公开(公告)号：KR102171023B1

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：KR1020140092027

申请日：2014-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍범 ,  서동찬 ,  이관흠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR100652426B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050074914

申请日：2005-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김영선 ,  정정희 ,  최재형 ,  박홍범 ,  오세훈 ,  이우성

IPC: H01L27/108

Abstract: A capacitor of a semiconductor device for preventing penetration of dopants is provided to prevent dopants from a doped polysilicon germanium layer of an upper electrode from penetrating an underlying layer, by reducing diffusion of the dopants. A lower electrode(140a) of a capacitor is formed on a semiconductor substrate(100). A dielectric layer(150) is formed on the lower electrode. An upper electrode(180) is formed on the dielectric layer, composed of a conductive metal nitride layer(160) of which at least a part is oxidized and a doped polysilicon germanium layer(170) stacked on the conductive metal nitride layer. The lower electrode is made of a doped polysilicon layer, a metal layer, a conductive metal nitride layer, or a conductive metal oxide layer.

Abstract translation: 提供了用于防止掺杂剂渗透的半导体器件的电容器，以通过减少掺杂剂的扩散来防止来自上部电极的掺杂多晶硅锗层的掺杂剂穿透下面的层。 在半导体衬底（100）上形成电容器的下电极（140a）。 介电层（150）形成在下电极上。 在电介质层上形成上电极（180），所述上电极由至少一部分被氧化的导电金属氮化物层（160）和堆叠在导电金属氮化物层上的掺杂多晶硅锗层（170）组成。 下电极由掺杂多晶硅层，金属层，导电金属氮化物层或导电金属氧化物层构成。

公开(公告)号：KR100796724B1

公开(公告)日：2008-01-21

申请号：KR1020060085177

申请日：2006-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우성 ,  박홍범 ,  신현진 ,  서종범

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

Abstract: A capacitor and a manufacturing method thereof are provided to prevent intrusion of p-type impurity of a capping layer into a dielectric by forming a p-type impurity doped capping layer after forming a barrier layer for preventing impurities on an upper electrode. A dielectric(340) is formed on a cylinder type lower electrode(320). The dielectric has a uniform thickness substantially. An upper electrode(350) is formed on the dielectric. The upper electrode has a uniform thickness substantially. A capping layer(360) is formed on the upper electrode. The capping layer includes a p-type impurity doped silicon germanium layer. A barrier layer(355) is disposed between the upper electrode and the capping layer. The barrier layer prevents intrusion of the p-type impurity into the dielectric. The barrier layer includes nitride and has a thickness of 30 to 80. The capping layer includes a silicon layer used as a seed layer and a silicon germanium layer or a composite layer thereof.

Abstract translation: 提供一种电容器及其制造方法，用于通过在形成用于防止上电极上的杂质的阻挡层之后形成p型掺杂杂质的覆盖层来防止封盖层的p型杂质侵入电介质。 电介质（340）形成在圆筒型下电极（320）上。 电介质基本上具有均匀的厚度。 在电介质上形成上电极（350）。 上部电极基本上具有均匀的厚度。 在上电极上形成覆盖层（360）。 覆盖层包括p型杂质掺杂硅锗层。 阻挡层（355）设置在上电极和封盖层之间。 阻挡层防止p型杂质侵入电介质。 阻挡层包括氮化物，并且具有30至80的厚度。封盖层包括用作种子层的硅层和硅锗层或其复合层。

公开(公告)号：KR1020070010830A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050065771

申请日：2005-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  하상철 ,  최재형 ,  김대옥 ,  김기석 ,  박홍범 ,  전두한 ,  김영민 ,  이태종 ,  양철규 ,  이광영

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/67017

Abstract: A gas supply device and an apparatus for forming a thin film having the gas supply device are provided to effectively prevent reaction gas from remaining inside a vaporizer by changing inner structures of the vaporizer and a reaction gas emission line. A gas supply device includes a reaction solution supply unit(110), a spraying unit(120), a carrier gas supply unit(130), a vaporizer(140), a purge gas supply unit(150), and a reaction gas emitter(160). The reaction solution supply unit supplies reaction solution. The spraying unit converts the reaction gas into aerosol mist. The carrier gas supply unit supplies carrier gas into the spraying unit. The vaporizer is coupled with the spraying unit, vaporizes the aerosol mist, with which the carrier gas is mixed, and forms reaction gas. The purge gas supply unit supplies purge gas into the vaporizer, such that an inner pressure of the vaporizer is increased. The reaction gas emitter emits the reaction gas from the vaporizer.

