公开(公告)号：WO2019139297A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：PCT/KR2019/000023

申请日：2019-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지순

IPC: H04L29/06

CPC classification number: H04L29/06

Abstract: 본 발명의 다양한 실시 예들은 전자 장치에서 어플리케이션을 위한 네트워크 접속 권한을 제어하기 위한 방법 및 그것을 운용하기 위한 전자 장치에 관한 것이다. 전자 장치의 제어 방법은 전자 장치의 모드를 차단 모드로 전환하기 위한 명령을 입력받는 단계, 차단 모드로 전환하기 위한 명령이 입력되면, 전자 장치 내의 복수의 어플리케이션 중 사용자에 의해 기선택된 적어도 하나의 어플리케이션의 네트워크 접근 권한을 차단하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR102143884B1

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：KR1020130109201

申请日：2013-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍의관 ,  박병률 ,  박점용 ,  박지순 ,  이규하 ,  최시영

IPC: H01L21/673 ,  B65D85/38 ,  B65D85/86

公开(公告)号：KR1020160065631A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：KR1020140169872

申请日：2014-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  박병률 ,  박지순 ,  안진호

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/32051

Abstract: 기판의전면상에배치된제1 층간절연층, 상기제1 층간절연층 및상기기판을관통하는 TSV 구조체, 상기 TSV 구조체의하단부는상기기판의후면으로부터돌출하고, 상기기판의후면상에형성된후면절연층 및후면패시베이션층, 상기후면절연층 및상기후면패시베이션층 내에매립되고상기 TSV 구조체의상기하단부상에형성된후면범핑패드를포함하는반도체소자가설명된다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件，包括：第一层间绝缘层，设置在基板的前面; 穿透第一层间绝缘层和基板的贯通硅通孔（TSV）结构，其中下端部从基板的后部突出; 后绝缘层和形成在基板的后部的后钝化层; 以及嵌入在后绝缘层和后钝化层中的后凸块，并且形成在TSV结构的下端部分上。

公开(公告)号：KR1020150057140A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020130140092

申请日：2013-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최주일 ,  박건상 ,  황선관 ,  박병률 ,  박지순

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 집적회로소자는반도체구조물과, 반도체구조물의적어도일부를관통하는도전성플러그와, 도전성플러그를포위하는도전성배리어막을포함하는 TSV 구조와, 반도체구조물과도전성배리어막과의사이에개재된비아절연막과, 도전성배리어막과비아절연막과의사이에개재되고산소원자를포함하는금속함유절연막을포함한다. 집적회로소자를제조하기위하여, 비아절연막이노출된결과물에대하여 300 ~ 500 ℃의온도하에서진공분위기로디가스공정을행하여비아절연막을치밀화하고, TSV 구조를형성한후, 비아절연막과 TSV 구조와의사이에금속함유절연막을형성한다.

Abstract translation: 集成电路器件包括半导体结构，TSV结构，其包括通过至少一部分半导体结构的导电插塞和围绕导电插塞的导电阻挡层;通孔绝缘层，其插入在半导体结构和 导电阻挡层和介于导电阻挡层和通孔绝缘层之间的包含金属的绝缘层，并且包括氧元素。 为了制造集成电路器件，通过对在真空下在300至500摄氏度的温度下暴露通孔绝缘层的结果进行脱气处理来使通孔绝缘层致密化。 在形成TSV结构之后，在通孔绝缘层和TSV结构之间形成含金属的绝缘层。

公开(公告)号：KR1020150030025A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：KR1020130109201

申请日：2013-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍의관 ,  박병률 ,  박점용 ,  박지순 ,  이규하 ,  최시영

IPC: H01L21/673 ,  B65D85/38 ,  B65D85/86

CPC classification number: H01L21/6733 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67323 ,  H01L21/67326

Abstract: The present invention relates to a wafer loader which is capable of loading a single or a combination wafer, and includes a plurality of loading parts which protrude from a main body, are arranged along an edge of a wafer, and have grooves into which an edge of the wafer is inserted. The loading parts include a first protruding part and a second protruding part having inner surfaces facing each other to allow the grooves to be defined and a buffer area which is defined by one recessed inner surface among the inner surfaces. The buffer area prevents the wafer breakage and a loss in wafer which can be generated by a physical contact between the single or the combination wafer and the wafer loader.

Abstract translation: 本发明涉及一种晶片装载机，其能够加载单个或组合晶片，并且包括从主体突出的多个负载部件，沿着晶片的边缘布置，并且具有凹槽，边缘 插入晶片。 装载部分包括第一突出部分和具有彼此面对的内表面以允许限定凹槽的第一突出部分和由内表面中的一个凹入的内表面限定的缓冲区域。 缓冲区域防止晶片破裂和晶片的损失，这可以通过单个或组合晶片与晶片装载机之间的物理接触而产生。

公开(公告)号：KR101424972B1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：KR1020070045426

申请日：2007-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지순 ,  신준범

IPC: G06F21/00 ,  G06F15/00

CPC classification number: G06Q20/1235 ,  G06Q20/32 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40975 ,  G07F7/1008 ,  G07F7/1016 ,  H04L9/0822 ,  H04L9/0877 ,  H04L9/0897 ,  H04L2209/60 ,  H04L2209/805

