公开(公告)号：KR20210028324A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190109083A

申请日：2019-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노선영 ,  김완돈 ,  이현배 ,  유동곤 ,  임동찬

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01044

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판 상의 층간 절연막; 상기 층간 절연막의 제1 트렌치를 채우는 제1 배선, 상기 제1 트렌치는 제1 폭을 갖고; 상기 층간 절연막의 제2 트렌치를 채우는 제2 배선을 포함하되, 상기 제2 트렌치는, 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖고; 상기 제2 배선은: 상기 제2 트렌치의 내측벽을 덮는 제1 금속막; 및 상기 제2 트렌치의 바닥면을 덮는 배리어 막; 및 상기 제1 금속막 및 상기 배리어 막 상의 제2 금속막을 포함하며, 상기 제1 배선 및 상기 제1 금속막은 제1 금속을 포함하고, 상기 제2 금속막은, 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함한다.

公开(公告)号：KR101829281B1

公开(公告)日：2018-02-20

申请号：KR1020110063973

申请日：2011-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우진 ,  박지순 ,  이종명 ,  이현배

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 인-시츄공정을이용한산화막/질화막/산화막(ONO) 구조의절연막형성방법이제공된다. 절연막형성방법은 PEALD(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) 방식을이용하여, 기판상에제1 산화막, 질화막, 및제2 산화막을순차적으로형성하되, 상기제1 산화막을형성한후, 제1 질소플라즈마처리를하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种使用原位工艺形成氧化膜/氮化膜/氧化膜（ONO）结构的绝缘膜的方法。 成形使用PEALD方法的绝缘膜（等离子体增强原子层沉积）方法，但第一氧化膜，以形成氮化物膜，在基板上，以便mitje第二氧化膜，在形成第一氧化物膜，所述第一氮等离子体处理后 包括。

公开(公告)号：KR101284147B1

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020070080196

申请日：2007-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현배

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1069 ,  G11C7/18 ,  G11C8/06

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 신호 간섭 보상 방법을 공개한다. 이 장치는 복수개의 메모리 셀 어레이 블록들을 구비하는 메모리 셀 어레이, 대응하는 메모리 셀 어레이 블록과 데이터를 전송하는 복수개의 제1 데이터 라인쌍들, 제1 데이터 라인쌍들과 직교하는 방향으로 배치되는 복수개의 칼럼 선택 신호 라인들 및 칼럼 선택 신호 라인과 인접하게 동일 방향으로 배치되어 대응하는 제1 데이터 라인쌍과 데이터를 전송하는 복수개의 제2 데이터 라인쌍들을 구비하고, 메모리 셀 어레이는 복수개의 칼럼 선택 신호 라인들 중 하나의 칼럼 선택 신호 라인에 인접하게 배치되어 신호 간섭을 받는 제2 데이터 라인쌍 중 하나의 제2 데이터 라인 신호의 전압 레벨을 신호 간섭을 받지 않는 다른 하나의 제2 데이터 라인 신호의 전압 레벨로 변화시켜 신호 간섭을 보상하는 신호 간섭 보상부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의할 경우 데이터의 리드 속도를 감소시키는 인접하는 데이터 신호 라인과 칼럼 선택 신호 라인간의 간섭현상을 적응적으로 보상하여 반도체 메모리 장치의 동작 속도를 향상시킬 수 있다.
반도체 메모리 장치, 신호 간섭, 커플링 캐패시턴스

公开(公告)号：KR1020100102460A

公开(公告)日：2010-09-24

申请号：KR1020090020859

申请日：2009-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현배

IPC: H03K5/134 ,  H03K19/0948

CPC classification number: H03H11/26

Abstract: PURPOSE: A delay cell for an anti-temperature reaction is provided to output a desired delay signal by adopting a current mirror or a bias control with a metal-oxide-semiconductor transistor which is variable threshold voltage according to the temperature in a saturated region. CONSTITUTION: A first current mirror(10) includes a first transistor and a second transistor. The sources of the first transistor and the second transistor are commonly connected with a power supplying terminal(VDD). A second current mirror(20) includes a third transistor and a fourth transistor. The sources of the third transistor and the fourth transistor are commonly connected with the power ground terminal. A resistance(R1) is serially connected with a drain between the first transistor and the third transistor. An inverter(INV2) is formed between the second transistor and the drain of the fourth transistor. The inverter outputs a delay signal which is proportional to the threshold voltage of the first transistor and the third transistor.