Abstract translation: 提供一种气体供给装置和用于形成具有气体供给装置的薄膜的装置，以通过改变蒸发器和反应气体排放管线的内部结构来有效地防止反应气体残留在蒸发器内部。 气体供给装置包括反应溶液供给单元（110），喷射单元（120），载气供给单元（130），蒸发器（140），吹扫气体供给单元（150）和反应气体发生器 （160）。 反应溶液供应单元提供反应溶液。 喷雾单元将反应气体转化成气溶胶雾。 载气供给单元将载气供给到喷雾单元。 蒸发器与喷射单元联接，蒸发气雾，载气与之混合，形成反应气体。 吹扫气体供应单元将净化气体供应到蒸发器中，使得蒸发器的内部压力增加。 反应气体发射器从蒸发器发射反应气体。

公开(公告)号：KR1020170140840A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020160073138

申请日：2016-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍범 ,  최한메 ,  박재영 ,  임승현 ,  정성훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/7854 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 게이트유전구조체를갖는반도체소자를제공한다. 이반도체소자는기판상에배치되는핀 활성영역을포함한다. 상기핀 활성영역은하부영역, 상기하부영역상의중간영역및 상기중간영역상의상부영역을포함하고, 상기중간영역은상기상부영역의측면들보다완만한경사의측면들을갖는다. 상기핀 활성영역의상기하부영역의측면상에아이솔레이션영역이배치된다. 상기핀 활성영역과교차하며상기아이솔레이션영역상으로연장되는게이트전극구조체가배치된다. 산화산화물층(oxidation oxide layer) 및증착산화물층(deposition oxide layer)을구비하며상기핀 활성영역의상기상부영역의폭의절반크기보다두꺼운게이트유전구조체가배치된다. 상기증착산화물층은상기게이트전극구조체와상기핀 활성영역사이, 및상기게이트전극구조체와상기아이솔레이션영역사이에배치되고, 상기산화산화물층은상기핀 활성영역과상기증착산화물층 사이에배치된다.

Abstract translation: 提供具有栅极电介质结构的半导体器件。 离子导体元件包括设置在衬底上的pin有源区。 pin有源区域包括下部区域，下部区域上的中间区域以及中间区域上的上部区域，其中中间区域具有比上部区域的侧面更平缓的侧视图。 隔离区域设置在引脚有源区的底部区域的一侧上。 设置栅极电极结构，所述栅极电极结构与pin有源区相交并且在隔离区上方延伸。 设置具有氧化物氧化物层和沉积氧化物层并且厚于引脚有源区的上部区域的一半宽度的栅极电介质结构。 沉积氧化物层设置在栅极电极结构和pin有源区之间以及栅极电极结构和隔离区之间，并且氧化物氧化物层设置在pin有源区和沉积氧化物层之间。

公开(公告)号：KR1020160011301A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：KR1020140092027

申请日：2014-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍범 ,  서동찬 ,  이관흠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 본발명의일 실시예는, 반도체기판의활성영역상에게이트전극구조를형성하는단계와, 상기활성영역중 상기게이트전극구조양측에위치한영역에리세스를형성하는단계와, 비활성기체플라즈마를이용하여상기리세스를전처리하는단계와, 전처리된상기리세스에소스및 드레인을위한에피택셜을성장시키는단계와, 상기소스및 드레인을위한에피택셜각각에소스전극구조및 드레인전극구조를형성하는단계를포함하는반도체소자제조방법을제공한다. 리세스후 플라즈마처리와별도로또는병행하여, 콘택홀을형성하기위한식각공정후에재성장전에식각된표면을플라즈마로처리할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在半导体衬底的有源区上形成栅电极结构; 在所述有源区上形成位于所述栅电极结构两侧的区域中的凹槽; 使用惰性气体等离子体预处理凹陷; 在预处理的凹槽上生长用于源极和漏极的外延层; 以及在源极和漏极的外延层中分别形成源极结构和漏极结构。 在用于形成接触孔的蚀刻工艺之后，在再生长之后，通过等离子体处理蚀刻表面，其在凹陷之后与等离子体处理分离或平行。

公开(公告)号：KR1020120038195A

公开(公告)日：2012-04-23

申请号：KR1020100099825

申请日：2010-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박금석 ,  이승훈 ,  이병찬 ,  강상범 ,  박홍범

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/4236

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a crystal structure from being damaged due to an ion implantation process by removing the ion implantation process. CONSTITUTION: A substrate(110) includes a first surface(111a) and a second surface(111b,111c) which is recessed on both sides of the first surface. A gate pattern(120) includes a gate electrode(122) and a gate insulation layer(121) formed on the first surface. A gate spacer(124) is formed on a sidewall of the gate pattern and protects the side of a gate electrode. A silicon buffer layer(131) is formed on the second surface. A source region(132) and a drain region(133) are located on the silicon buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过去除离子注入工艺来防止晶体结构由于离子注入工艺而被损坏。 构成：衬底（110）包括在第一表面的两侧凹入的第一表面（111a）和第二表面（111b，111c）。 栅极图案（120）包括形成在第一表面上的栅电极（122）和栅绝缘层（121）。 栅极间隔物（124）形成在栅极图案的侧壁上并保护栅电极的侧面。 在第二表面上形成硅缓冲层（131）。 源极区（132）和漏极区（133）位于硅缓冲层上。