Abstract: 본 발명은 모바일 카드를 이용한 컨텐츠 사용 방법, 호스트 장치, 및 모바일 카드에 관한 것이다. 본 발명은 모바일 카드의 아이디, 공통 키, 및 모바일 카드의 비밀 키에 의해 암호화된 컨텐츠 키를 저장하는 단계; 모바일 카드의 아이디 및 공통 키의 결합 키를 생성하는 단계; 모바일 카드의 비밀 키에 의해 암호화된 컨텐츠 키를 결합 키에 의해 암호화한 제1 암호문을 생성하는 단계; 제1 암호문을 모바일 카드로 송신하는 단계; 모바일 카드에서 복호화된 컨텐츠 키를 결합 키에 의해 암호화한 제2 암호문을 수신하는 단계; 및 제2 암호문을 복호화하는 단계를 포함하도록 함으로써, 사용자로 하여금 원격지에서 암호화된 컨텐츠를 사용할 수 있도록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020120088181A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020110009342

申请日：2011-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김회승 ,  박인선 ,  최길현 ,  박지순 ,  이종명 ,  홍종원

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/288 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11573 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A conductive pattern structure and a method of forming thereof are provided to prevent operation errors of a semiconductor element due to the defect of the copper wiring by forming the copper wiring in uniform thickness on entire area of a substrate. CONSTITUTION: A substrate includes a first area and a second area. A first interlayer insulating film is formed on the substrate. First and second conductive patterns(26a,26b) and first and second dummy conductive patterns(26c,26d) are formed on the first interlayer insulating film of the first area. First and second dummy conductive patterns are formed on the first interlayer insulating film of the second area. A second interlayer insulating film is filled between the second conductive pattern and the first and second dummy conductive patterns.

Abstract translation: 目的：提供导电图案结构及其形成方法，以通过在基板的整个区域上形成均匀厚度的铜布线来防止由于铜布线的缺陷导致的半导体元件的操作误差。 构成：衬底包括第一区域和第二区域。 在基板上形成第一层间绝缘膜。 第一和第二导电图案（26a，26b）和第一和第二虚设导电图案（26c，26d）形成在第一区域的第一层间绝缘膜上。 第一和第二虚设导电图案形成在第二区域的第一层间绝缘膜上。 第二层间绝缘膜填充在第二导电图案和第一和第二虚设导电图案之间。

公开(公告)号：KR1020080093635A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020070037601

申请日：2007-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신준범 ,  박지순

IPC: H04L9/14 ,  H04L9/20 ,  H04L9/30

CPC classification number: H04L9/0643 ,  H04L9/0637 ,  H04L9/3236 ,  H04L2209/38 ,  H04L9/14 ,  H04L9/0656 ,  H04L9/30

Abstract: A method and an apparatus for encrypting and decrypting a message for keeping integrity of the message are provided to raise a security level by preventing a message without integrity from being used again. An apparatus for encrypting a message includes a random number generator(910), an encryption unit(920), a calculator(930), an encryption key generator(940), and a combiner(960). The random number generator generates a random number. The encryption unit encrypts the message using the random number to generate a first code word. The calculator calculates a hash value of the first code word. The encryption key generator uses the hash value of the first code word and a public key to generate an encryption key. When the encryption unit generates a second code word by encrypting the random number using the encryption key, the combiner combines the first and second code words with each other.

Abstract translation: 提供了用于加密和解密用于保持消息完整性的消息的方法和装置，以通过防止没有完整性的消息再次被使用来提高安全级别。 用于加密消息的装置包括随机数发生器（910），加密单元（920），计算器（930），加密密钥发生器（940）和组合器（960）。 随机数生成器生成随机数。 加密单元使用随机数加密消息以生成第一码字。 计算器计算第一个代码字的哈希值。 加密密钥生成器使用第一代码字的哈希值和公钥来生成加密密钥。 当加密单元通过使用加密密钥加密随机数生成第二代码字时，组合器将第一和第二代码字彼此组合。

公开(公告)号：KR100574964B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1020040000055

申请日：2004-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지순 ,  임현석 ,  이응준 ,  김정욱

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1089

Abstract: 콘택홀 채움 정도(contact fill capability)를 개선할 수 있는 텅스텐을 이용한 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판의 절연막에 콘택홀을 형성하고 블랭킷 방식의 장벽층을 형성한 후, 절연막 상부에만 스텝 커패리지 특성이 나쁘고, 산소 함유량이 많은 증착선택비 조절막을 추가로 형성하여 절연막 상부와 콘택홀 내부의 막질 특성을 다르게 만든 후, 텅스텐막을 증착한다.
텅스텐, 콘택 플러그, 보이드, 콘택홀 형성방법.

公开(公告)号：KR1020050013817A

公开(公告)日：2005-02-05

申请号：KR1020030052392

申请日：2003-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  박지순

IPC: H01L21/24

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device fabrication method using a selective silicide forming method is provided to form selectively the silicide only on a gate by performing a cobalt deposition process or a nickel deposition process instead of an SiON deposition process. CONSTITUTION: A gate oxide layer is formed on a semiconductor substrate(10). A polysilicon layer is formed on the gate oxide layer. A silicide metal layer is formed on the polysilicon layer. A photoresist layer pattern is formed on the silicide metal layer. The silicide metal layer is etched by using the photoresist layer pattern as an etching mask. A silicide metal layer pattern(40a) is formed by etching the silicide metal layer. The photoresist layer pattern is removed therefrom. A gate pattern having a stacked structure of the polysilicon layer pattern and the silicide metal layer pattern is formed by etching the polysilicon layer.

Abstract translation: 目的：提供使用选择性硅化物形成方法的半导体器件制造方法，以通过执行钴沉积工艺或镍沉积工艺而不是SiON沉积工艺在栅极上选择性地形成硅化物。 构成：在半导体衬底（10）上形成栅氧化层。 在栅氧化层上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成硅化金属层。 在硅化物金属层上形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模蚀刻硅化金属层。 通过蚀刻硅化物金属层形成硅化物金属层图案（40a）。 从中除去光致抗蚀剂层图案。 通过蚀刻多晶硅层形成具有多晶硅层图案和硅化物金属层图案的层叠结构的栅极图案。