公开(公告)号：KR1020000065304A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990011427

申请日：1999-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor and a method for manufacturing an LCD substrate comprising the same are provided to prevent corrosion of wiring or electrodes by restricting the generation of a galvanic cell. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a gate electrode on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate electrode; forming an amorphous silicon layer on the gate insulating layer; forming a doped amorphous silicon layer thereon; forming a source electrode and a drain electrode thereon; and drying and etching the doped amorphous silicon layer. A method for manufacturing an LCD substrate comprising the same comprises the steps of: forming a gate wiring on an insulating substrate; forming a gate insulating layer thereon; forming an amorphous silicon layer on the gate insulating layer; forming a doped amorphous silicon layer thereon; forming a data wiring; and drying and etching the doped amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管的制造方法及其制造方法，以通过限制原电池的产生来防止布线或电极的腐蚀。 构成：制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 在栅电极上形成栅极绝缘层; 在所述栅绝缘层上形成非晶硅层; 在其上形成掺杂的非晶硅层; 在其上形成源电极和漏电极; 并干燥和蚀刻掺杂的非晶硅层。 一种用于制造包括该LCD基板的LCD基板的方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成栅极布线; 在其上形成栅极绝缘层; 在所述栅绝缘层上形成非晶硅层; 在其上形成掺杂的非晶硅层; 形成数据线; 并干燥和蚀刻掺杂的非晶硅层。

公开(公告)号：KR100828502B1

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020010020015

申请日：2001-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영

IPC: H01L21/3065

Abstract: 게이트 라인 상부의 보호막이 식각되는 불량을 방지할 수 있는 건식 식각장치가 개시되어 있다. 건식 식각 장치는 내부에 밀폐공간을 형성하고, 식각 대상물을 수용하여 건식 식각을 수행하기 위한 챔버를 구비한다. 플라즈마 발생부는 전압 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시킨다. 가스 공급부는 식각 가스를 상기 밀폐공간 내부로 유입시키며, 상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 위치한다. 전극과 플라즈마 식각가스 공급부를 분리하여 형성함으로써, 전극에 형성된 가스 공급홀이 필요없다. 따라서, 플라즈마에 의한 공급홀 원주면의 부식을 방지할 수 있어서, 식각 불량을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030008228A

公开(公告)日：2003-01-25

申请号：KR1020010042918

申请日：2001-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영

IPC: G02F1/13

Abstract: PURPOSE: A dry etching device by using plasma is provided to prevent the oxidation of an aluminum during the etching process or in the atmosphere by coating a bottom surface of a lower electrode and a top surface of a base part with an oxidation preventing film. CONSTITUTION: A dry etching device by using plasma includes a wall body part(100) having a side wall part(120) forming an appearance, a bottom part integrated with the side wall part forming a bottom part(140) of a chamber, and a cover part(160) formed at an end of the side wall part for forming a sealed space(800) inside, an electrode part having a first electrode(220) adjacent to the cover part, a second electrode(240) facing the first electrode and formed with a first oxidation preventing part(300) for preventing the oxidation of the bottom surface, and a base part(260) for supporting the second electrode, a power supply part(700) for supplying power to the first and second electrodes, and a gas flow part having a gas supply part for introducing source gas for forming plasma into the sealed space, and a gas discharge part for making the sealed space vacuum.

Abstract translation: 目的：提供通过使用等离子体的干蚀刻装置，以通过用氧化防止膜涂覆下电极的底表面和基部的顶表面来防止在蚀刻过程中或在大气中铝的氧化。 构成：通过使用等离子体的干式蚀刻装置包括具有形成外观的侧壁部（120）的壁体部（100），与形成室的底部（140）的侧壁部一体化的底部，以及 形成在侧壁部分的端部处用于在内部形成密封空间（800）的盖部分（160），具有邻近盖部分的第一电极（220）的电极部分，与第一电极 并且形成有用于防止底面氧化的第一氧化防止部分（300）和用于支撑第二电极的基部（260），用于向第一和第二电极供电的电源部分（700） 以及气体流通部，其具有用于将用于将等离子体形成的源气体引入密封空间的气体供给部，以及用于使密封空间真空的气体排出部。

