公开(公告)号：KR1019990065756A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980001190

申请日：1998-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임용균 ,  정이하

IPC: H01L21/68

Abstract: 물질이 통과하는 주관에 연결되어 주관을 통과하는 물질의 특성을 검출하기 위한 부관의 기능이 상기 주관과 부관의 연결부위가 주관을 통과하는 물질의 파우더 등에 의하여 봉쇄되어 부관이 제기능을 발휘하지 못하는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치의 물질 이동 통로에 관하여 개시한다. 주관에 연결된 슬로우 펌프 라인을 봉쇄하여 펌핑 속도를 저하시키거나, 파우더 등의 누적으로 인하여 쳄버 분위기를 오염시키거나 하는 등의 문제가 발생하는 경우 공정 쳄버 내부의 상태가 정상이라 하여도 펌핑 라인 또는 펌핑 밸브를 교체하거나 세정한 후에 재사용하여야 하지만, 주관에 연결된 부관의 입구를 주관의 내부면에 비하여 돌출되게 형성함으로써 그 입구를 봉쇄하는 필름 등이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이로써 펌핑 속도를 유지할 수 있으며, 반도체 제조 설비의 사용 주기를 연장할 수 있는 장점을 갖는다.

公开(公告)号：KR100263901B1

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019970052639

申请日：1997-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임용균 ,  하대오

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/1085

Abstract: PURPOSE: An apparatus is provided to fabricate a semiconductor device proper for fabricating an HSG(Hemi Spherical Grain)-polycrystalline silicon film, and a method is provided to fabricate the HSG-polycrystalline silicon film and a method is provided to fabricate a capacitor including the HSG-polycrystalline silicon film as an electrode. CONSTITUTION: A gate(200) is formed between a transfer chamber(110) and a process chamber(120) to separate both chambers and to be used as a wafer loading/unloading path. A heating block(210) is installed is installed in the process chamber, and a wafer supporting bar(220) is formed on the heating block. And, a jacket(230) is formed on a surface of the process chamber to maintain a temperature of the process chamber constantly during the process. A heater of the heating block is constituted with an internal heater(212) and an external heater(214) to maintain the constant temperature of the wafer efficiently. The wafer supporting bar on the heating block moves to a wafer loading/unloading position(250), a standby position(252) and a process proceeding position(254) according to the movement of a chuck(240). The chuck is moved by moving a chuck supporting bar(244) up and down along a sliding cylinder(242). The distance ratio between A and B is set above 0.63:1 and below 0.8:1 for a uniform process. A is the distance from the wafer loading/unloading position to the standby position, and B is the distance from the wafer loading/unloading position to the process proceeding position.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造适用于制造HSG（半球形晶粒） - 多晶硅膜的半导体器件的设备，并且提供了制造HSG-多晶硅膜的方法，并且提供了一种制造包括 HSG多晶硅膜作为电极。 构成：在传送室（110）和处理室（120）之间形成一个门（200），以分离两个室并用作晶片装载/卸载路径。 安装加热块（210），并且在加热块上形成晶片支撑杆（220）。 并且，在处理室的表面上形成夹套（230），以在处理过程中恒定地维持处理室的温度。 加热块的加热器由内部加热器（212）和外部加热器（214）构成，以有效地保持晶片的恒定温度。 加热块上的晶片支撑杆根据卡盘（240）的移动移动到晶片装载/卸载位置（250），待机位置（252）和过程进行位置（254）。 通过沿滑动气缸（242）上下移动卡盘支撑杆（244）来移动卡盘。 对于均匀的过程，A和B之间的距离比设定在0.63:1以上且低于0.8:1。 A是从晶片装载/卸载位置到待机位置的距离，B是从晶片装载/卸载位置到过程进行位置的距离。

公开(公告)号：KR1019990031802A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970052639

申请日：1997-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임용균 ,  하대오

IPC: H01L27/06

Abstract: 반도체 디바이스 제조 장치, 이를 이용한 HSG-다결정 실리콘막의 제조 방법 및 HSG-다결정 실리콘막을 전극으로 포함하는 커패시터의 제조 방법에 대해 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조 장치내에서는 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 지지대가 세팅되는 위치가 웨이퍼 로딩/언로딩 위치, 대기 위치 및 공정 진행 위치로 구분되어 있으며, 상기 장치의 바닥면으로부터 상면쪽으로 상기 웨이퍼 로딩/언로딩 위치, 상기 대기 위치 및 상기 공정 진행 위치의 순서로 차례대로 구분되어 있다.