Abstract translation: 目的：提供用于防温反应的延迟单元，以通过采用电流镜或偏置控制来输出所需的延迟信号，所述电流镜或偏置控制是根据饱和区域中的温度是可变阈值电压的金属氧化物半导体晶体管。 构成：第一电流镜（10）包括第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管和第二晶体管的源极与供电端子（VDD）共同连接。 第二电流镜（20）包括第三晶体管和第四晶体管。 第三晶体管和第四晶体管的源极与电源接地端子共同连接。 电阻（R1）与第一晶体管和第三晶体管之间的漏极串联连接。 在第二晶体管和第四晶体管的漏极之间形成反相器（INV2）。 逆变器输出与第一晶体管和第三晶体管的阈值电压成比例的延迟信号。

公开(公告)号：KR1020080101613A

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020070071781

申请日：2007-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍종원 ,  이종명 ,  최봉현 ,  이현배 ,  성금중

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11521

Abstract: The semiconductor devices including interconnections and contact plugs and methods of forming the same are provided to improve the reliability by minimizing the leakage current due to the diffusion of the atoms. The semiconductor device comprises the interlayer insulating film(108) arranged on the substrate(100); the first interconnection and the second wiring(125a,125b) arranged side by side on the interlayer insulating film; the first contact plug(113a) having the upper side which is lower than the upper side of the interlayer insulating film. The first contact plug is arranged within the first contact hole which passes through the interlayer insulating film. The first interconnection passes the upper side of the first contact plug.

Abstract translation: 提供了包括互连和接触插塞的半导体器件及其形成方法，以通过使由原子扩散引起的漏电流最小化来提高可靠性。 半导体器件包括布置在衬底（100）上的层间绝缘膜（108）。 所述第一布线和所述第二布线（125a，125b）并排布置在所述层间绝缘膜上; 所述第一接触插塞（113a）具有比所述层间绝缘膜的上侧低的上侧。 第一接触插塞布置在穿过层间绝缘膜的第一接触孔内。 第一互连通过第一接触插塞的上侧。

公开(公告)号：KR100842537B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020060005406

申请日：2006-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동욱 ,  이현배 ,  박원흠 ,  길강미 ,  유현석

IPC: H04W28/14

CPC classification number: H04L1/0052 ,  H04L1/0067 ,  H04L1/0071

Abstract: 본 발명은 통신 시스템의 입출력 데이터 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 제1 시간 구간을 가지는 제1 버퍼와 제2 시간 구간을 가지는 제2 버퍼 사이에 시간 구간을 맞춰주는 제어기를 추가한다. 이와 같이 하면 버퍼의 사용을 최소화할 수 있다.
WCDMA, 역다중화, 디인터리빙

公开(公告)号：KR100761467B1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：KR1020060058961

申请日：2006-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최경인 ,  이상우 ,  이종명 ,  홍종원 ,  이현배

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A metal interconnection and a method for forming the same are provided to prevent a copper wiring from diffusing into an aluminum wiring when the aluminum wiring is formed on the copper wiring. An insulating layer(130) is formed on a semiconductor substrate(110) having a first metal interconnection(115), and then is patterned to form an opening(135) exposing the first metal interconnection. A first diffusion barrier layer(145) comprising one selected from the group consisting of Al, Zr, Si, Mo, Co, W, Ru and Ni is formed on the exposed first metal interconnection. A second metal interconnection(165) is formed on the first diffusion barrier layer. The first metal interconnection contains copper, and the second metal interconnection contains aluminum.

Abstract translation: 提供金属互连及其形成方法，以防止在铜布线上形成铝布线时铜线扩散到铝布线中。 绝缘层（130）形成在具有第一金属互连（115）的半导体衬底（110）上，然后被图案化以形成露出第一金属互连的开口（135）。 在暴露的第一金属互连件上形成包括选自Al，Zr，Si，Mo，Co，W，Ru和Ni中的一种的第一扩散阻挡层（145）。 在第一扩散阻挡层上形成第二金属互连（165）。 第一个金属互连包含铜，第二个金属互连包含铝。

公开(公告)号：KR1020070065101A

公开(公告)日：2007-06-22

申请号：KR1020050125804

申请日：2005-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현배 ,  임종환 ,  문희찬

IPC: H04J13/10

CPC classification number: H04W74/0833 ,  H04B1/707 ,  H04J13/10 ,  H04L27/2692

Abstract: A method and an apparatus for transmitting and receiving RACH(Random Access CHannel) preambles in a UMTS(Universal Mobile Telecommunication System) are provided to increase an existing RACH preamble detection success rate and shorten RACH procedure delay time by enhancing and expanding the structure of an RACH preamble. A mobile terminal selects an arbitrary access slot, and creates an 16-symbol arbitrary basic signature(402). The created basic signature is spread through 256 iterations(404). The mobile terminal creates a 4-symbol supplemental signature(406). The supplemental signature is also iterated 256 times(408). The mobile terminal concatenates the spread basic signatures with the spread supplemental signatures, creates preamble signatures, scrambles the created preamble signatures, and transmits the scrambled preamble signatures through the access slot(410-414). Then the mobile terminal attempts the detection of an AICH(Acquisition Indication CHannel) signature corresponding to the preamble signatures using the basic signatures(416). If the AICH signature is successfully detected, the mobile terminal transmits a preamble message part through an RACH(422).