公开(公告)号：KR1019990076156A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980010859

申请日：1998-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  이재형

IPC: H01L21/306

Abstract: 건식 식각 설비의 캐소드(cathode)에 설치되어 LCD 글래스를 로딩/언로딩시키는 리프트 핀에도 캐소드와 동일한 전원을 인가하여 캐소드에 균일한 전계 분포가 형성되도록 하여 균일한 식각이 가능토록 한 건식 식각 설비가 개시되고 있다.
본 발명에 의하면, 밀폐된 챔버에 설치된 애노드 및 애노드와 일정 간격 이격된 캐소드와, 캐소드에 위치한 LCD 글래스를 캐소드로부터 일정 간격 이격 시키기 위하여 캐소드를 관통한 상태로 결합된 전도성 리프트 핀과 리프트 핀을 구동시키기 위한 리프트 핀 구동수단으로 구성된 리프터와, 캐소드와 리프트 핀에 전원을 인가하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100783702B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020010020185

申请日：2001-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영 ,  정철수

IPC: G02F1/136

Abstract: 먼저, 크롬의 하부막과 알루미늄 계열의 상부막을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬의 하부막과 알루미늄 계열의 상부막으로 이루어진 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이때, 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍은 드레인 전극의 경계선이 드러나도록 형성하고, 보호막 및 게이트 절연막의 측벽이 경사각을 가지는 테이퍼 구조를 가지도록 형성한다. 이어, ITO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
알루미늄, ITO, 크롬, 테이퍼, 프로파일

公开(公告)号：KR100537879B1

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：KR1019990011427

申请日：1999-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만

IPC: H01L29/786

Abstract: 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 절연막을 덮은 후 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 형성한다. 도핑된 비정질 규소층 위에 크롬의 하부막과 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 상부막으로 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한다. 소스 전극과 드레인 전극을 형성할 때, 알루미늄 식각액을 이용하여 상부막을 식각한 다음, 크롬 식각액을 이용하여 하부막을 식각할 때 식각되지 않는 것을 방지하기 위하여 산소 플라스마 공정을 실시하여 상부막을 덮는 미세한 두께의 산화막을 형성하고 하부막을 식각한다. 그러면, 갈바닉 셀이 형성되지 않아 채널 형성시 마스크로 사용되는 소스 전극 및 드레인 전극의 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 이어, 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한 다음에 산소 플라스마 공정을 실시한다. 소스 전극과 드레인 전극 또는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 데 이용된 포토 레지스트 패턴 또는 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로 하고 건식 식각용 기체로는 불소화 기체와 염소화 기체를 사용하여 도핑된 비정질 규소층을 식각한다. 이때 염소를 포함하는 부산물은 소스 전극과 드레인 전극에 잔류하고 대기 중의 수분과 결합하면, 갈바닉 작용이 발생하여 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 부식시킨다. 산소 플라스마 공정을 실시하면 염소를 포함하는 부산물을 게거하거나 산화시켜 갈바닉 작용을 억제하여 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 부식되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020096324A

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：KR1020010034720

申请日：2001-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G01N21/8851 ,  G02F1/1303 ,  H01L21/67196

Abstract: PURPOSE: A vacuum chamber attached to a vision sensor is provided to simply sense the substrate reject such as cracks or damages formed at side parts of substrates by a pair of vision sensors mounted at both opposite side parts of the substrates outside a view port of a transfer chamber. CONSTITUTION: A vacuum chamber attached to a vision sensor includes a load lock chamber(100) having a receiving deck(140) for receiving a plurality of substrates and a deck conveying unit(160) for conveying the receiving deck, a transfer chamber(200) having a substrate conveying element for extracting the substrates from the receiving deck to convey, a processing chamber(300) for carrying out predetermined liquid crystal fabricating steps under a high vacuum state for the conveyed substrates, and a control part(400) having a vision sensor(410) for sensing the reject of the substrates, a data processing unit(420) for processing data transmitted from the sensor, and a substrate conveying element control unit(430) for controlling the operation of the substrate conveying element according to electric signals of the data processing part.