公开(公告)号：KR102254906B1

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：KR1020200009377

申请日：2020-01-23

Applicant: 니혼 덴산 산쿄 가부시키가이샤 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 야나기사와,가즈히코 ,  다케다,다다시 ,  미나미사와,신지 ,  야마시타,준 ,  수에,다케시 ,  문찬영 ,  노형진 ,  송덕영 ,  박홍범

IPC: G03B5/02 ,  H04N5/232 ,  G02B7/02 ,  G02B7/04

Abstract: 구체가고정된스러스트수용부재가가동체로부터광축방향으로탈락하는것을방지할수 있는흔들림보정기능을구비한광학유닛을제공하는것이다. 제1 구체(15)가고정된스러스트수용부재(16)는, 고정체(6)에마련된절결오목부로이루어지는보유지지부(14)에보유지지된다. 스러스트수용부재(16)의굴곡판부(92)에는, -Z 방향측으로부터보유지지부(14)의저벽면(103)이접촉한다. 또한, 스러스트수용부재(16)에있어서굴곡판부(92)로부터둘레방향으로돌출되는한 쌍의걸림판부(93)에는, 보유지지부(14)의한 쌍의측벽면(102)에마련된피걸림면부분(105)이 +Z 방향측으로부터접촉한다. 따라서, 흔들림보정기능을구비한광학유닛(1)에외부로부터충격이가해진경우라도, 스러스트수용부재(16)가, 고정체(6)로부터 Z축방향으로탈락하는일이없다.

公开(公告)号：KR1020170128731A

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR1020160058973

申请日：2016-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁용석 ,  박홍범 ,  서원오 ,  연국현 ,  이주리

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  G02B1/11

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 면과상기제1 면에반대에위치한제2 면을가지며, 상기제2 면으로부터광이입사되도록구성된복수의광전변환부를구비한반도체층과, 상기반도체층의제1 면에배치되며, 배선을갖는상호연결층과, 상기반도체층의제2 면에배치되며제1 굴절률을갖는제1 층과, 상기제1 층상에배치되고제1 굴절률보다높은제2 굴절률을가지며루타일(rutile) 상 TiO층으로이루어진제2 층과, 상기제2 층의상면및 하면중 적어도일 면에접하도록배치되며 SnO, MoO및 SbO로구성된그룹으로부터선택된적어도하나의물질로이루어진격자조정층을구비한반사방지층(anti-reflective layer)과, 상기반사방지층상에배치된버퍼층과, 상기버퍼층상에배치된복수의컬러필터를포함하는이미지센서를제공한다.

Abstract translation: 本发明中，所述第一表面和所述第二的一个实施例具有位于相反于所述第一表面的第二表面，其具有第二多个构造为使得光从侧部入射的光电转换的第二半导体层，和半导体层 被放置上了议事日程第一侧，设置在该互连层上，以及具有该布线的半导体层的第二表面被布置在第一层上并且具有折射率比所述第二的第一折射率高的第一索引的第一层 具有金红石（金红石）由TiO层的第二层，由选自的SnO，的MoO和非晶态SbO的组中选择的至少一种材料设置在接触与该第二层的顶表面和底表面中的至少一个表面上的折射率 由网格调整层的抗反射层（抗反射层）和设置有，提供了一种图像传感器，包括设置在所述防反射层，多个设置在缓冲层上的滤色器上的缓冲层。

公开(公告)号：KR1020160033865A

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：KR1020140124472

申请日：2014-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이선영 ,  박재영 ,  이한기 ,  구본영 ,  박홍범 ,  정영수 ,  한재종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

Abstract: 본발명의일 측면은, 기판과, 상기기판상에배치되며상기기판에인접한제1 면과상기제1 면의반대면인제2 면을갖는소자분리막및 상기기판상에배치되며, 상기소자분리막의제2 면상으로돌출된측벽을갖는제1 영역과상기제1 영역상에위치하며상부면을갖는제2 영역을포함하는적어도하나의활성핀(fin)을포함하고, 상기제1 영역은상기소자분리막의제2 면에인접한제1 폭과상기제2 영역에인접한제2 폭을가지며, 상기제2 폭은상기제1 폭의 60% 이상의크기를갖는반도체소자를제공한다.

Abstract translation: 为了减少短信道效应，根据本发明的一个方面，半导体器件包括衬底，器件隔离层，其布置在衬底上并且具有与衬底相邻的第一表面和面向第一表面的第二表面 以及至少一个有源鳍片，其布置在衬底上并且包括具有突出到器件隔离层的第二表面的侧壁的第一区域和位于第一区域中并具有上表面的第二区域。 第一区域具有与器件隔离层的第二表面相邻的第一宽度和与第二区域相邻的第二宽度。 第二宽度比第一宽度宽至少60％。