Abstract translation: 提供了一种用于在UMTS（通用移动电信系统）中发送和接收RACH（随机接入信道）前导码的方法和装置，以增加现有的RACH前导码检测成功率，并通过增强和扩展RACH的结构来缩短RACH过程延迟时间 RACH序言。 移动终端选择任意的接入时隙，并创建16个符号的任意基本签名（402）。 创建的基本签名通过256次迭代进行扩展（404）。 移动终端创建4符号补充签名（406）。 补充签名也被迭代256次（408）。 移动终端将扩展的基本签名与扩展的补充签名相连，创建前导码签名，加扰所创建的前导签名，并通过访问时隙（410-414）发送加扰的前导签名。 然后，移动终端使用基本签名尝试对与前导码签名相对应的AICH（采集指示信道）签名的检测（416）。 如果成功检测到AICH签名，则移动终端通过RACH（422）发送前导消息部分。

公开(公告)号：KR100308207B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980048378

申请日：1998-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현배 ,  이원동 ,  장일진 ,  김종수

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은, 현상공정이 이루어지는 웨이퍼의 후면으로 현상액이 유입되어 오염되는 것을 방지하도록 하는 에지링, 이너컵 및 이들을 결합한 장치를 구현한 반도체 현상설비의 나이프에지링과 이너컵 및 웨이퍼 오염 방지장치에 관한 것으로, 본 발명의 나이프에지링은, 현상이 이루어지는 웨이퍼의 후면으로 유체 또는 유체방울의 유입을 차단하도록 소정 넓이를 갖는 차단면이 상측에 형성되어 있고, 차단면의 양방향으로 유체 또는 유체방울의 배출을 유도하는 경사면이 형성되며, 중심부가 통공되어 이루어지고, 반도체 현상설비의 웨이퍼 오염 방지장치는, 현상공정이 이루어지는 웨이퍼를 진공흡착하는 척과 및 상기 척 중앙으로부터 등거리 이격되게 두르며, 웨이퍼의 후면을 세정하는 세정액을 공급하는 세정액공급홀과, 세정가스를 공급하는 � �정가스공급홀을 구비하는 세정수단이 구비되어 이루어진다.
이로써 웨이퍼 후면으로의 현상액의 흐름을 막아서 배출되고, 순수 및 가스를 공급할 수 있는 공급관을 통해 다중세정 수행이 이루어지며, 웨이퍼 후면세정 영역이 넓어지고, 현상공정중에 발생되는 형상액이 웨이퍼의 후면으로 유입되어 오염되는 것이 방지되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010056088A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057507

申请日：1999-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이현배 ,  김종수

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling the temperature of a developing solution is provided to be capable of controlling the temperature of a developing solution sprayed onto a wafer in accordance with an established temperature by perceiving the temperature of the developing solution sprayed onto a wafer. CONSTITUTION: An apparatus for controlling the temperature of a developing solution includes a water jacket(36) for circulating pure water. The water jacket has a spray nozzle(42) for spraying a developing solution. A heater(34), a pure water circulation pump(32) and a coolant circulation pump adjust the temperature of pure water circulated in the water jacket. Temperature sensors(43,46) sense the temperature of the developing solution sprayed from the spray nozzle. A controller(48) selectively drives the heater, the pure water circulation pump and the coolant circulation pump depending on the temperature of the developing solution to adjust the temperature of the pure water circulated in the water jacket.

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制显影液温度的装置，其能够通过感知喷射到晶片上的显影液的温度，根据已建立的温度来控制喷射在晶片上的显影液的温度。 构成：用于控制显影液温度的装置包括用于循环纯水的水套（36）。 水套具有用于喷涂显影液的喷嘴（42）。 加热器（34），纯水循环泵（32）和冷却剂循环泵调节在水套中循环的纯水的温度。 温度传感器（43,46）感测从喷嘴喷射的显影液的温度。 控制器（48）根据显影液的温度有选择地驱动加热器，纯水循环泵和冷却剂循环泵，以调节在水套中循环的纯水的温度。