되고제1 굴절률보다높은제2 굴절률을가지며루타일(rutile) 상 TiO층으로이루어진제2 층과, 상기제2 층의상면및 하면중 적어도일 면에접하도록배치되며 SnO, MoO및 SbO로구성된그룹으로부터선택된적어도하나의물질로이루어진격자조정층을구비한반사방지층(anti-reflective layer)과, 상기반사방지층상에배치된버퍼층과, 상기버퍼층상에배치된복수의컬러필터를포함하는이미지센서를제공한다.

Abstract translation: 本发明中，所述第一表面和所述第二的一个实施例具有位于相反于所述第一表面的第二表面，其具有第二多个构造为使得光从侧部入射的光电转换的第二半导体层，和半导体层 被放置上了议事日程第一侧，设置在该互连层上，以及具有该布线的半导体层的第二表面被布置在第一层上并且具有折射率比所述第二的第一折射率高的第一索引的第一层 具有金红石（金红石）由TiO层的第二层，由选自的SnO，的MoO和非晶态SbO的组中选择的至少一种材料设置在接触与该第二层的顶表面和底表面中的至少一个表面上的折射率 由网格调整层的抗反射层（抗反射层）和设置有，提供了一种图像传感器，包括设置在所述防反射层，多个设置在缓冲层上的滤色器上的缓冲层。

公开(公告)号：KR1020170041004A

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：KR1020150140406

申请日：2015-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김국태 ,  손호성 ,  신동석 ,  심현준 ,  이주리 ,  장성욱

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167

Abstract: 반도체장치의제조방법에서, 기판상에더미게이트전극막및 더미게이트마스크막을순차적으로형성한다. 더미게이트마스크막을패터닝하여더미게이트마스크를형성함으로써더미게이트전극막을부분적으로노출시킨다. 경사이온주입공정을통해노출된더미게이트전극막부분및 이에인접하는더미게이트전극막부분에이온을주입함으로써, 더미게이트전극막의일부에성장방지막을형성한다. 더미게이트마스크를식각마스크로사용하여더미게이트전극막을식각함으로써더미게이트전극을형성한다. 더미게이트전극및 더미게이트마스크를포함하는더미게이트구조물의측벽상에스페이서를형성한다. 선택적에피택시얼성장(SEG) 공정을수행하여스페이서에인접한기판부분상에에피택시얼층을형성한다.

Abstract translation: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上顺序形成虚设栅电极膜和虚设栅掩模膜。 通过图案化伪栅极掩膜来部分地暴露伪栅极电极膜以形成伪栅极掩膜。 向通过斜离子注入工艺暴露的虚设栅电极膜部分和与其相邻的虚设栅电极膜部分注入离子，由此在虚设栅电极膜的一部分上形成生长防止膜。 通过使用伪栅极掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻虚拟栅极电极膜来形成虚拟栅极电极。 在包括伪栅极电极和伪栅极掩膜的伪栅极结构的侧壁上形成间隔物。 执行选择性外延生长（SEG）工艺以在邻近间隔物的衬底部分上形成外延层。