Abstract translation: 目的：提供连接到视觉传感器的真空室，以简单地通过安装在基板外侧的基板的两个相对侧部分处的基板的侧面部分处形成的基板的侧面部分处形成的裂纹或损坏来感测基板拒绝 传送室。 构成：附接到视觉传感器的真空室包括装载锁定室（100），其具有用于容纳多个基板的接收甲板（140）和用于输送接收甲板的甲板传送单元（160），传送室（200 ），具有用于从所述接收甲板取出所述基板以输送的基板输送元件，用于对被输送的基板进行高真空状态的规定的液晶制造工序的处理室（300），以及具有 用于感测基板的拒绝的视觉传感器（410），用于处理从传感器发送的数据的数据处理单元（420），以及用于根据电气控制基板输送元件的操作的基板输送元件控制单元（430） 数据处理部分的信号。

公开(公告)号：KR1020020086102A

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1020010025817

申请日：2001-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A load rock chamber for manufacturing semiconductor devices is provided to prevent generation of residues on a substrate due to condensation of liquid phase by forming a pumping port at lower part of a buffer plate. CONSTITUTION: A first carrier gate(11) is formed at one end of a chamber(10) and used as a carrier path of a substrate(20) for semiconductor device. A second carrier gate(12) is formed at other end of the chamber(10) for carrying the substrate(20) from the processing chamber(10). A buffer plate(13) supports the substrate(20) when carrying the substrate(20). A plurality of pumping ports(15) are formed at lower part of the buffer plate(13) for exhausting air in the processing chamber(10).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的负载岩石室，以通过在缓冲板的下部形成泵送端口来防止由于液相的冷凝而在基板上产生残留物。 构成：第一载体栅极（11）形成在室（10）的一端并用作用于半导体器件的衬底（20）的载体路径。 在腔室（10）的另一端形成第二载体栅极（12），用于从处理室（10）传送基板（20）。 缓冲板（13）在承载基板（20）时支撑基板（20）。 在缓冲板（13）的下部形成有用于排出处理室（10）中的空气的多个泵送口（15）。

公开(公告)号：KR2019980009683U

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR2019960021563

申请日：1996-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만

IPC: H01L21/302

Abstract: 본고안은상부전극의크기를하부전극의크기보다작게형성하여플라즈마상태의가스들이상부전극에서하부전극으로하강하여배출관으로배출되는동안하부전극에놓인 LCD 패널의가운데부분과가장자리부분에반응가스들이머무는확률을같게하여 LCD 패널가운데부분과가장자리부분의식각률을비슷하게함으로써 LCD 패널표면의식각을균일하게할 수있다.

Abstract translation: 纸的等离子体状态的内部，以形成比下部电极的气体的大小的上电极的尺寸小会留在中央部分的反应和下部电极的下降过程中置于下电极从上部电极放电到排放管LCD面板气体的边缘部分 等于LCD面板的由部分和边缘的类似的蚀刻速率的概率可以是液晶显示面板的均匀地蚀刻表面。

公开(公告)号：KR100803106B1

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020010037079

申请日：2001-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임석영 ,  강호민 ,  임지만

IPC: G02F1/13

Abstract: 로드락 챔버에 적재되는 유리 모기판의 휨을 방지할 수 있는 액정표시패널 가공 장치가 개시되고 있다. 액정표시패널 가공 장치는 로드락 챔버와 유리 모기판이 가공 처리되는 프로세스 챔버 및 로드락 챔버와 프로세스 챔버 사이에 위치하여 유리 모기판을 이송하는 이송 장치가 설치되는 이송 챔버를 포함한다. 로드락 챔버의 바닥면에는 유리 모기판의 양측부를 지지하는 지지대와 지지대에 안착되는 유리 모기판의 휨을 방지하기 위한 휨 방지 지지대가 설치된다. 따라서, 유리 모기판의 휨을 방지하여 로드락 챔버의 크기의 증가를 억제할 수 있고, 또한 로드락 챔버내의 공기를 제거하는데 소요되는 시간을 단축시켜 액정표시패널의 생산성을 향상시킬 수 있다.